6061鋁合金陽(yáng)極氧化膜的抗霉菌研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-02 13:19
采用防霉劑對(duì)6061鋁合金陽(yáng)極氧化膜進(jìn)行封閉處理,以提高氧化膜的耐霉菌腐蝕性能。通過(guò)掃描電子顯微鏡和X射線衍射儀對(duì)樣品的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:陽(yáng)極氧化膜經(jīng)防霉處理后,表面形成一層以二氧化硅和多硅酸鋰為主的干膜,且膜層與基體結(jié)合良好,可顯著提高6061鋁基材的防霉菌性能。
【文章來(lái)源】:電鍍與精飾. 2020,42(11)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
6061鋁本色陽(yáng)極氧化膜的X射線衍射圖譜
6061鋁本色陽(yáng)極氧化膜的掃描電鏡照片
為分析防霉薄膜的結(jié)構(gòu),實(shí)驗(yàn)中對(duì)6061鋁合金陽(yáng)極氧化膜樣品進(jìn)行防霉處理和熱處理,并對(duì)處理后樣品進(jìn)行X射線衍射分析,實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)圖2。圖2(a)是原樣品,(b)是經(jīng)防霉劑封閉之后對(duì)應(yīng)的X射線衍射圖譜,(c)和(d)分別是防霉處理后再進(jìn)行100℃和200℃熱處理之后的衍射圖譜。如圖1(a)所示,樣品在38.472°、44.738°和65.133°處出現(xiàn)Al的(111),(200)和(220)晶面的特征峰(JCP-DS No.04-0787)。同時(shí)在24.241°、40.121°和58.028°出現(xiàn)6061鋁合金中Mg2Si的(111)、(220)和(400)晶面的特征峰(JCPDS No.35-0773)。由圖1b可知,經(jīng)防霉封閉處理后樣品在20.262°,22.962°和35.500°處出現(xiàn)Si O2的(100)、(101)和(110)晶面的強(qiáng)衍射特征峰(JCPDS No.50-1431),此外在19.733°、24.261°、28.935°、37.500°和40.079°處出現(xiàn)五個(gè)特征峰,分別對(duì)應(yīng)于Li2Si2O5的(102)、(004)、(104)、(020)和(204)晶面(JCPDS No.42-0248);而防霉薄膜中的樹(shù)脂等高分子聚合物可能由于含量較少或者為非晶有機(jī)物,沒(méi)有相應(yīng)的衍射特征峰。由圖(c)和圖(d)可知,不同溫度熱處理后樣品中Li2Si2O5和Si O2的特征峰的依然存在。此外,100℃熱處理后樣品在16.713°、23.328°、23.643°和28.217°處發(fā)現(xiàn)了Li4Si O4的特征峰(JCPDS No.24-0650);200℃熱處理后樣品在16.170°、21.577°、25.742°、41.304°和47.019°處出現(xiàn)Li6Si2O7的特征峰。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]新型環(huán)保防腐涂料與應(yīng)用[J]. 王學(xué)信,毛廣鋒. 石油化工腐蝕與防護(hù). 2015(06)
[2]電子制造業(yè)中的三防涂覆技術(shù)[J]. 鮮飛,劉江濤,易亞軍,胡少云,楊巍. 電子工藝技術(shù). 2015(05)
[3]高強(qiáng)度合金結(jié)構(gòu)鋼與高強(qiáng)度鋁合金防護(hù)層的耐霉性研究[J]. 趙立華,段渝平. 裝備環(huán)境工程. 2015(04)
[4]海洋環(huán)境下7B04鋁合金腐蝕損傷演化規(guī)律研究[J]. 王剛,金平,譚曉明,王德. 中國(guó)腐蝕與防護(hù)學(xué)報(bào). 2012(04)
[5]印制板組件的三防涂覆及其去除工藝[J]. 張立明. 電子工藝技術(shù). 2009(03)
