目的探討基片偏壓對鎂合金Ti/TiN膜層質(zhì)量的影響。方法利用多弧離子鍍技術(shù),在不同偏壓條件下,對鎂合金先鍍Ti再鍍TiN,通過SEM觀察膜層形貌,通過劃痕測定膜基結(jié)合性能,通過電化學(xué)工作站對比AZ31鎂合金與不同偏壓鍍膜試樣的耐蝕性。結(jié)果偏壓為200V時(shí),TiN膜層致密均勻且成膜速度快,膜層耐蝕性最好;偏壓為200V時(shí),基體結(jié)合最好且膜層較厚,有較好的耐蝕性。結(jié)論鍍Ti膜時(shí)的偏壓對隨后鍍TiN的質(zhì)量有著顯著的影響,以200V偏壓的工藝鍍TiN膜層質(zhì)量最好,膜層致密,成膜速度快,耐蝕性優(yōu)良。 

【文章來源】：表面技術(shù). 2015,44(01)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與分析
    2. 1 偏壓對膜層形貌、成膜速度的影響
    2. 2 偏壓對膜基結(jié)合強(qiáng)度的影響
    2. 3 偏壓對膜層耐蝕性的影響
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3200459