45鋼表面HEDP鍍銅研究
發(fā)布時(shí)間:2021-01-25 14:07
本文研究了羥基乙叉二膦酸(HEDP)鍍銅工藝在45鋼表面得到的銅鍍層的性能,考察了銅鍍層的結(jié)合力、孔隙率以及深鍍能力等各項(xiàng)性能指標(biāo)。結(jié)果表明,HEDP鍍銅工藝在45鋼表面沉積得到的銅鍍層均勻致密,鍍層未出現(xiàn)起皮、鼓泡或脫落的現(xiàn)象,且鍍層厚度在37~40μm時(shí)孔隙率為零。彎曲法檢測(cè)結(jié)果表明銅鍍層與基體之間具有良好的結(jié)合力,即使基體材料完全斷裂銅鍍層也未脫落。深鍍能力考察結(jié)果表明,對(duì)于內(nèi)孔直徑為10 mm的通孔和盲孔零件,此工藝方法的深鍍能力能夠滿足內(nèi)孔表面的鍍覆要求。在5個(gè)給定的鍍層厚度范圍內(nèi),HEDP鍍銅工藝能夠很好地控制鍍層厚度,具有良好的工藝控制能力,且銅鍍層與底漆或密封劑之間具有良好的結(jié)合力。研究結(jié)果表明,采用HEDP鍍銅工藝在45鋼表面能夠得到滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品質(zhì)量要求的銅鍍層。
【文章來源】:電鍍與精飾. 2020,42(10)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
HEDP銅鍍層照片
圖1 HEDP銅鍍層照片從圖2可知,HEDP體系在通孔和盲孔零件上的深鍍能力分別為10和6。一般而言,對(duì)于內(nèi)孔直徑不大于10 mm的通孔零件和盲孔零件,要求鍍覆深度分別不小于內(nèi)孔直徑的2倍和1.5倍,顯然HEDP鍍銅體系能夠滿足該要求。
在室溫條件下測(cè)試了HEDP銅鍍層與HM109以及HM112兩種密封劑之間的剝離強(qiáng)度和內(nèi)聚破化率兩項(xiàng)性能指標(biāo)。按照相關(guān)技術(shù)要求,HM109密封劑的剝離強(qiáng)度應(yīng)不小于2.0 k N/m,內(nèi)聚破壞率應(yīng)為100%,而HM112密封劑的剝離強(qiáng)度應(yīng)不小于3.5 k N/m,內(nèi)聚破化率應(yīng)為95%。從表3的測(cè)試結(jié)果可知,HM109密封劑的實(shí)際剝離強(qiáng)度為7.0 k N/m,遠(yuǎn)高于該密封劑的技術(shù)要求值,內(nèi)聚破壞率能夠達(dá)到100%。HM112密封劑的實(shí)際剝離強(qiáng)度值為6.9 k N/m,幾乎為該密封劑技術(shù)要求值的兩倍,內(nèi)聚破壞率也達(dá)到100%。HEDP鍍銅工藝得到的鍍層與HM109以及HM112兩種密封劑之間的性能指標(biāo)均符合有關(guān)技術(shù)要求。3 結(jié)語(yǔ)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]電流密度對(duì)無(wú)氰鍍銀層性能的影響[J]. 宋超,劉麗穎,肖薇,陳秀華. 電鍍與精飾. 2019(05)
[2]SPCC鋼堿性無(wú)氰直接預(yù)鍍銅工藝研究[J]. 王洋洋,趙芳霞,張振忠. 表面技術(shù). 2017(08)
[3]無(wú)氰鍍銀新工藝的研究[J]. 劉明星,歐忠文,胡國(guó)輝,聶亞林,繆建峰. 電鍍與精飾. 2017(03)
[4]新型無(wú)氰鍍鎘工藝的研究與應(yīng)用[J]. 代朋民,唐亓. 電鍍與精飾. 2017(02)
[5]航空標(biāo)準(zhǔn)件無(wú)氰堿性鍍鋅的可行性研究[J]. 徐春紅,郭群,段前坤,丁峰,陳文超,李云川. 電鍍與精飾. 2016(03)
[6]不同主鹽對(duì)羥基亞乙基二膦酸體系鍍銅的影響[J]. 黃崴,曾振歐,謝金平,李樹泉. 電鍍與涂飾. 2013(08)
[7]新型鋼鐵無(wú)氰鍍銅工藝及其應(yīng)用[J]. 蔣義鋒,陳明輝,楊防祖,田中群,周紹民. 電鍍與涂飾. 2012(08)
