Nb替位方式及濃度對γ-TiAl合金微裂紋擴展的影響研究
【圖文】:
[010]TiAl]bAbCDbS[121]點陣單胞; (b)(111)面上的原圖 1.3 γ-TiAl 的點陣單胞和(111)面上的原子排列圖相似,γ-TiAl 主要在{111}面滑移,其方向主因單相 TiAl 合金在室溫下具有不可動的 1/2<1101]超位錯,而又被層錯偶極子所釘軋,所以室化的關系如圖 1.4 所示。單晶情況下,隨著溫峰值的溫度區(qū)域大約在 600~800℃范圍內(nèi),并
圖 2.2 薄膜周期性邊界條件示意圖條件中,不單單始終運用周期性邊界條件,像產(chǎn)生界面。在處理這些非均勻系統(tǒng)或處在件就會為整個模擬增加非常大的障礙。條件下或者某些特定時期,使用計算機模進行處理的時候,,就可將整個體系劃分成,后者采用周期性邊界條件。中可能需要應用多種邊界條件,這時也可界條件耦合起來應用于體系中。所以邊界況(比如根據(jù)其研究對象和研究目標等)
【學位授予單位】:蘭州理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TG146.23
【參考文獻】
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本文編號:2627045
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