為了初步理解核用結(jié)構(gòu)材料中H對(duì)He行為的影響,以He離子單獨(dú)輻照和He和H離子連續(xù)輻照作為對(duì)比,利用熱釋放譜（TDS）、透射電子顯微鏡（TEM）和掃描電子顯微鏡（SEM）研究了SIMP中H對(duì)He的熱解吸和滯留行為的影響。TDS結(jié)果表明:He釋放的主峰主要出現(xiàn)在1 198～1 222 K之間,對(duì)應(yīng)于氣泡的遷移釋放機(jī)制。相對(duì)于He單獨(dú)輻照,H的附加輻照使得He的釋放峰向低溫移動(dòng),且釋放量增大。即H促進(jìn)了He的熱解吸。另外,H對(duì)He熱解吸的促進(jìn)作用與H的輻照劑量有關(guān)。當(dāng)H注入的峰值濃度（原子分?jǐn)?shù)）從5%增加到50%時(shí),這種促進(jìn)作用有所減弱。結(jié)合TEM和SEM結(jié)果發(fā)現(xiàn):H的存在促進(jìn)了TDS加熱過(guò)程中材料表面的起泡行為,從而加速了He以氣泡遷移機(jī)制釋放的過(guò)程。 

【文章來(lái)源】：原子核物理評(píng)論. 2020,37(02)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)


本文編號(hào)：3184996