2024鋁合金表面PEDOT涂層的電化學(xué)制備及耐腐蝕性能
發(fā)布時(shí)間:2021-08-20 13:42
分別采用循環(huán)伏安法和恒電流法在2024鋁合金基底上電沉積聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)涂層,考察在3種電解質(zhì)溶液(高氯酸鋰(LiClO4)和十二烷基硫酸鈉(SDS)水溶液,鄰苯二甲酸氫鈉(C8H5NaO4)和SDS水溶液,六氟磷酸四丁銨(TBAPF6)乙腈溶液)中聚合3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)對(duì)PEDOT涂層生長(zhǎng)和形貌的影響。通過(guò)電偶腐蝕、電化學(xué)阻抗譜(EIS)和掃描振動(dòng)電極技術(shù)(SVET)研究PEDOT涂層與鋁合金基底之間的相互作用。結(jié)果表明,TBAPF6不僅對(duì)基底具有鈍化和緩蝕作用,而且能夠顯著降低EDOT的氧化電位。恒電流法制備的涂層表面呈球狀團(tuán)聚且完整致密。電偶腐蝕和EIS結(jié)果表明,PEDOT涂層阻隔了腐蝕介質(zhì)并使基底鈍化,其阻值在DHS溶液(3.5 g/L (NH4)2SO2+0.5 g/L NaCl)中浸泡3 d后達(dá)到最大。SVET結(jié)果表明,破損的PEDOT涂層能夠促進(jìn)表面電荷離域,避免電...
【文章來(lái)源】:金屬學(xué)報(bào). 2020,56(11)北大核心EISCICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:10 頁(yè)
【部分圖文】:
在不同電解質(zhì)溶液中電聚合EDOT制備聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)涂層的循環(huán)伏安曲線及涂層宏觀形貌
圖2a2為在溶液2中,采用4 m A/cm2恒電流密度電聚合EDOT制備PEDOT的恒電流曲線。電位在100 s后上升至4 V,是由于基底表面PEDOT生長(zhǎng)所引起。逐漸生成的PEDOT填補(bǔ)了氧化膜擊穿處;妆砻嫱繉由蛇^(guò)程是聚合物PEDOT與鋁合金陽(yáng)極腐蝕之間相互競(jìng)爭(zhēng)的過(guò)程[20],若鋁合金的腐蝕速率大于PEDOT的生成速率,則PEDOT無(wú)法及時(shí)填補(bǔ)新生成的腐蝕坑,使其無(wú)法在基底上穩(wěn)定生長(zhǎng)。然而,較正的電位會(huì)導(dǎo)致大量氧化物產(chǎn)生,從而阻止形成連續(xù)的聚合物PEDOT涂層。宏觀照片(圖2b2)顯示,在該電解質(zhì)溶液中制備的PEDOT涂層較為完整,基本覆蓋基底表面。SEM像(圖3a和b)顯示,雖然涂層表面大部分被覆蓋,但還存在空缺部位。PEDOT涂層表面形貌呈花椰菜狀,少量呈花瓣?duì)钚蚊。涂層微觀結(jié)構(gòu)存在大量由基底腐蝕所引起的孔隙[21]。在溶液3中,因采用0.3 m A/cm2電流密度聚合無(wú)法擊穿基底表面氧化膜,故增大電流密度至20 m A/cm2。從圖2a3可知,電壓在0.07 s迅速達(dá)到最大2.19 V,100 s后基底表面基本被PEDOT完全覆蓋。聚合開(kāi)始時(shí)初始線性電位增加表明在2024鋁合金上形成了金屬氧化層[22],隨后金屬氧化層在PEDOT的形成過(guò)程中破裂,因此電位開(kāi)始下降。從宏觀照片(圖2b3)可以明顯看出在溶液3中制備的PEDOT涂層表面狀態(tài)最佳。SEM像(圖3c和d)顯示涂層平整致密,呈團(tuán)聚球狀形貌。
比較3種電解質(zhì)溶液中電聚合EDOT制備PEDOT涂層的宏觀照片可以看出,溶液3中制備的涂層最為完整致密,且在較大電流密度下具有較低電位。PEDOT成球狀團(tuán)聚在基底表面,形成緊密的分子聚集體,這會(huì)降低涂層內(nèi)部孔隙率,提高阻隔性,防止O2和H2O進(jìn)入涂層傳輸,使涂層抗腐蝕能力顯著提高。在溶液2中雖然也能制備出較為完整的PEDOT涂層,但由于金屬氧化作用,涂層微觀形貌顯示內(nèi)部仍然存在較多孔隙。EDOT進(jìn)行聚合反應(yīng)的同時(shí),還伴隨著金屬氧化和鈍化過(guò)程,它們與PEDOT涂層的生成形成競(jìng)爭(zhēng)。因?yàn)樗矔r(shí)大電流密度能擊破氧化膜,強(qiáng)電流有利于EDOT單體的氧化和聚合,并改善具有雙分子性質(zhì)的自由基陽(yáng)離子間的偶聯(lián)反應(yīng)[23,24],所以采用恒電流法制備PEDOT涂層,能夠減少基底溶解,避免由循環(huán)伏安還原過(guò)程所引起的PEDOT數(shù)量減少和陽(yáng)離子插入。因此,PEDOT涂層的最佳制備條件為采用恒電流法,在TBAPF6乙腈溶液中,以20 m A/cm2電流密度聚合EDOT 100 s。2.2 鋁合金表面PEDOT涂層的耐腐蝕性能
