【摘要】：采用熔鹽脈沖電沉積法在純鈮表面制備出滲硅層。研究了脈沖頻率對滲硅層沉積速率、成分、厚度、組織及相結(jié)構(gòu)的影響,同時考察了滲硅層的高溫抗氧化性。結(jié)果表明,頻率對滲硅層成分無影響。隨頻率增大,滲硅層厚度和沉積速率均減小。頻率由500Hz增大到1000 Hz時,滲硅層晶粒變得細小致密;超過1000 Hz后,晶粒則變得粗大。滲硅層相結(jié)構(gòu)不受頻率影響,均由單相NbSi_2組成,并在(110)和(200)晶面上具有擇優(yōu)取向。NbSi_2滲層的存在使得純鈮的高溫抗氧化性能得以提高。
[Abstract]:The siliconized layer was prepared on the surface of pure niobium by molten salt pulse electrodeposition. The effects of pulse frequency on deposition rate, composition, thickness, microstructure and phase structure of siliconized layer were studied. The oxidation resistance of siliconized layer at high temperature was also investigated. The results show that the frequency has no effect on the composition of siliconized layer. The thickness and deposition rate of siliconized layer decrease with increasing frequency. When the frequency is increased from 500Hz to 1000 Hz, the grains of the siliconized layer become fine and compact, and when the frequency is higher than 1000 Hz, the grains become coarse. The phase structure of siliconized layer is not affected by frequency and is composed of single phase NbSi_2. The existence of preferred orientation. NbSII layer on (110) and (200) crystal planes can improve the oxidation resistance of pure niobium at high temperature.
【作者單位】： 華北理工大學冶金與能源學院現(xiàn)代冶金技術(shù)教育部重點實驗室;
【基金】：河北省自然科學基金(E2014209275)資助
【分類號】：TG174.4

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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本文編號：2187789