PVD法滲Si制備6.5%Si高硅鋼過(guò)程組織結(jié)構(gòu)與性能演化研究
【圖文】:
經(jīng)多回合增Si處理后沿基體橫截面的Si濃度分布。圖2中符號(hào)為測(cè)試值,點(diǎn)劃線為平均值。由圖2可見(jiàn),每回合增Si處理后Si濃度均呈現(xiàn)沿截面均勻分布的特征,而隨著循環(huán)處理回合數(shù)的增加,基片Si濃度平均值依次由3%增加到4.1%,5%,5.8%,第4回合處理后Si濃度達(dá)到6.5%。在實(shí)驗(yàn)中經(jīng)過(guò)5回合循環(huán)增Si處理,含Si量提高到7.2%(圖中未畫出),說(shuō)明多回合循環(huán)增Si處理完全可以在較大范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)Si成分的調(diào)控。圖20.35mm厚低硅鋼4次循環(huán)增Si處理過(guò)程中沿試樣截面Si濃度的分布[12]Fig2Cross-sectionalSiconcentrationprofilesfor0.35mmthickness3%Sisteelsubstratepro-cessedby4roundsenriching-Sitreatments[12]3.3增Si處理對(duì)硅鋼基體微觀結(jié)構(gòu)的影響圖3為低硅鋼基片與經(jīng)第1回合增Si處理(含Si量達(dá)到4.1%)和經(jīng)4回合增Si處理(含Si量達(dá)到6.5%)后試樣的XRD圖譜對(duì)比?梢(jiàn)4回合增Si處理后硅鋼基體仍為a-Fe(Si)固溶體相,但是隨著基體含Si量從3%遞增到4.1%和6.5%時(shí),a-Fe(Si)固溶體相(110)峰位(圖3中插圖為局部放大圖)的2θ角從44.78°依次右移至44.85和45.07°。圖3原始3%Si低硅鋼、4.1%Si硅鋼和6.5%Si硅鋼的XRD衍射圖譜
5循環(huán)增Si處理過(guò)程基片晶粒尺寸變化Fig5Grainsizesofsiliconsteelsheetprocessedbymulti-roundsSienrichment為進(jìn)一步研究PVD法制成6.5%Si高硅鋼微觀結(jié)構(gòu)特征,采用透射電鏡對(duì)其進(jìn)行了分析表征。圖6(a)為6.5%Si高硅鋼的TEM高分辨像,測(cè)量其面間距值d=0.1995nm,與圖3中6.5%Si高硅鋼XRD圖譜中計(jì)算所得的(110)晶面間距0.201nm基本相符,所以可推斷圖6(a)高分辨像為(110)晶面衍射所得。圖6(b)為6.5%Si高硅鋼TEM低倍視場(chǎng)及沿[011]軸選區(qū)電子衍射斑點(diǎn)圖?梢(jiàn)在主衍射斑點(diǎn)之間還有兩套超點(diǎn)陣斑點(diǎn),經(jīng)過(guò)計(jì)算標(biāo)定分別是由DO3和B2有序相形成的超點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)[16]。說(shuō)明本文采用PVD法在低硅鋼薄板上多回合滲Si制備6.5%Si高硅鋼薄板避開(kāi)了軋制脆性的壁壘,成功實(shí)現(xiàn)6.5%Si高硅鋼薄板的精密可控制備,但制成高硅鋼基體同樣不可避免形成DO3和B2等有序相。圖6(b)插圖為[011]軸選區(qū)電子衍射,插圖中的超點(diǎn)陣衍射斑點(diǎn)為B2相和DO3相衍射所得[12]。3.5滲Si處理過(guò)程硅鋼基體交流軟磁性能變化圖7給出低硅鋼基片經(jīng)過(guò)5回合循環(huán)增Si處理,即基片含Si量由3%增加到7.2%時(shí),交流軟磁性能如中高頻損耗P5/1k、P1/5k、P0.5/10k的變化趨勢(shì)。圖7插圖同時(shí)給出不同Si含量樣品的電阻率變化。可見(jiàn)在3%~6.5
【參考文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):2575606
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