多次照射下強流脈沖電子束表面改性40Cr的溫度場與熔深數(shù)值模擬與試驗
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【部分圖文】:
圖1脈沖電子束分析步示意
模擬HCPEB多次照射時,將每次電子束照射和冷卻過程看做一個周期,脈寬為3.5μs,冷卻時間間隔穩(wěn)定為5s,為了避免脈沖電子束作用后試樣表面劇烈的溫度變化使模型不收斂,照射后設(shè)置一個時間為6.5s冷卻銜接分析步。圖1為脈沖電子束分析步示意,每個照射次數(shù)設(shè)置3個分析步(加熱,銜....
圖2模型形狀與網(wǎng)格劃分
模型形狀為圓柱體,先在圓柱表面布置均勻的種子,沿著軸線為掃略路徑劃分網(wǎng)格。為了模型的精確性,將軸線方向上節(jié)點的距離設(shè)置為1mm,網(wǎng)格單元數(shù)量為82800,最小網(wǎng)格尺寸為4.8μm×4.8μm×1.0μm,見圖2。1.3工藝參數(shù)
圖3電子束流平均能量密度與靶距離之間的關(guān)系
劉威[22]試驗驗證,金屬材料40Cr在27kV加速電壓下HCPEB處理的改性效果較好,在達到一定照射次數(shù)后,試樣表層溫度分布趨于穩(wěn)定,不隨照射次數(shù)的增加而變化。因此,采用的加速電壓為27kV,照射次數(shù)為1~30次進行數(shù)值模擬,并將1,5,10,15,20次模擬結(jié)果與相同參數(shù)....
圖440Cr經(jīng)27kV、25次HCPEB照射后表層溫度隨時間變化
圖4是脈寬為3.5ms,加速電壓為27kV、25次HCPEB照射后,40Cr表層深度為0~40mm、時間為0~10ms的模擬三維溫度分布。由圖4可知,距離表面10μm范圍電子束照射處理過程中溫度較高,深度超過30μm以后,在電子束照射處理過程中溫度保持穩(wěn)定;27kV、25....
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