[6]三防保護(hù)涂覆工藝及設(shè)備[J]. 田芳,喬海靈. 電子工藝技術(shù). 2006(02)
碩士論文
[1]電沉積法制備氧化亞銅及其防微生物附著研究[D]. 原瑞霞.中國(guó)海洋大學(xué) 2014
本文編號(hào):3059332
【文章來(lái)源】:電鍍與精飾. 2020,42(11)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
6061鋁本色陽(yáng)極氧化膜的X射線衍射圖譜
6061鋁本色陽(yáng)極氧化膜的掃描電鏡照片
為分析防霉薄膜的結(jié)構(gòu),實(shí)驗(yàn)中對(duì)6061鋁合金陽(yáng)極氧化膜樣品進(jìn)行防霉處理和熱處理,并對(duì)處理后樣品進(jìn)行X射線衍射分析,實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)圖2。圖2(a)是原樣品,(b)是經(jīng)防霉劑封閉之后對(duì)應(yīng)的X射線衍射圖譜,(c)和(d)分別是防霉處理后再進(jìn)行100℃和200℃熱處理之后的衍射圖譜。如圖1(a)所示,樣品在38.472°、44.738°和65.133°處出現(xiàn)Al的(111),(200)和(220)晶面的特征峰(JCP-DS No.04-0787)。同時(shí)在24.241°、40.121°和58.028°出現(xiàn)6061鋁合金中Mg2Si的(111)、(220)和(400)晶面的特征峰(JCPDS No.35-0773)。由圖1b可知,經(jīng)防霉封閉處理后樣品在20.262°,22.962°和35.500°處出現(xiàn)Si O2的(100)、(101)和(110)晶面的強(qiáng)衍射特征峰(JCPDS No.50-1431),此外在19.733°、24.261°、28.935°、37.500°和40.079°處出現(xiàn)五個(gè)特征峰,分別對(duì)應(yīng)于Li2Si2O5的(102)、(004)、(104)、(020)和(204)晶面(JCPDS No.42-0248);而防霉薄膜中的樹(shù)脂等高分子聚合物可能由于含量較少或者為非晶有機(jī)物,沒(méi)有相應(yīng)的衍射特征峰。由圖(c)和圖(d)可知,不同溫度熱處理后樣品中Li2Si2O5和Si O2的特征峰的依然存在。此外,100℃熱處理后樣品在16.713°、23.328°、23.643°和28.217°處發(fā)現(xiàn)了Li4Si O4的特征峰(JCPDS No.24-0650);200℃熱處理后樣品在16.170°、21.577°、25.742°、41.304°和47.019°處出現(xiàn)Li6Si2O7的特征峰。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]新型環(huán)保防腐涂料與應(yīng)用[J]. 王學(xué)信,毛廣鋒. 石油化工腐蝕與防護(hù). 2015(06)
[2]電子制造業(yè)中的三防涂覆技術(shù)[J]. 鮮飛,劉江濤,易亞軍,胡少云,楊巍. 電子工藝技術(shù). 2015(05)
[3]高強(qiáng)度合金結(jié)構(gòu)鋼與高強(qiáng)度鋁合金防護(hù)層的耐霉性研究[J]. 趙立華,段渝平. 裝備環(huán)境工程. 2015(04)
[4]海洋環(huán)境下7B04鋁合金腐蝕損傷演化規(guī)律研究[J]. 王剛,金平,譚曉明,王德. 中國(guó)腐蝕與防護(hù)學(xué)報(bào). 2012(04)
[5]印制板組件的三防涂覆及其去除工藝[J]. 張立明. 電子工藝技術(shù). 2009(03)
[6]三防保護(hù)涂覆工藝及設(shè)備[J]. 田芳,喬海靈. 電子工藝技術(shù). 2006(02)
碩士論文
[1]電沉積法制備氧化亞銅及其防微生物附著研究[D]. 原瑞霞.中國(guó)海洋大學(xué) 2014
本文編號(hào):3059332
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