【摘要】：探討了拋光液組成和機(jī)械拋光工藝參數(shù)(包括拋光壓力、轉(zhuǎn)速、拋光液流速和拋光時(shí)間)對(duì)鋁柵化學(xué)機(jī)械拋光過程中鋁的去除速率的影響,確定拋光液的組成為:氧化劑H_2O_2 1.0%(體積分?jǐn)?shù),下同),螯合劑FA/O II 0.4%,非離子表面活性劑FA/O I 2.0%,納米硅溶膠磨料12%,pH 10。粗拋工藝參數(shù)為:拋光壓力3.0 psi,轉(zhuǎn)速50 r/min,拋光液流速250 m L/min,拋光時(shí)間240 s。精拋工藝參數(shù)為:拋光壓力2.0 psi,轉(zhuǎn)速45 r/min,拋光液流速150 m L/min,拋光時(shí)間240 s。粗拋時(shí)鋁的去除速率為330 nm/min,精拋時(shí)鋁的去除速率為210 nm/min。通過2種拋光工藝相結(jié)合,鋁柵表面粗糙度可達(dá)13.26 nm。
[Abstract]:The effects of the composition of polishing fluid and the process parameters of mechanical polishing (including polishing pressure, rotation speed, polishing fluid flow rate and polishing time) on the removal rate of aluminum in the process of aluminum gate chemical-mechanical polishing were discussed. The composition of polishing solution was determined as follows: oxidizer H_2O_2 1.0% (volume fraction, the same below), chelating agent FA/O II 0.4, Nonionic surfactant FA/O I 2.0, nano-silica sol abrasive 12 and pH 10. The process parameters of rough polishing are as follows: polishing pressure 3.0 psi, rotation speed 50 rmin, polishing fluid flow rate 250ml / min, polishing time 240s. The polishing process parameters are as follows: polishing pressure 2.0 psi, rotational speed 45 rmin, polishing fluid flow rate 150ml / min, polishing time 240s. The removal rate of aluminum during rough casting is 330 nm/min,. The removal rate of aluminum is 210 nm/min.. Through the combination of two polishing processes, the surface roughness of aluminum gate can reach 13.26 nm..
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2009ZX02308) 河北省教育廳基金(QN2014208)
【分類號(hào)】：TG580.692

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 ;化學(xué)機(jī)械拋光[J];表面工程資訊;2005年04期

2 宋曉嵐;李宇q;江楠;屈一新;邱冠周;;化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究進(jìn)展[J];化工進(jìn)展;2008年01期

3 ;適于高精度平面化的化學(xué)機(jī)械拋光方法[J];電鍍與涂飾;1999年03期

4 李秀娟,金洙吉,蘇建修,康仁科,郭東明;銅布線化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)分析[J];中國(guó)機(jī)械工程;2005年10期

5 張朝輝,雒建斌,溫詩(shī)鑄;化學(xué)機(jī)械拋光特性的應(yīng)力偶模擬[J];計(jì)算力學(xué)學(xué)報(bào);2005年02期

6 李長(zhǎng)河;;化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)[J];現(xiàn)代零部件;2006年03期

7 廉進(jìn)衛(wèi);張大全;高立新;;化學(xué)機(jī)械拋光液的研究進(jìn)展[J];化學(xué)世界;2006年09期

8 王永光;趙永武;;基于分子量級(jí)的化學(xué)機(jī)械拋光界面動(dòng)力學(xué)模型研究[J];摩擦學(xué)學(xué)報(bào);2007年03期

9 張振宇;郭東明;康仁科;高航;李巖;;軟脆功能晶體碲鋅鎘化學(xué)機(jī)械拋光[J];機(jī)械工程學(xué)報(bào);2008年12期

10 李軍;左敦穩(wěn);朱永偉;孫玉利;王軍;;無磨料化學(xué)機(jī)械拋光的研究進(jìn)展[J];機(jī)械制造與自動(dòng)化;2008年06期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 雷紅;;化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及其在電子制造中的應(yīng)用[A];2009年全國(guó)電子電鍍及表面處理學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2009年

2 常敏;袁巨龍;樓飛燕;王志偉;;化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)概述[A];全國(guó)生產(chǎn)工程第九屆年會(huì)暨第四屆青年科技工作者學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（二）[C];2004年

3 牛新環(huán);劉玉嶺;檀柏梅;馬振國(guó);;藍(lán)寶石襯底化學(xué)機(jī)械拋光的機(jī)理研究[A];第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（10）[C];2007年

