首先對硅酸鹽體系中的AZ91D鎂合金進行微弧氧化處理,然后通過調(diào)節(jié)電壓制備厚度均為25μm和厚度均為40μm的兩組微弧氧化膜層,并針對這兩組等厚度膜層的制備時間、能耗、質(zhì)量厚度比及耐蝕性隨電壓的變化規(guī)律等進行對比研究.結(jié)果表明:隨著電壓的增大,兩組等厚度膜層的制備時間均縮短,能耗均降低.相對于厚度均為25μm的膜層,厚度均為40μm的膜層的制備時間更長、能耗更大,同時因40μm膜層較低的致密性,其在氯化鈉介質(zhì)中的耐蝕性較差,但其較厚的厚度使得膜層在硝酸介質(zhì)中顯現(xiàn)出更為優(yōu)異的耐蝕性能. 

【文章來源】：蘭州理工大學學報. 2020,46(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

制備等厚微弧氧化膜層所需時間與處理電壓關(guān)系

能耗在很大程度上決定了生產(chǎn)成本，通過式（1）計算得到的制備等厚膜層時所消耗的能量如圖2所示．從圖2可以看出，隨處理電壓的增加，兩組同厚度膜層的能耗具有相同的變化規(guī)律，均呈下降趨勢，且25μm的膜層，在440V前降幅較大，而40μm的膜層，在470V前降幅較大．式中：E為制備膜層時的能耗；Ui、Ii為i點處瞬時電壓和電流；n為記錄電壓和電流的總次數(shù)，由反應全程每2min計數(shù)一次計算而得；ti為i-1至i點的時間長度．

圖3所示為厚度均為25μm和厚度均為40μm兩組膜層的質(zhì)量厚度比隨處理電壓的變化曲線．由圖3可知，兩組膜層質(zhì)量厚度比隨處理電壓的變化規(guī)律略有差異，25μm等厚膜層隨電壓增加，先增加后略微減小再增加再減小，而40μm的膜層先減小后增加再減小，這歸因于膜層質(zhì)量厚度比除受處理電壓影響外，可能還受處理時間或者其間交互作用的影響．相同電壓下，厚度均為25μm膜層的質(zhì)量厚度比明顯高于40μm膜層的．由式（2）可知，對于同厚度的膜層，其質(zhì)量與厚度的比間接地反映了膜層的致密程度[19]，因此25μm膜層具有更高的致密性好．

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3372514