采用中斷法并結(jié)合電子背散射衍射(EBSD)技術(shù),研究了Hi-B鋼二次再結(jié)晶退火過(guò)程中大量未異常長(zhǎng)大Goss取向晶粒的晶界特征。結(jié)果表明:未異常長(zhǎng)大Goss取向晶粒的晶粒尺寸相較于基體晶粒和相鄰晶粒并沒(méi)有明顯的差異性。同時(shí)未異常長(zhǎng)大Goss取向晶粒與異常長(zhǎng)大Goss取向晶粒周?chē)腍E晶界和CSL晶界比例也沒(méi)有明顯的差異。在二次再結(jié)晶退火過(guò)程中,尺寸優(yōu)勢(shì)、HE晶界、CSL晶界和Goss取向偏離度都不能保證Goss取向晶粒發(fā)生異常長(zhǎng)大。而隨著退火溫度的升高,Goss取向晶粒有逐漸向標(biāo)準(zhǔn)Goss晶粒取向靠攏的趨勢(shì)。

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【文章目錄】：
1 試驗(yàn)方法
2 試驗(yàn)結(jié)果與分析
    2.1 Goss晶粒尺寸特征分析
    2.2 Goss晶粒周?chē)厥饩Ы绶治?br>    2.3 Goss晶粒偏離度分析
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3804744