本文關(guān)鍵詞：鋁納米陣列的制備及其二次諧波產(chǎn)生的研究

  更多相關(guān)文章： 脈沖激光沉積 鋁納米陣列 表面等離子體共振 二次諧波

【摘要】：隨著微納米加工技術(shù)的發(fā)展,金屬納米結(jié)構(gòu)的制備逐漸成熟起來,金屬納米陣列與光相互作用產(chǎn)生的非線性光學(xué)現(xiàn)象受到廣泛關(guān)注。金屬納米陣列在光學(xué)顯微成像、表面增強(qiáng)拉曼散射、表面增強(qiáng)熒光和生物傳感等方面的應(yīng)用研究得到了大量報(bào)道。金屬納米結(jié)構(gòu)中的二次諧波效應(yīng),具有信號(hào)穩(wěn)定、調(diào)諧波段寬、相干性好、響應(yīng)速度快和偏振敏感等特點(diǎn),可作為一種納米尺度下的新型相干光源,在激光掃描顯微成像、精密納米探測(cè)和微納光學(xué)器件等方面已顯示出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。目前對(duì)于金銀納米球、納米線和納米孔等貴金屬納米結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的二次諧波已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究,但是對(duì)于其他金屬的研究還比較少,比如對(duì)于Al納米結(jié)構(gòu)光學(xué)特性的研究主要集中在散射及表面等離子體共振調(diào)控等。目前納米結(jié)構(gòu)中二次諧波波長(zhǎng)多集中在可見光區(qū)(400nm-750 nm),而Al納米結(jié)構(gòu)有希望將其波長(zhǎng)拓展到紫外波段(200 nm-400 nm),從而可以進(jìn)一步提高納米顯微成像的分辨率,在高精度納米探測(cè)和傳感方面有重要意義。本篇論文中,我們對(duì)Al納米陣列的制備及其二次諧波的產(chǎn)生開展了研究,主要內(nèi)容如下:(1)結(jié)合納米球刻蝕法和脈沖激光沉積技術(shù),制備了周期排列的鋁納米陣列。通過改變沉積時(shí)間,獲得了不同尺寸鋁納米顆粒陣列,利用紫外分光光度計(jì)對(duì)鋁納米陣列在200nm-900nm的透射曲線進(jìn)行了測(cè)量,發(fā)現(xiàn)鋁納米陣列的表面等離子體共振吸收峰主要是在紫外波段;通過原子力顯微鏡對(duì)鋁納米陣列的表面形貌進(jìn)行了表征。(2)利用飛秒激光研究了在不同激發(fā)光能量的激發(fā)下,Al納米陣列產(chǎn)生的二次諧波(SHG)強(qiáng)度隨能量的變化趨勢(shì),發(fā)現(xiàn)其產(chǎn)生的SHG信號(hào)強(qiáng)度與激發(fā)光強(qiáng)度的二次方成正比,驗(yàn)證了收集到的信號(hào)光為二次諧波輻射。(3)研究了Al納米陣列的二次諧波強(qiáng)度隨入射激光偏振角度的變化關(guān)系,結(jié)果表明所制備的鋁納米陣列的表面二次諧波輻射主要來源于表面偶極子與入射激光的相互作用。
【關(guān)鍵詞】：脈沖激光沉積 鋁納米陣列 表面等離子體共振 二次諧波
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TB383.1;TG146.21
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-9
• 1 引言9-29
• 1.1 金屬納米陣列與表面等離子體9-12
• 1.2 金屬納米陣列的二次諧波12-20
• 1.3 薄膜的制備方法20-25
• 1.4 本工作的研究意義25-27
• 1.5 本論文的主要工作27-29
• 2 二次諧波的理論分析29-35
• 2.1 二次諧波的唯像模型29-33
• 2.2 本章小結(jié)33-35
• 3 金屬納米陣列的制備和表征35-44
• 3.1 脈沖激光沉積法制備鋁納米陣列35-38
• 3.2 納米球掩膜板制備38-39
• 3.3 鋁納米陣列的形貌表征39-43
• 3.4 本章小結(jié)43-44
• 4 Al納米陣列的二次諧波特性44-55
• 4.1 納米陣列的表面等離子體共振45-46
• 4.2 不同激光能量下Al納米陣列的二次諧波特性46-49
• 4.3 不同偏振角度下Al納米陣列的二次諧波特性49-54
• 4.4 本章小結(jié)54-55
• 5 總結(jié)和展望55-57
• 致謝57-59
• 參考文獻(xiàn)59-64

