【摘要】：Ni-Mn-Ga薄膜因?yàn)楸葔K體材料易加工,且也具有大的磁致應(yīng)變和較高的響應(yīng)頻率,成為微機(jī)電磁性器件中不可缺少的材料。為了得到性能較好的Ni-Mn-Ga薄膜,人們通過改善制備工藝、化學(xué)成分等條件來優(yōu)化薄膜的性能。目前摻雜是改變Ni-Mn-Ga薄膜性能的一種方式,而在Ni-Mn-Ga薄膜中摻雜Co對(duì)其性能有很大的影響。本文通過磁控濺射法制備了摻雜Co的Ni-Mn-Ga薄膜,通過控制濺射時(shí)間與熱處理溫度制備了不同的Ni-Mn-Ga-Co薄膜。研究發(fā)現(xiàn):摻雜微量的Co對(duì)Ni-Mn-Ga薄膜的性能有很大的影響。摻雜后的Ni-Mn-Ga-Co薄膜表面的顆粒尺寸變小,薄膜的表面粗糙度變大。摻雜后的Ni-Mn-Ga-Co薄膜需要較大的外加磁場才能達(dá)到飽和,矯頑力也有所減小,居里溫度也有所降低。變溫測試時(shí),未摻雜的薄膜沒有發(fā)生馬氏體相變,摻雜后的薄膜也沒有發(fā)生馬氏體相變。濺射時(shí)間對(duì)Ni-Mn-Ga-Co薄膜的性能有顯著影響。隨著濺射時(shí)間的增加,Ni-Mn-Ga-Co薄膜表面的顆粒尺寸逐漸變小,薄膜的飽和磁化強(qiáng)度逐漸增大。當(dāng)濺射時(shí)間為60min時(shí),薄膜的飽和磁化強(qiáng)度最大。當(dāng)濺射時(shí)間為20min時(shí),薄膜的剩磁和矯頑力最小。隨著濺射時(shí)間的增加,Ni-Mn-Ga-Co薄膜的居里溫度也隨之升高,當(dāng)濺射時(shí)間為60min時(shí),薄膜的居里溫度為355K,同時(shí)也具有較好的磁性能。退火溫度對(duì)Ni-Mn-Ga-Co薄膜的性能有顯著影響。當(dāng)Ni-Mn-Ga-Co薄膜在1073K下進(jìn)行退火時(shí),飽和磁化強(qiáng)度最大。當(dāng)退火溫度升高或者降低時(shí),薄膜的磁性能都有所下降。
【學(xué)位授予單位】：太原科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TG146.15;TB383.2

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本文編號(hào)：2570811