[8]HEDP鍍銅液在銅電極上的電化學(xué)行為[J]. 高海麗,曾振歐,趙國(guó)鵬. 電鍍與涂飾. 2008(08)
[9]Ni-Cr合金在三價(jià)鉻水溶液中的電沉積[J]. 楊余芳,龔竹青,羅娟,馬玉天,陽(yáng)征會(huì). 材料保護(hù). 2006(06)
[10]化學(xué)鍍銅替代氰化鍍銅新工藝[J]. 鞠傳偉. 電鍍與環(huán)保. 2002(02)
本文編號(hào):2999352
【文章來源】:電鍍與精飾. 2020,42(10)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
HEDP銅鍍層照片
圖1 HEDP銅鍍層照片從圖2可知,HEDP體系在通孔和盲孔零件上的深鍍能力分別為10和6。一般而言,對(duì)于內(nèi)孔直徑不大于10 mm的通孔零件和盲孔零件,要求鍍覆深度分別不小于內(nèi)孔直徑的2倍和1.5倍,顯然HEDP鍍銅體系能夠滿足該要求。
在室溫條件下測(cè)試了HEDP銅鍍層與HM109以及HM112兩種密封劑之間的剝離強(qiáng)度和內(nèi)聚破化率兩項(xiàng)性能指標(biāo)。按照相關(guān)技術(shù)要求,HM109密封劑的剝離強(qiáng)度應(yīng)不小于2.0 k N/m,內(nèi)聚破壞率應(yīng)為100%,而HM112密封劑的剝離強(qiáng)度應(yīng)不小于3.5 k N/m,內(nèi)聚破化率應(yīng)為95%。從表3的測(cè)試結(jié)果可知,HM109密封劑的實(shí)際剝離強(qiáng)度為7.0 k N/m,遠(yuǎn)高于該密封劑的技術(shù)要求值,內(nèi)聚破壞率能夠達(dá)到100%。HM112密封劑的實(shí)際剝離強(qiáng)度值為6.9 k N/m,幾乎為該密封劑技術(shù)要求值的兩倍,內(nèi)聚破壞率也達(dá)到100%。HEDP鍍銅工藝得到的鍍層與HM109以及HM112兩種密封劑之間的性能指標(biāo)均符合有關(guān)技術(shù)要求。3 結(jié)語(yǔ)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]電流密度對(duì)無(wú)氰鍍銀層性能的影響[J]. 宋超,劉麗穎,肖薇,陳秀華. 電鍍與精飾. 2019(05)
[2]SPCC鋼堿性無(wú)氰直接預(yù)鍍銅工藝研究[J]. 王洋洋,趙芳霞,張振忠. 表面技術(shù). 2017(08)
[3]無(wú)氰鍍銀新工藝的研究[J]. 劉明星,歐忠文,胡國(guó)輝,聶亞林,繆建峰. 電鍍與精飾. 2017(03)
[4]新型無(wú)氰鍍鎘工藝的研究與應(yīng)用[J]. 代朋民,唐亓. 電鍍與精飾. 2017(02)
[5]航空標(biāo)準(zhǔn)件無(wú)氰堿性鍍鋅的可行性研究[J]. 徐春紅,郭群,段前坤,丁峰,陳文超,李云川. 電鍍與精飾. 2016(03)
[6]不同主鹽對(duì)羥基亞乙基二膦酸體系鍍銅的影響[J]. 黃崴,曾振歐,謝金平,李樹泉. 電鍍與涂飾. 2013(08)
[7]新型鋼鐵無(wú)氰鍍銅工藝及其應(yīng)用[J]. 蔣義鋒,陳明輝,楊防祖,田中群,周紹民. 電鍍與涂飾. 2012(08)
[8]HEDP鍍銅液在銅電極上的電化學(xué)行為[J]. 高海麗,曾振歐,趙國(guó)鵬. 電鍍與涂飾. 2008(08)
[9]Ni-Cr合金在三價(jià)鉻水溶液中的電沉積[J]. 楊余芳,龔竹青,羅娟,馬玉天,陽(yáng)征會(huì). 材料保護(hù). 2006(06)
[10]化學(xué)鍍銅替代氰化鍍銅新工藝[J]. 鞠傳偉. 電鍍與環(huán)保. 2002(02)
本文編號(hào):2999352
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