為了初步理解核用結構材料中H對He行為的影響,以He離子單獨輻照和He和H離子連續(xù)輻照作為對比,利用熱釋放譜（TDS）、透射電子顯微鏡（TEM）和掃描電子顯微鏡（SEM）研究了SIMP中H對He的熱解吸和滯留行為的影響。TDS結果表明:He釋放的主峰主要出現(xiàn)在1 198～1 222 K之間,對應于氣泡的遷移釋放機制。相對于He單獨輻照,H的附加輻照使得He的釋放峰向低溫移動,且釋放量增大。即H促進了He的熱解吸。另外,H對He熱解吸的促進作用與H的輻照劑量有關。當H注入的峰值濃度（原子分數(shù)）從5%增加到50%時,這種促進作用有所減弱。結合TEM和SEM結果發(fā)現(xiàn):H的存在促進了TDS加熱過程中材料表面的起泡行為,從而加速了He以氣泡遷移機制釋放的過程。 

【文章來源】：原子核物理評論. 2020,37(02)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁


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