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 劉霞;;利用納米陣列技術(shù) 基因測(cè)序成本降至5000美元[J];科學(xué)咨詢(決策管理);2009年12期

2 林莎莎;鐘福新;;一維納米陣列的制備及其在傳感器中的應(yīng)用[J];梧州學(xué)院學(xué)報(bào);2009年06期

3 王斌;羊鉞;劉磊;;基于泊肅葉公式的納米陣列孔徑測(cè)量[J];機(jī)械工程與自動(dòng)化;2011年04期

4 左娟,孫嵐,林昌健;納米陣列結(jié)構(gòu)功能材料的制備、性質(zhì)及應(yīng)用[J];電子元件與材料;2003年12期

5 郭子政;宣志國(guó);張?jiān)荷?安彩虹;;納米陣列膜磁性質(zhì)的蒙特卡羅模擬[J];信息記錄材料;2008年03期

6 李會(huì)峰;黃運(yùn)華;張躍;高祥熙;趙婧;王建;;摻銦氧化鋅納米陣列的制備、結(jié)構(gòu)及性質(zhì)研究[J];物理學(xué)報(bào);2009年04期

7 ;創(chuàng)新地圖[J];IT經(jīng)理世界;2012年07期

8 王宇;劉浪;吳大平;郭玉忠;王劍華;;納米陣列和納米晶薄膜錫電極性質(zhì)的電化學(xué)研究[J];稀有金屬材料與工程;2012年09期

9 林紅巖;于翠艷;許濤;;氧化鋁模板制備鎳納米陣列[J];新技術(shù)新工藝;2006年08期

10 李嬈;劉冬雪;狄月;朱亞彬;;基于電泳法和磁控濺射技術(shù)制備金納米陣列[J];物理實(shí)驗(yàn);2013年06期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 甘小燕;李效民;高相東;邱繼軍;諸葛福偉;;一維半導(dǎo)體納米陣列的制備及其在太陽電池中的應(yīng)用[A];2011中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2011年

2 吳明Z;楊賢鋒;趙豐華;周強(qiáng);田俐;;氧化物納米陣列材料的液相制備和結(jié)構(gòu)調(diào)控[A];第十二屆固態(tài)化學(xué)與無機(jī)合成學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2012年

3 楊秋;劉熙俊;劉軍楓;孫曉明;;多級(jí)納米陣列及其催化性能研究[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第29屆學(xué)術(shù)年會(huì)摘要集——第34分會(huì)：納米催化[C];2014年

4 楊秋;陸之毅;李甜;劉軍楓;孫曉明;;多層級(jí)納米陣列的合成及其超電容性能研究[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第29屆學(xué)術(shù)年會(huì)摘要集——第24分會(huì)：化學(xué)電源[C];2014年

5 唐紀(jì)琳;Andreas Ebner;Uwe B.Sleytr;Nicola Ilk;Peter Hinterdorfer;;基于功能化S-層蛋白納米陣列的單分子識(shí)別[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第27屆學(xué)術(shù)年會(huì)第09分會(huì)場(chǎng)摘要集[C];2010年

6 陳鵬磊;高鵬;劉鳴華;;氣/液二維界面上的超分子組裝：構(gòu)鍵規(guī)則微/納米陣列結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單便捷的方法[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第十一屆膠體與界面化學(xué)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

