【摘要】：針對(duì)非球面光學(xué)元件連續(xù)變曲率的特點(diǎn),提出了一種基于平面拋光斑演變獲取非球面磁流變拋光去除函數(shù)的技術(shù)思路。通過(guò)分析磁流變拋光機(jī)理,建立了磁流變拋光多因素耦合作用模型�；谠撃Ｐ吞岢龃帕髯儝伖馊コ瘮�(shù)獲取的微分解耦方法,實(shí)現(xiàn)對(duì)拋光斑形成機(jī)制中的幾何因素解耦,發(fā)現(xiàn)當(dāng)工藝條件變化較小時(shí),在空間中的特定點(diǎn)處,去除效率的變化量與工件浸入深度的改變量呈線性關(guān)系。實(shí)驗(yàn)觀測(cè)的20個(gè)點(diǎn)中,有17處決定系數(shù)在90%以上,另外3處在80%以上,峰值去除率和體積去除率演變的決定系數(shù)分別達(dá)到92%和94%,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了這一結(jié)論。
【圖文】：

徽分娜擁檻蜜

ｅｒｅｎｔｉｍｍｅｒｓｉｏｎｄｅｐｔｈａｎｄｔｈｅＲｍａｐｄｉａｇｒａｍ圖４不同浸深下的拋光斑實(shí)驗(yàn)結(jié)果及拋光斑效率分布示意圖拋光斑ｘ方向的中心平面為ｙＯｚ平面，拋光斑的在該平面內(nèi)的效率分布定義為效率的中心線ＣＬ，該線上的最高點(diǎn)近似為該拋光斑的峰值去除率ＰＲＲ，，ＰＲＲ所在平面定義為ｘＯｚ平面，坐標(biāo)原點(diǎn)為ＰＲＲ在ｘｙ平面內(nèi)的投影，拋光斑在ｘＯｚ平面內(nèi)的效率分布定義為橫截面輪廓ＣＰ，見(jiàn)圖４。提取所有拋光斑的中心線ＣＬ，并進(jìn)行平滑處理，示意如圖５所示。確定ＰＲＲ并根據(jù)ＰＲＲ所在位置確定橫截面輪廓ＣＰ，得到各拋光斑的ＣＰ如圖６所示。從圖４可以看出，ｄ＝０．１ｍｍ的拋光斑最大去除率點(diǎn)偏離中軸線，ｄ＝０．５ｍｍ的拋光斑入口處有小部分區(qū)域與其他拋光斑重疊，存在一定誤差，但是并不會(huì)影響研究不同浸深下去除效率的演變關(guān)系。Ｆｉｇ．５Ｒｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆｃｅｎｔｅｒｌｉｎｅ（ＣＬ）ｏｆｓｐｏｔｆｏｒｅａｃｈｄ圖５拋光斑中心線ＣＬ上的去除效率Ｆｉｇ．６Ｒｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎａｌｐｒｏｆｉｌｅ（ＣＰ）ｏｆｓｐｏｔｆｏｒｅａｃｈｄ圖６拋光斑橫截面輪廓ＣＰ上的去除效率在ＣＬ上相隔０．３４ｍｍ等間距取１０個(gè)點(diǎn)，在ＣＰ上相隔０．３２ｍｍ等間距取１０個(gè)點(diǎn)，確定這２０個(gè)點(diǎn)在不同浸深下的去除效率的變化量。并線性擬合得到各點(diǎn)處的

本文編號(hào)：2583045