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多弧離子鍍負(fù)偏壓對氮化鈦薄膜的影響

發(fā)布時間:2019-04-11 16:20
【摘要】:目的確定適當(dāng)?shù)呢?fù)偏壓,提高多弧離子鍍氮化鈦薄膜的綜合性能。方法采用不同的負(fù)偏壓,在4Cr13不銹鋼表面制備Ti N薄膜,探討偏壓對薄膜表面質(zhì)量、結(jié)構(gòu)、硬度、結(jié)合力和摩擦系數(shù)的影響。結(jié)果負(fù)偏壓對薄膜表面質(zhì)量的影響較大:負(fù)偏壓為0 V時,Ti N薄膜表面凹凸不平,液滴較多;隨著負(fù)偏壓升高,薄膜表面變得光滑,液滴減少并變小,薄膜致密性也得到提高。在不同負(fù)偏壓下,Ti N薄膜均呈現(xiàn)出在(111)晶面的擇優(yōu)取向,但隨著負(fù)偏壓的增大,這種擇優(yōu)取向逐漸減弱,當(dāng)負(fù)偏壓達(dá)到400 V時,薄膜在(220)晶面的峰值逐漸增強。隨著負(fù)偏壓從0增至400 V,薄膜的硬度、結(jié)合力和耐磨性均先提高,后降低。當(dāng)負(fù)偏壓為300 V時,薄膜的硬度和結(jié)合力達(dá)到最大,分別為2650HV和58 N;摩擦系數(shù)和磨損量最小,分別為0.48和0.1065 mm3。結(jié)論施加適當(dāng)?shù)呢?fù)偏壓可以提高薄膜的硬度、結(jié)合力、耐磨性等性能,當(dāng)負(fù)偏壓為300 V時,薄膜的各項性能達(dá)到最佳。
[Abstract]:......
【作者單位】: 廣西信息材料重點實驗室;桂林電子科技大學(xué)材料學(xué)院;桂林廣陸數(shù)字測控股份有限公司;
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助項目(51264007);國家自然科學(xué)基金青年基金(51201043) 廣西科學(xué)研究與技術(shù)開發(fā)科技攻關(guān)計劃(12118020-2-2-1) 廣西信息材料重點實驗室(桂林電子科技大學(xué))資助(1210908-10-Z) 桂林電子科技大學(xué)-桂林電科院研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地專項經(jīng)費資助(20121225-10-Z;20121225-03-Z)~~
【分類號】:TG174.444

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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