本文編號(hào):3353604
【文章來(lái)源】:金屬學(xué)報(bào). 2020,56(11)北大核心EISCICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:10 頁(yè)
【部分圖文】:
在不同電解質(zhì)溶液中電聚合EDOT制備聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)涂層的循環(huán)伏安曲線及涂層宏觀形貌
圖2a2為在溶液2中,采用4 m A/cm2恒電流密度電聚合EDOT制備PEDOT的恒電流曲線。電位在100 s后上升至4 V,是由于基底表面PEDOT生長(zhǎng)所引起。逐漸生成的PEDOT填補(bǔ)了氧化膜擊穿處;妆砻嫱繉由蛇^(guò)程是聚合物PEDOT與鋁合金陽(yáng)極腐蝕之間相互競(jìng)爭(zhēng)的過(guò)程[20],若鋁合金的腐蝕速率大于PEDOT的生成速率,則PEDOT無(wú)法及時(shí)填補(bǔ)新生成的腐蝕坑,使其無(wú)法在基底上穩(wěn)定生長(zhǎng)。然而,較正的電位會(huì)導(dǎo)致大量氧化物產(chǎn)生,從而阻止形成連續(xù)的聚合物PEDOT涂層。宏觀照片(圖2b2)顯示,在該電解質(zhì)溶液中制備的PEDOT涂層較為完整,基本覆蓋基底表面。SEM像(圖3a和b)顯示,雖然涂層表面大部分被覆蓋,但還存在空缺部位。PEDOT涂層表面形貌呈花椰菜狀,少量呈花瓣?duì)钚蚊。涂層微觀結(jié)構(gòu)存在大量由基底腐蝕所引起的孔隙[21]。在溶液3中,因采用0.3 m A/cm2電流密度聚合無(wú)法擊穿基底表面氧化膜,故增大電流密度至20 m A/cm2。從圖2a3可知,電壓在0.07 s迅速達(dá)到最大2.19 V,100 s后基底表面基本被PEDOT完全覆蓋。聚合開(kāi)始時(shí)初始線性電位增加表明在2024鋁合金上形成了金屬氧化層[22],隨后金屬氧化層在PEDOT的形成過(guò)程中破裂,因此電位開(kāi)始下降。從宏觀照片(圖2b3)可以明顯看出在溶液3中制備的PEDOT涂層表面狀態(tài)最佳。SEM像(圖3c和d)顯示涂層平整致密,呈團(tuán)聚球狀形貌。
比較3種電解質(zhì)溶液中電聚合EDOT制備PEDOT涂層的宏觀照片可以看出,溶液3中制備的涂層最為完整致密,且在較大電流密度下具有較低電位。PEDOT成球狀團(tuán)聚在基底表面,形成緊密的分子聚集體,這會(huì)降低涂層內(nèi)部孔隙率,提高阻隔性,防止O2和H2O進(jìn)入涂層傳輸,使涂層抗腐蝕能力顯著提高。在溶液2中雖然也能制備出較為完整的PEDOT涂層,但由于金屬氧化作用,涂層微觀形貌顯示內(nèi)部仍然存在較多孔隙。EDOT進(jìn)行聚合反應(yīng)的同時(shí),還伴隨著金屬氧化和鈍化過(guò)程,它們與PEDOT涂層的生成形成競(jìng)爭(zhēng)。因?yàn)樗矔r(shí)大電流密度能擊破氧化膜,強(qiáng)電流有利于EDOT單體的氧化和聚合,并改善具有雙分子性質(zhì)的自由基陽(yáng)離子間的偶聯(lián)反應(yīng)[23,24],所以采用恒電流法制備PEDOT涂層,能夠減少基底溶解,避免由循環(huán)伏安還原過(guò)程所引起的PEDOT數(shù)量減少和陽(yáng)離子插入。因此,PEDOT涂層的最佳制備條件為采用恒電流法,在TBAPF6乙腈溶液中,以20 m A/cm2電流密度聚合EDOT 100 s。2.2 鋁合金表面PEDOT涂層的耐腐蝕性能
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