【摘要】：在全球提倡節(jié)能減排的大環(huán)境下,CSP工藝因其不需要二次加熱成為鋼鐵生產(chǎn)的主要趨勢,因此采用CSP工藝生產(chǎn)Hi-B鋼已成為熱門的研究課題之一。本課題采用以模擬CSP工藝制得的含Cu低溫Hi-B鋼為實(shí)驗(yàn)基板。利用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行顯微組織觀察,掃描電子顯微鏡進(jìn)行EBSD的數(shù)據(jù)采集,借助于透射電子顯微鏡進(jìn)行析出物分析,研究了不同溫度的滲氮過程及隨后二次再結(jié)晶過程中的組織及抑制劑演變規(guī)律。結(jié)果表明:在550℃滲氮條件下,抑制劑主要是(Al,Si,Mn)N與Cu_2S和AlN的復(fù)合析出物,在900℃下滲氮條件下則主要是AlN以及部分的AlN和Cu_2S的復(fù)合析出物。而在兩種滲氮條件下的二次再結(jié)晶過程中,抑制劑主要是AlN,抑制劑的平均尺寸隨著退火溫度的升高逐漸變大,體積百分?jǐn)?shù)與Zener因子值隨溫度升高逐漸減小。高溫900℃滲氮二次再結(jié)晶過程中,Goss取向晶粒在1040℃時(shí)發(fā)生異常長大,而低溫550℃滲氮二次再結(jié)晶過程中,Goss取向晶粒在1000℃時(shí)發(fā)生異常長大。在Goss晶粒異常長大過程中,織構(gòu){111}112與{411}148向Goss織構(gòu)發(fā)生轉(zhuǎn)變;{111}112與{411}148取向晶粒與周邊晶粒的取向差主要分布在20~45°并且有向20~45°集中的趨勢,而Goss取向晶粒與周邊晶粒的取向差分布在20~45°并且有向兩端分布的趨勢。高溫900℃滲氮的最終退火后組織完善程度優(yōu)于低溫550℃滲氮。
【圖文】：

取向硅鋼的晶粒取向排列

傳統(tǒng)高溫加熱工藝流程圖
【學(xué)位授予單位】：武漢科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：TG142.1

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：2671939