利用磁控濺射（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）以及熱擴散滲硅方法在TC4鈦合金表面制備WSi₂/W5Si₃復(fù)合涂層。采用X射線衍射儀、掃描電鏡、能譜儀對復(fù)合涂層的結(jié)構(gòu)、組織形貌以及微區(qū)化學(xué)成分進行分析;對復(fù)合涂層顯微硬度、附著力以及耐磨性進行測試。結(jié)果表明:WSi₂/W5Si₃復(fù)合涂層的WSi₂層和W₅Si₃層厚度分別為20、56μm,顯微硬度平均值分別為10.70和8.32 GPa; WSi₂/W₅Si₃復(fù)合涂層與基體結(jié)合力為171.6 N; WSi₂/W5Si₃復(fù)合涂層表面摩擦因數(shù)為0.75,磨損率為1.184×10^-6mm³·mm^-1。在TC4鈦合金表面制備的WSi₂/W₅Si₃復(fù)合涂層結(jié)構(gòu)... 

【文章來源】：鈦工業(yè)進展. 2020,37(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

涂層與鈦基體的劃痕聲發(fā)射圖譜

經(jīng)熱擴散滲硅處理后復(fù)合涂層的組織形貌如圖3a所示。復(fù)合涂層由致密表層、保留CVD沉積鎢組織形態(tài)特征的次表層和與之臨近的疏松互擴散區(qū)組成。復(fù)合涂層截面主要元素分布如圖3b所示。從W、Si元素線分布可以看出，經(jīng)過硅化處理后CVD沉積的純鎢涂層已經(jīng)消失，W、Si元素已擴散進入鈦基體。復(fù)合涂層的表層及次表層中W、Si元素含量固定，為擴散反應(yīng)生成化合物層。能譜微區(qū)成分分析結(jié)果如圖4所示。表層能譜分析結(jié)果中W與Si原子比接近1∶2，應(yīng)為WSi2層，其厚度為20μm;次表層能譜分析結(jié)果中W與Si原子比接近5∶3，應(yīng)為W5Si3層，其厚度為56μm。圖3 WSi2/W5Si3復(fù)合涂層截面形貌及線掃描能譜圖

WSi2/W5Si3復(fù)合涂層截面形貌及線掃描能譜圖

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]TB2合金表面抗高溫氧化TiAl涂層的制備[D]. 趙龍.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013



本文編號：3371524