本文關(guān)鍵詞：鑄造Ti-4822合金次生γ孿晶的結(jié)構(gòu)及形成機(jī)制

  更多相關(guān)文章： γ-TiAl合金 次生孿晶 亞結(jié)構(gòu) γ/γ片層

【摘要】：片層組織是γ-TiAl的一種重要組織。次生孿晶是片層組織一種重要的微觀結(jié)構(gòu),同時(shí)也是合金宏觀變形的一種重要機(jī)制,故對預(yù)測、調(diào)控材料的宏觀力學(xué)行為具有重要的意義。本文以Ti-48Al-2Cr-2Nb(Ti-4822)合金為對象,使用透射電子顯微鏡的相關(guān)分析手段(TEM、HRTEM、EDX、HAADF-STEM等),研究了γ-TiAl合金γ/γ片層顯微組織中次生孿晶的晶體學(xué)結(jié)構(gòu)、成分特征及形成機(jī)制。本文的主要研究內(nèi)容如下:對比分析了鑄態(tài)和固溶態(tài)Ti-4822合金的次生結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)鑄態(tài)和固溶處理后的Ti-4822合金次生結(jié)構(gòu)具有較大的差異,鑄態(tài)條件下Ti-4822合金次生結(jié)構(gòu)以堆垛層錯(cuò)為主,次生結(jié)構(gòu)含量較低;而固溶處理后次生結(jié)構(gòu)以次生孿晶為主,次生結(jié)構(gòu)的含量相對較高。這是由于鑄態(tài)合金冷速較快,切變進(jìn)行不完全,僅能形成少量小切變的堆垛層錯(cuò);而固溶處理后合金冷速較慢,切變進(jìn)行相對徹底,形成了較多具有較大切變的次生孿晶。分析了鑄態(tài)Ti-4822合金中含有較少次生結(jié)構(gòu)的連續(xù)γ/γ片層。發(fā)現(xiàn)片層間具有Ti、Al偏析交替出現(xiàn)的特點(diǎn),同時(shí)相鄰的γ/γ片層間具有180°真孿晶關(guān)系,片層界面則是APB類型的孿晶界。孿晶片層中出現(xiàn)了Ti元素的偏析,這一偏析可以在α→γ相變過程中促進(jìn)孿晶片層的形成;普通的片層內(nèi)沒有Ti元素的偏析,故晶體學(xué)取向不發(fā)生改變。研究了固溶態(tài)Ti-4822合金中不同階段的次生孿晶結(jié)構(gòu)特征,分析了其晶體學(xué)結(jié)構(gòu)和成分分布,發(fā)現(xiàn)固溶態(tài)合金中次生孿晶和基體具有60°偽孿晶的位相關(guān)系;次生孿晶和孿晶壁壘相互促進(jìn)形成,最終可以形成大范圍次生孿晶結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)同樣受到Ti偏析的促進(jìn)。
【關(guān)鍵詞】：γ-TiAl合金 次生孿晶 亞結(jié)構(gòu) γ/γ片層
【學(xué)位授予單位】：西北工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TG146.23
【目錄】：

• 摘要3-4
• ABSTRACT4-7
• 第1章 緒論7-15
• 1.1 Ti Al基合金的發(fā)展現(xiàn)狀7-8
• 1.2 γ-Ti Al合金的組織及特點(diǎn)8-10
• 1.3 γ/γ 板條的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)10-11
• 1.4 γ/γ 板條的次生結(jié)構(gòu)11-12
• 1.5 次生孿晶結(jié)構(gòu)及其形成機(jī)理12-13
• 1.6 研究內(nèi)容13-15
• 第2章 實(shí)驗(yàn)方案15-19
• 2.1 實(shí)驗(yàn)流程15
• 2.2 γ-Ti Al合金試樣的制備15-16
• 2.3 試樣的透射電子顯微鏡(TEM)表征16-17
• 2.4 透射電鏡照片的軟件處理17-19
• 第3章 不同狀態(tài)下Ti Al合金 γ/γ 片層的微結(jié)構(gòu)19-37
• 3.1 不同狀態(tài)下的Ti Al組織19-22
• 3.2 Ti Al合金中亞結(jié)構(gòu)的種類與形態(tài)22-26
• 3.2.1 層狀缺陷22-24
• 3.2.2 次生孿晶結(jié)構(gòu)24-26
• 3.3 片層微觀成分對次生結(jié)構(gòu)的影響26-35
• 3.3.1 微觀成分與SISF的關(guān)系26-30
• 3.3.2 微觀成分與次生孿晶結(jié)構(gòu)的關(guān)系30-33
• 3.3.3 微觀成分對 γ 片層次生機(jī)構(gòu)的影響33-35
• 3.4 本章小結(jié)35-37
• 第4章 γ/γ 片層及其形成機(jī)制37-49
• 4.1 γ/γ 片層的晶體學(xué)取向37-39
• 4.2 γ/γ 片層的宏觀形貌39-40
• 4.3 γ/γ 片層的取向分析40-42
• 4.4 γ/γ 片層界面的形態(tài)42-47
• 4.4.1 單個(gè) γ 片層的晶體學(xué)結(jié)構(gòu)42-44
• 4.4.2 γ/γ 片層界面的形態(tài)結(jié)構(gòu)44-45
• 4.4.3 γ/γ 片層界面的缺陷結(jié)構(gòu)45-47
• 4.5 γ/γ 片層形成機(jī)理47-48
• 4.6 本章小結(jié)48-49
• 第5章 次生孿晶的結(jié)構(gòu)與形成機(jī)制49-63
• 5.1 次生孿晶析出的基體49-53
• 5.1.1 基體的形貌結(jié)構(gòu)49-51
• 5.1.2 基體 γ/γ 界面的結(jié)構(gòu)。51-53
• 5.2 次生孿晶的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)53-55
• 5.3 次生孿晶結(jié)構(gòu)的晶體學(xué)討論55-58
• 5.4 復(fù)雜的次生孿晶結(jié)構(gòu)58-61
• 5.5 本章小結(jié)61-63
• 結(jié)論63-65
• 參考文獻(xiàn)65-79
• 攻讀碩士期間發(fā)表的論文79-81
• 致謝81-83

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6 王s，

本文編號：920519