7 安哲;何靜;;水滑石納米陣列納微結(jié)構(gòu)提高酶電子傳遞性能[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第28屆學(xué)術(shù)年會(huì)第1分會(huì)場(chǎng)摘要集[C];2012年

8 季書林;葉長(zhǎng)輝;張立德;;復(fù)配無機(jī)光吸附層的垂直排列的氧化物納米陣列太陽能電池研究進(jìn)展[A];安徽新能源技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展博士科技論壇論文集[C];2010年

9 孫萍;徐嶺;趙偉明;李衛(wèi);徐駿;馬忠元;黃信凡;陳坤基;;基于膠體球刻蝕法制備的有序半導(dǎo)體納米陣列及其光學(xué)性質(zhì)的研究[A];第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

10 倪賽力;常永勤;陳喜紅;張寅虎;多永正;強(qiáng)文江;龍毅;;氧化鋅納米陣列場(chǎng)發(fā)射性能研究[A];第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（2）[C];2007年

中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 ;納米陣列實(shí)現(xiàn)Tb級(jí)存儲(chǔ)密度[N];計(jì)算機(jī)世界;2003年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 陸之毅;納米陣列合成及其電化學(xué)性能研究[D];北京化工大學(xué);2015年

2 楊秋;多層級(jí)納米陣列的構(gòu)筑及其電化學(xué)性能研究[D];北京化工大學(xué);2015年

3 王霖;SiC納米陣列結(jié)構(gòu)調(diào)控及其場(chǎng)發(fā)射特性研究[D];北京科技大學(xué);2016年

4 郭迪;金屬氧化物納米陣列結(jié)構(gòu)的合成及其超電容性能的研究[D];湖南大學(xué);2015年

5 周張凱;貴金屬納米陣列等離激元光學(xué)性質(zhì)研究[D];武漢大學(xué);2011年

6 邊捷;納米陣列圖案表面浸潤(rùn)性研究[D];南京大學(xué);2014年

7 任鑫;一維TiO_2與ZnO納米陣列的設(shè)計(jì)、制備及性能研究[D];上海交通大學(xué);2011年

8 周正基;一維單晶TiO_2納米陣列的可控制備及其在太陽能電池中的應(yīng)用研究[D];河南大學(xué);2013年

9 于曉游;V,Mo氧化物納米陣列的制備及鋰電性能研究[D];北京化工大學(xué);2014年

10 劉熙俊;Fe-Co基氧化物納米陣列的構(gòu)筑及其電催化性能研究[D];北京化工大學(xué);2014年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 翁習(xí)文;過渡金屬氧化物納米陣列的設(shè)計(jì)合成與性能研究[D];北京化工大學(xué);2013年

2 滕翼;Cu/Fe表面修飾TiO_2納米陣列的制備及光催化性能的研究[D];清華大學(xué);2014年

3 李湘奇;ZnO納米陣列的制備、改性及性能研究[D];西南交通大學(xué);2015年

4 張永輝;模板法構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)及其在抑制微放電中的應(yīng)用[D];陜西科技大學(xué);2015年

5 韓建華;ZnO/硫化物核/殼納米陣列及其光伏性能研究[D];天津城建大學(xué);2015年

6 李敏;稀土/聚氨酯納米陣列發(fā)光材料的制備及性能研究[D];鄭州輕工業(yè)學(xué)院;2015年

7 呂朋雨;基于單分子蛋白質(zhì)測(cè)序芯片的研究[D];上海交通大學(xué);2015年

8 楚家玉;Ag/N-TiO_2納米陣列的制備及表面等離激元誘導(dǎo)偶聯(lián)反應(yīng)[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2015年

9 鄭遠(yuǎn)川;碳化蝶翅及其復(fù)合材料的制備和性能研究[D];西南科技大學(xué);2015年

10 張成龍;多級(jí)納米陣列結(jié)構(gòu)光電陽極材料的制備及性能研究[D];北京化工大學(xué);2015年

，

本文編號(hào)：858893