4 魏昕;熊偉;袁慧;杜宏偉;;化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)理的建模分析[A];全國(guó)生產(chǎn)工程第九屆年會(huì)暨第四屆青年科技工作者學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（二）[C];2004年

5 謝華杰;陳治明;楊鶯;;碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光工藝[A];中國(guó)晶體學(xué)會(huì)第四屆全國(guó)會(huì)員代表大會(huì)暨學(xué)術(shù)會(huì)議學(xué)術(shù)論文摘要集[C];2008年

6 徐進(jìn);雒建斌;路新春;潘國(guó)順;;硅片化學(xué)機(jī)械拋光碰撞去除機(jī)理研究[A];人才、創(chuàng)新與老工業(yè)基地的振興——2004年中國(guó)機(jī)械工程學(xué)會(huì)年會(huì)論文集[C];2004年

7 王永光;白靜;趙永武;顧堅(jiān);;化學(xué)機(jī)械拋光的三體微觀接觸模型[A];2006全國(guó)摩擦學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（一）[C];2006年

8 趙雪松;;脈沖電化學(xué)機(jī)械拋光工具設(shè)計(jì)及其應(yīng)用[A];第十屆全國(guó)特種加工學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2003年

9 方亮;趙蓉;任小艷;雷紅;陳入領(lǐng);;無磨�；瘜W(xué)機(jī)械拋光的研究進(jìn)展[A];第十一屆全國(guó)摩擦學(xué)大會(huì)論文集[C];2013年

10 張偉;路新春;劉宇宏;雒建斌;;氨基乙酸-H_2O_2體系拋光液中銅的化學(xué)機(jī)械拋光研究[A];第八屆全國(guó)摩擦學(xué)大會(huì)論文集[C];2007年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前1條

1 通訊員 劉靜;我市又一國(guó)際合作項(xiàng)目順利通過科技部驗(yàn)收[N];廊坊日?qǐng)?bào);2012年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 邊燕飛;銅與釕電化學(xué)機(jī)械拋光及其特性的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2014年

2 王彩玲;300mm硅片化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備及其關(guān)鍵技術(shù)研究[D];大連理工大學(xué);2010年

3 陳曉春;化學(xué)機(jī)械拋光試驗(yàn)及其材料去除機(jī)理的研究[D];江南大學(xué);2014年

4 劉敬遠(yuǎn);硅片化學(xué)機(jī)械拋光加工區(qū)域中拋光液動(dòng)壓和溫度研究[D];大連理工大學(xué);2009年

5 宋曉嵐;納米SiO_2漿料中半導(dǎo)體硅片的化學(xué)機(jī)械拋光及其應(yīng)用研究[D];中南大學(xué);2008年

6 曾旭;新型銅互連擴(kuò)散阻擋層釕、釕鉭合金、鉬基薄膜的化學(xué)機(jī)械拋光性能研究[D];復(fù)旦大學(xué);2013年

7 孫禹輝;硅片化學(xué)機(jī)械拋光中材料去除非均勻性研究[D];大連理工大學(xué);2011年

8 蔣建忠;芯片化學(xué)機(jī)械拋光過程中材料吸附去除機(jī)理的研究[D];江南大學(xué);2009年

9 余劍峰;新型化學(xué)機(jī)械拋光墊和拋光液的研究[D];華南理工大學(xué);2010年

10 徐馳;基于摩擦力在線測(cè)量的化學(xué)機(jī)械拋光終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)研究[D];大連理工大學(xué);2011年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 劉金泉;化學(xué)機(jī)械拋光中溫度場(chǎng)的計(jì)算[D];北京交通大學(xué);2007年

2 連軍;超大規(guī)模集成電路二氧化硅介質(zhì)層的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2002年

3 俞棟梁;銅化學(xué)機(jī)械拋光工藝的拋光液研究[D];上海交通大學(xué);2007年

4 章建群;非接觸化學(xué)機(jī)械拋光的材料去除機(jī)理研究[D];北京交通大學(xué);2008年

5 楊大林;鎂合金化學(xué)機(jī)械拋光及材料去除機(jī)理研究[D];江南大學(xué);2015年

6 劉立威;超大規(guī)模集成電路二氧化硅介質(zhì)化學(xué)機(jī)械拋光研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2000年

7 杜志友;關(guān)于銅互連化學(xué)機(jī)械拋光液的技術(shù)研究[D];上海交通大學(xué);2010年

8 劉杰;超大規(guī)模集成電路中鎢插塞的化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)理[D];天津大學(xué);2012年

9 李樹榮;藍(lán)寶石晶片化學(xué)機(jī)械拋光液的研制[D];大連理工大學(xué);2008年

10 王U，

本文編號(hào)：2408400