在鋯鹽體系電解液中,通過改變鋯鹽濃度,采用微弧氧化技術(shù)在2A12鋁合金表面原位生長微弧氧化陶瓷層。采用SEM、EDS分析微弧氧化陶瓷層表面及截面形貌和元素分布;利用X射線衍射儀（XRD）研究鋯鹽濃度對微弧氧化陶瓷層相組成的影響;利用Image-J軟件分析鋯鹽濃度對陶瓷層表面孔隙率、孔洞直徑的影響;利用電化學工作站分析不同鋯鹽濃度所得微弧氧化陶瓷層的耐腐蝕性。結(jié)果表明:微弧氧化陶瓷層表面呈典型"火山口"形貌,熔融噴射物沉積在表面的微孔和裂紋中。表面孔隙率和孔洞直徑隨著鋯鹽濃度增加呈先減小后增大的趨勢,膜層厚度隨著鋯鹽濃度的增加呈現(xiàn)先增大后減小;隨著鋯鹽濃度的增加,試樣腐蝕電流密度最大可下降1個數(shù)量級,電化學阻抗模值|Z|可增加1個數(shù)量級,隨鋯鹽濃度從5 g/L到20/L試樣的腐蝕電流先提升后降低。綜合比較,在15 g/L鋯鹽濃度下獲得的含ZrO₂陶瓷層,孔隙率低、致密性好、耐腐蝕性優(yōu)異。 

【文章來源】：熱加工工藝. 2020,49(20)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

不同鋯鹽濃度下所得微弧氧化陶瓷層表面形貌及孔隙分布掃描電鏡圖

圖4為不同鋯鹽濃度下所得微弧氧化涂層的極化曲線。自腐蝕電位（Ecorr）、自腐蝕電流（Icorr）、陰、陽極塔菲爾斜率βa、βc可由極化曲線擬合得到，再利用Stern-Geary式[15](4）計算出極化電阻Rp的數(shù)值，進而來進一步評價試樣的耐腐蝕性能。表4為不同鋯鹽濃度下微弧氧化處理的膜層極化曲線參數(shù)計算結(jié)果。圖3 不同鋯鹽濃度下制備的微弧氧化陶瓷層的XRD圖譜

不同鋯鹽濃度下制備的微弧氧化陶瓷層的XRD圖譜

【參考文獻】：
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本文編號：2976425