提出一種新型便捷的等離子體增強化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD),在細長的鋯合金包殼管(外徑9.5 mm,壁厚0.57 mm,長度200 mm)內(nèi)壁制備厚度分別3μm和5μm的SiC涂層,用掃描電鏡觀察涂層的微觀結(jié)構(gòu),并測試其抗熱沖擊性能和抗高溫水氧腐蝕性能。結(jié)果表明,該制備方法可快速、高效地在包殼管內(nèi)壁沉積SiC涂層,涂層致密且光滑平整,無論在包殼管的軸向或徑向方向,涂層厚度均勻一致。涂層與鋯合金基體結(jié)合良好,具有良好的抗熱沖擊性能,1 200℃高溫淬火后不發(fā)生剝落。SiC涂層可隔絕鋯合金與高溫水蒸氣接觸,有效保護鋯合金包殼管,防止其被氧化。

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【文章目錄】：
1 實驗
    1.1 管道內(nèi)壁涂層的PECVD裝置
    1.2 性能測試
2 結(jié)果與討論
    2.1 涂層結(jié)構(gòu)及均勻性
    2.2 抗熱沖擊性能
    2.3 抗高溫水蒸汽腐蝕性能
3 結(jié)論



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