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工藝參數(shù)對(duì)電子束選區(qū)熔化成形Ti6Al4V合金顯微組織的影響

發(fā)布時(shí)間:2019-10-21 10:33
【摘要】:針對(duì)電子束選區(qū)熔化的特點(diǎn),采用不同工藝參數(shù)成形了Ti6Al4V實(shí)體試樣,并利用光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡、透射電鏡和X射線衍射儀研究了氣霧化Ti6Al4V粉末在電子束選區(qū)熔化成形中的微觀組織特征以及不同體能量密度(P/v)對(duì)微觀組織的影響。結(jié)果表明:電子束選區(qū)熔化Ti6Al4V合金內(nèi)部組織為細(xì)針狀馬氏體、魏氏組織和網(wǎng)籃組織,細(xì)針馬氏體區(qū)位于試樣成形頂部;隨著體能量密度的增加馬氏體區(qū)高度由7~8個(gè)鋪粉層厚增加到22~25個(gè)鋪粉層厚,內(nèi)部組織由細(xì)長(zhǎng)片狀魏氏組織變?yōu)槲菏辖M織和網(wǎng)籃組織組成的雙態(tài)組織,片狀α相的厚度也由1~2μm增加到2~4μm。
【圖文】:

SEM形貌,SEM形貌,粉末


·3216·稀有金屬材料與工程第44卷圖1Ti6Al4V粉末SEM形貌Fig.1SEMimageofTC4powder預(yù)熱,可以有效提高粉末抵抗電子束沖擊的能力,,防止吹粉和粉末飛濺;孱A(yù)熱參數(shù)為電子束掃描速度10m/s,束流20mA,預(yù)熱時(shí)間6min。粉末預(yù)熱采用束流漸增的方式,掃描速度為5m/s,預(yù)熱遍數(shù)為20,束流1~20mA漸增。采用光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線衍射和透射電鏡對(duì)粉末材料和成型試樣內(nèi)部組織進(jìn)行了觀察分析。電子束選區(qū)熔化過(guò)程中,引入體能量密度來(lái)解釋工藝參數(shù)對(duì)成形的影響,體能量密度是指電子束選區(qū)熔化每層粉末時(shí),單位體積內(nèi)粉末獲得的能量。提出體能量密度公式為:ModifiedcoefficientπPEfhtv=(1)其中,P為功率;v為掃描速度;h為掃描間距;t為粉末層厚。對(duì)于確定的粉末,掃描間距一定時(shí),功率(P)和掃描速度(v)的比值(P/v)直接反應(yīng)體能量密度的變化趨勢(shì)。2結(jié)果與討論2.1體能量密度(P/v)對(duì)成形質(zhì)量的影響成形零件的質(zhì)量主要受成型過(guò)程工藝參數(shù)的影響,理想的成型件表面平整且粗糙度低,掃描線光滑連續(xù),內(nèi)部組織致密,無(wú)氣孔、裂紋和未熔合等缺陷。工藝過(guò)程對(duì)表面質(zhì)量和和內(nèi)部結(jié)合影響較大,能量輸表1電子束快速成形工藝參數(shù)Table1ParametersofelectronbeamrapidprototypingSampleNo.P/Wv/m·s-1(P/v)/J·mm-11120,240,3600.50.24,0.48,0.722240,480,7200.50.48,0.96,1.44360,120,1800.20.3,0.6,0.94120,240,3600.20.6,1.2,2.4入不足,容易導(dǎo)致掃描線不連續(xù),表面粗糙(如圖2a、2c所示);提高能量輸入,掃描線光滑連續(xù),但成形試樣兩側(cè)有凸起,這是由于能量密度輸入高,熔池作用時(shí)間長(zhǎng),流動(dòng)性好,電子束掃描時(shí)將液相金屬推向兩側(cè)(圖2b、2d所示)。電子束選區(qū)熔化在真空條件下進(jìn)行,有效?

外觀形貌,試樣,粉末,熔池


在真空條件下進(jìn)行,有效避免了氧、氮、氫等氣體對(duì)試樣的不良影響,成形件內(nèi)部存在孔隙,這可能是由于Ti6Al4V粉末為氣霧化粉末,低能量密度時(shí),熔池存在時(shí)間短,也不利于氣體的逸出(如圖3所示)。采用能量漸增的掃描方式,使粉末形成預(yù)燒結(jié),可以有效防止粉末的球化,但能量輸入不足仍不能避免未熔合的缺陷的產(chǎn)生。試驗(yàn)結(jié)果表明增加能量體密度能夠明顯改善內(nèi)部結(jié)合情況,提高致密性。2.2體能量密度(P/v)對(duì)微觀組織的影響電子束快速成形是逐層堆積的過(guò)程,其熔池具有溫度高、冷卻速度快的特點(diǎn),已凝固部分受到反復(fù)加圖2TC4試樣外觀形貌Fig.2MacromorphologyofTC4sampleswithdifferentprocessings:(a)P/v=0.24,0.48,0.72J·mm-1,(b)P/v=0.48,0.96,1.44J·mm-1,(c)P/v=0.3,0.6,0.9J·mm-1,and(d)P/v=0.6,1.2,2.4J·mm-1圖3成形試樣內(nèi)部缺陷Fig.3Poresandlackoffusioninthesample(P/v=0.24,0.48,0.72J·mm-1)abcdPoresLackoffusion200μm
【作者單位】: 清華大學(xué)先進(jìn)成形制造教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:北京市科技計(jì)劃項(xiàng)目(D13110400300000)
【分類號(hào)】:TG146.23

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2 宇野┬

本文編號(hào):2551362


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