【摘要】：以Cu/SAC305/Cu為研究對(duì)象,研究溫度對(duì)電遷移過(guò)程中界面金屬間化合物(IMC)生長(zhǎng)及Cu焊盤消耗的影響。試驗(yàn)過(guò)程中加載的電流密度為0.76×104 A/cm2,試驗(yàn)溫度分別為100、140、160和180°C。分別建立焊點(diǎn)陰極Cu焊盤消耗及陽(yáng)極界面IMC厚度的本構(gòu)方程。在電遷移過(guò)程中,焊點(diǎn)陰極Cu焊盤消耗量與加載時(shí)間呈線性關(guān)系,Cu焊盤消耗速率與試樣溫度呈拋物線關(guān)系。陽(yáng)極界面IMC厚度與加載時(shí)間的平方根呈線性關(guān)系,且界面IMC的生長(zhǎng)速率與試樣溫度呈拋物線關(guān)系。在電遷移過(guò)程中,陽(yáng)極界面IMC生長(zhǎng)與陰極Cu焊盤消耗有不同的變化規(guī)律,這是由于電流作用下焊點(diǎn)體釬料內(nèi)形成了大量的IMC。
[Abstract]:The effect of temperature on the growth of intermetallic compound (IMC) and the consumption of Cu pad during electromigration was studied by Cu/SAC305/Cu. The loading current density is 0.76 脳 104A / cm ~ 2 and the test temperature is 100140160 擄C and 180 擄C, respectively. The constitutive equations of Cu pad consumption and IMC thickness at the anode interface were established respectively. During electromigration, the Cu pad consumption of solder joint cathode is linearly related to the loading time, and the consumption rate of Cu pad is parabola with the sample temperature. The thickness of IMC at the anode interface is linearly related to the square root of the loading time, and the growth rate of the interface IMC is parabola with the temperature of the sample. During electromigration, the growth of IMC at the anode interface is different from the consumption of the cathode Cu pad, which is due to the formation of a large number of IMC. in the solder under the action of current.
【作者單位】： 哈爾濱理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：Project(51174069)supported by the National Natural Science Foundation of China
【分類號(hào)】：TG457

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2283850