為探究織構(gòu)對(duì)6061-T6鋁合金X射線應(yīng)力測(cè)試的影響,本工作對(duì)等強(qiáng)梁表面的預(yù)置應(yīng)力采用X射線進(jìn)行應(yīng)力測(cè)試,利用電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)和晶體取向成像分析技術(shù),根據(jù)晶粒取向和X射線衍射的角度關(guān)系,分析了織構(gòu)對(duì)X射線衍射晶粒群內(nèi)晶粒數(shù)目的影響,進(jìn)而分析衍射晶粒數(shù)目對(duì)晶粒群微觀應(yīng)變均勻性和微觀應(yīng)力均勻性的影響。結(jié)果表明,由于晶粒的擇優(yōu)取向,當(dāng)X射線衍射晶粒群的晶體取向在ψ=0～15°范圍內(nèi)時(shí),X射線衍射晶粒群內(nèi)晶粒數(shù)目較少,晶粒群之間微觀應(yīng)變和微觀應(yīng)力不均勻,使得X射線測(cè)試得到的衍射角變化不能反映由宏觀應(yīng)力所引起的衍射角變化,進(jìn)而導(dǎo)致應(yīng)力的測(cè)試精度降低。 

【文章來(lái)源】：材料導(dǎo)報(bào). 2020,34(20)北大核心EICSCD

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【部分圖文】：

應(yīng)力測(cè)試裝置示意圖

圖3 不同ψ角下參與衍射的晶粒成像圖(電子版為彩圖)對(duì)于每個(gè)ψ角下發(fā)生衍射的晶粒群,其晶粒之間存在大小不等的取向差,分15個(gè)區(qū)間統(tǒng)計(jì)各晶粒群0～1.5°范圍內(nèi)的小角度取向差,將每個(gè)區(qū)間內(nèi)0.1°范圍內(nèi)小角度取向差的數(shù)量進(jìn)行求和,計(jì)算每個(gè)區(qū)間內(nèi)的求和結(jié)果占0～1.5°范圍內(nèi)取向差值之和的百分?jǐn)?shù),結(jié)果如圖5所示。此外,統(tǒng)計(jì)每個(gè)ψ角下0～1.5°范圍內(nèi)取向差的平均值,結(jié)果如圖6所示。

圖5和圖6表明:當(dāng)ψ=0°、5°、10°、15°時(shí),發(fā)生衍射的晶粒群的小角度取向差的峰值和平均值各不相同,且都與其他8個(gè)晶粒群的小角度取向差峰值和平均值有較大差異。而其他8個(gè)ψ角對(duì)應(yīng)的晶粒群的小角度取向差的峰值和平均值趨于一致。因?yàn)樾〗嵌热∠虿钍窍噜弫喚чg小角度晶界的反映,小角度晶界的大小可以在一定程度上反映亞晶之間的位錯(cuò)密度,小角度取向差越大,位錯(cuò)密度越高[17]。因此,在ψ=0°、5°、10°、15°時(shí),發(fā)生衍射的晶粒群之間的位錯(cuò)密度不均勻,而在其他8個(gè)ψ角下,發(fā)生衍射的晶粒群之間位錯(cuò)密度差異較小。在ψ=0°、5°、10°、15°時(shí),晶粒群位錯(cuò)密度不均勻主要受參與統(tǒng)計(jì)的晶粒數(shù)目的影響。盡管晶粒內(nèi)部存在位錯(cuò)密度不均勻情況,但是當(dāng)統(tǒng)計(jì)晶粒數(shù)目較多時(shí),位錯(cuò)密度的統(tǒng)計(jì)平均值會(huì)趨于相同。而織構(gòu)的存在導(dǎo)致在ψ=0°、5°、10°、15°時(shí),參與衍射的晶粒群內(nèi)包含的晶粒較少,進(jìn)而使得晶粒群的平均位錯(cuò)密度呈現(xiàn)出統(tǒng)計(jì)意義上的不均勻性。圖6 不同ψ角晶粒群平均取向差

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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