目的揭示培養(yǎng)周期內(nèi)脫硫弧菌（一種硫酸鹽還原菌）引起的鋁的微生物腐蝕機(jī)理。方法采用細(xì)胞計(jì)數(shù)、熒光顯微鏡、電子顯微鏡、X射線能譜儀以及電化學(xué)測(cè)試等技術(shù),測(cè)試并分析鋁在硫酸鹽還原菌（SRB）培養(yǎng)基中的腐蝕行為和機(jī)理。結(jié)果培養(yǎng)初期,SRB沒有引起鋁的腐蝕速率加速。鋁電極的線性極化電阻在SRB培養(yǎng)基中的值甚至高于無(wú)菌培養(yǎng)基。這是因?yàn)樯锬さ睦鄯e阻礙了基體與溶液介質(zhì)界面的電子傳輸。隨著培養(yǎng)時(shí)間的延長(zhǎng),鋁在SRB培養(yǎng)基中的腐蝕速率明顯提高。培養(yǎng)7天時(shí),鋁電極在SRB培養(yǎng)基中的腐蝕電流比無(wú)菌培養(yǎng)基中高3個(gè)數(shù)量級(jí)。結(jié)論隨著時(shí)間的延長(zhǎng),培養(yǎng)基中有機(jī)碳源等營(yíng)養(yǎng)成分消耗過多,導(dǎo)致SRB無(wú)法從培養(yǎng)基中獲得足夠的營(yíng)養(yǎng)源,進(jìn)而轉(zhuǎn)向從鋁中獲取自身呼吸作用所需的能量。同時(shí),由于生物膜的覆蓋導(dǎo)致膜下微環(huán)境的改變,局部酸性可能較大,進(jìn)而加速了點(diǎn)蝕的形成。 

【文章來(lái)源】：表面技術(shù). 2020,49(07)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【部分圖文】：

培養(yǎng)期間厭氧瓶中SRB浮游細(xì)胞和鋁表面固著細(xì)胞的濃度

培養(yǎng)1、3、7天后，鋁試樣表面固著細(xì)胞的熒光顯微鏡照片如圖2所示。培養(yǎng)1天后，大量的活細(xì)胞（綠點(diǎn)）出現(xiàn)在鋁表面。培養(yǎng)3天后，可以看到更多的細(xì)菌附著在樣品表面。隨著培養(yǎng)時(shí)間的延長(zhǎng)，培養(yǎng)基中有機(jī)碳源含量逐漸減少。培養(yǎng)7天后，細(xì)菌生長(zhǎng)處于衰亡狀態(tài)，細(xì)菌活性逐漸下降，甚至死亡，可以看到明顯的死細(xì)胞（紅點(diǎn)）。熒光結(jié)果與圖1固著細(xì)胞計(jì)數(shù)結(jié)果一致。培養(yǎng)期間厭氧瓶頂空的H2S濃度如圖3所示�？梢钥闯�，H2S濃度具有先升高、后下降的趨勢(shì)。培養(yǎng)1天后，H2S的質(zhì)量濃度為2798 mg/L,4天后達(dá)到最高值（3300 mg/L),7天后降至3079 mg/L。H2S是SRB呼吸作用的產(chǎn)物，具有毒性，不利于SRB的生長(zhǎng)。

培養(yǎng)期間厭氧瓶頂空的H2S濃度如圖3所示。可以看出，H2S濃度具有先升高、后下降的趨勢(shì)。培養(yǎng)1天后，H2S的質(zhì)量濃度為2798 mg/L,4天后達(dá)到最高值（3300 mg/L),7天后降至3079 mg/L。H2S是SRB呼吸作用的產(chǎn)物，具有毒性，不利于SRB的生長(zhǎng)。2.2 腐蝕形貌

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3457318