Ti40合金在500~1000℃的恒溫氧化行為
【圖文】:
啵噔頤稚⒎植加諮躉徭礱媯ㄍ?3d),從其能譜分析結果可知,其為Si元素的氧化物SiO2(圖3f)。由于在Ti40合金中Si的含量很少(Ti-25V-15Cr-0.2Si)且氧化生成的SiO2是附著在氧化表面的,氧化表面由大量的TiO2組成,對附著于大量TiO2上的少量半透明狀SiO2進行能譜分析易受其影響,所以能譜分析結果中O和Si的原子比例是大于2的,,多余的O則是TiO2中的O。樹枝狀V2O5消失主要是由于V2O5屬于低熔點氧化物,在670℃熔化并揮發(fā),所以當氧化溫度超過700℃時,混合氧化層中的V2O5圖3Ti40合金不同溫度氧化后表面的SEM照片和能譜分析Fig.3SEMimagesandEDSresultsofoxidationsurfaceofTi40alloyatdifferenttemperatures:(a)500℃,(b)600℃,(c)800℃,(d)900℃,(e)600℃-EDS,and(f)900℃-EDS揮發(fā),導致氧化膜表面疏松多孔,且呈波浪狀起伏,同時,SiO2的比例增加。由于V的氧化物V2O5是金黃色,在溫度低于700℃時,氧化表面含有大量的V2O5氧化物,所以呈現(xiàn)金黃色。當溫度超過700℃時,V2O5熔化揮發(fā),氧化表面顯示為灰黑色,同時,揮發(fā)的V2O5沉積在坩堝的底部和邊緣,所以在超高溫氧化時,坩堝的底部和邊緣會看到黃色沉淀物。圖4展示了不同氧化溫度下試樣的剖面形貌。表3給出了不同氧化溫度下試樣氧化膜層的厚度。對照表3中不同溫度下氧化層的增厚數(shù)據(jù),可以看到,在700℃以下氧化時,雖然Ti40合金抗氧化性能弱于普通鈦合金,但氧化膜厚度基本和其它合金保持同一數(shù)量級[6]。當溫度超過700℃時,氧化膜厚度急劇增加,增厚率遠遠大于普通鈦合金[11]。相對于其它鈦合金,高溫下,雖然Ti40合金的氧化層厚度很大,但保持完整,沒有aElementω/%at%O41.54
·1166·稀有金屬材料與工程第44卷圖4Ti40合金不同溫度氧化后剖面形貌及氧化層厚度Fig.4Cross-sectionmorphologiesandoxidelayerthicknessofTi40alloyoxidizedatdifferenttemperatures:(a)600℃,(b)800℃,and(c)1000℃表3不同溫度下Ti40合金氧化膜厚度Table3ThicknessofoxidationfilmforTi40alloyoxidizedatdifferenttemperaturesTemperature/℃Thickness/μmOxidationtime/hIncrementrate/μm·h-15503.91200.0336005.41200.04570051.4800.643800222.9802.786900210.32010.5151000459.71045.970開裂和剝落(圖4b),即使氧化溫度為900℃,平面的氧化層依然保持完整,只是在試樣的棱角處,才發(fā)生開裂。直到氧化溫度達到1000℃時,才在平面氧化層中觀察到有裂紋產(chǎn)生(圖4c),但氧化層依然沒有脫落。同時,通過圖4還可以看到,Ti40合金氧化層和基體之間的過渡區(qū)(或者影響區(qū))很小,其暗示了在氧化層中有某種阻止氧元素向基體擴散的機制存在。圖5顯示了以界面為基準,分別向基體和氧化層不同深度延伸不同位置的合金元素分布?梢钥闯,從氧化表面向氧化層和基體延伸,Ti、V、Cr元素含量逐漸升高,O元素含量逐漸降低。但一個非常重要的現(xiàn)象是在氧化層和基體的界面處存在一個V、Cr元素的富集層,通過這個富集層后,O元素含量急劇降低到正常水平。這說明V、Cr元素的富集層對O元素向基體的擴散有阻礙作用,這也是為什么在圖4b中觀察到Ti40合金氧化層和基體之間過渡區(qū)很小的原因。圖5Ti40合金氧化試樣剖面元素分布圖Fig.5Compositionprofilesofelementsonthecross-sectionofTi40alloy:(a)600℃and(b)800℃3討論3.1Ti40合金的氧化從上文實驗結果和分析來看,Ti40合金在500~1000℃范圍內的氧化可以分為2個區(qū)間分析
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