本文關(guān)鍵詞：鋁基碳化硅復(fù)合材料的超聲輔助磨削加工工藝研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

產(chǎn)品名稱：含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工
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價(jià)格：380元
聯(lián)系人：顏泉永
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'含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究一.本套《含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究》技術(shù)資料共三張光盤。包含一張pdf電子圖書光盤（里面有我們獨(dú)家聘請(qǐng)的相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)權(quán)威和技術(shù)專家專業(yè)編寫的5本相關(guān)電子技術(shù)書籍）及二張配套生產(chǎn)技術(shù)工藝光盤。聯(lián)系電話:15095686581。二.本套《含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究》全國(guó)范圍內(nèi)可貨到付款，默認(rèn)發(fā)順豐快遞。三.本套《含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究》資料包含的5本pdf電子圖書目錄及摘要如下：1.超細(xì)碳化硅微粉的制備及反應(yīng)燒結(jié)碳化硅性能的研究【簡(jiǎn)介】碳化硅(SiC)陶瓷具有高熔點(diǎn)、高硬度、耐磨損和強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn),是重要的高溫結(jié)構(gòu)材料之一。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅(RBSC)材料可以作為密封件、熱交換器件和噴嘴等材料。但是由于普通RBSC陶瓷的原料雜質(zhì)含量高、粒徑分布寬及成型工藝和燒結(jié)工藝的多樣化等,導(dǎo)致RBSC材料的性能不高。超細(xì)SiC微粉是一種化學(xué)組成均勻性好、粒徑分布窄、純度高且反應(yīng)活性高的化合物,因此本課題以形狀記憶法、原位凝固法和溶膠-凝膠法合成的超細(xì)SiC粉為原料,通過除雜及機(jī)械球磨超聲分散后制備了結(jié)構(gòu)均勻的RBSC坯體。對(duì)比了干壓成型、壓力注漿成型和原位凝固/干壓成型對(duì)陶瓷的素坯結(jié)構(gòu)和燒結(jié)體的力學(xué)性能的影響,分析了潤(rùn)滑劑和游離硅(fsi)對(duì)材料的影響,采用低溫?zé)Y(jié)工藝,獲得細(xì)晶RBSC陶瓷材料。主要包括以下幾項(xiàng)：(1)通過比較三種合成SiC粉體的方法,分別2.碳化硅薄膜的外延生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)表征及石墨烯的制備【簡(jiǎn)介】SiC作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有許多優(yōu)異特性,在半導(dǎo)體器件中有著廣泛的應(yīng)用。石墨烯作為一種新型的二維碳元素新材料,具有一系列優(yōu)良的電學(xué)特性,例如反常的量子霍爾效應(yīng)和高載流子遷移率等。這些優(yōu)異性質(zhì)使其成為當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。本論文利用固源分子束外延（SSMBE）技術(shù),在Si、Al2O3和SiC單晶襯底上外延生長(zhǎng)SiC薄膜及其同質(zhì)異構(gòu)量子阱結(jié)構(gòu)。利用MBE設(shè)備,采用高溫?zé)嵬嘶鸩⑤o助Si束流的方法,在SiC表面外延生長(zhǎng)石墨烯。利用同步輻射以及一些常規(guī)的分析測(cè)試方法對(duì)外延生長(zhǎng)的SiC薄膜和石墨烯進(jìn)行研究。主要的研究工作及結(jié)果如下:1 Si襯底上3C-SiC薄膜的外延生長(zhǎng)在Si襯底表面異質(zhì)外延生長(zhǎng)出高質(zhì)量的3C-SiC薄膜,系統(tǒng)研究了碳化、襯底溫度、Si/C束流比和預(yù)沉積Ge對(duì)Si襯底外延SiC薄膜的影響,并得到了相應(yīng)3.碳化硅微粉表面改性及其在磨具中的應(yīng)用【簡(jiǎn)介】碳化硅(SiC)微粉作為磨料或填料在陶瓷精磨磨具、樹脂拋光砂輪以及金剛石拋光砂輪等方面有著廣泛的應(yīng)用。由于它的優(yōu)異性能如硬度高，強(qiáng)度高，抗氧化和耐磨性能十分突出等，SiC微粉在耐火材料、工程陶瓷、結(jié)構(gòu)材料等非磨削用途方面的應(yīng)用也非常廣泛。目前，SiC已經(jīng)成為發(fā)展現(xiàn)代國(guó)防、現(xiàn)代工業(yè)和高新科技的主要原材料。 由于細(xì)粒度(10μm以細(xì))的SiC微粉表面能較大、易團(tuán)聚，不僅在陶瓷磨具的澆注成型工藝中分散性和流動(dòng)性達(dá)不到成型工藝性能要求，而且在樹脂拋光砂輪生產(chǎn)中與結(jié)合劑的相容性也較差，因此，易造成磨具的強(qiáng)度低、過早脫砂，拋光質(zhì)量和耐用度等使用性能達(dá)不到要求，嚴(yán)重影響了磨具制品的質(zhì)量。顯然，本課題的技術(shù)關(guān)鍵及難點(diǎn)在于制備分散穩(wěn)定且固相含量較高、黏度較低的SiC漿料，以解決陶瓷磨具成型工藝性能；改善SiC微粉的分散性以4.鋁基碳化硅復(fù)合材料的超聲輔助磨削加工工藝研究【簡(jiǎn)介】鋁基碳化硅復(fù)合材料是以鋁合金作為金屬基體,加入一定量的碳化硅顆粒,經(jīng)過一系列處理工藝,制備的特殊材料。鋁基碳化硅復(fù)合材料除了具有基體金屬或合金所具備的良好的抗沖擊性能、抗疲勞性能、導(dǎo)熱性能、導(dǎo)電性能和抗斷裂性能以外,還具有較高耐磨性能和較低熱膨脹系數(shù),同時(shí)強(qiáng)度、剛度都很高。鋁基碳化硅復(fù)合材料現(xiàn)在被廣泛應(yīng)用于在機(jī)械、汽車、航空航天、電子、光學(xué)等領(lǐng)域,成為應(yīng)用較為廣泛的新型材料。鋁基碳化硅復(fù)合材料由于其特殊的組成及物理性能,傳統(tǒng)切削加工中存在很多問題。傳統(tǒng)加工過程中,鋁合金基體局部熔化,生成積屑瘤,刀具磨損變鈍,造成粗糙度下降,難以獲得高質(zhì)量的加工表面,相應(yīng)的形位、尺寸公差也就很難保證。刀具磨損劇烈,導(dǎo)致加工成本高,同時(shí),加工時(shí)硬質(zhì)碳化硅顆粒會(huì)破碎、脫落,然后與切削液混合在一起,對(duì)機(jī)床造成極其不利的影響,降低機(jī)床壽5.大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究【簡(jiǎn)介】隨著空間光學(xué)技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)反射鏡材料已經(jīng)不能滿足空間光學(xué)系統(tǒng)的要求。碳化硅(SiC)材料以其較高的彈性模量,適中的密度,較小的熱膨脹系數(shù),較高的導(dǎo)熱系數(shù),耐熱沖擊性,高的比剛度和高度的尺寸穩(wěn)定性等一系列優(yōu)秀的物理性質(zhì),引起了各國(guó)航天科學(xué)工作者的廣泛關(guān)注。但是,由于碳化硅材料所具有高硬度、高彈性模量等性質(zhì),使碳化硅質(zhì)反射鏡的光學(xué)加工難度很大。掌握了碳化硅質(zhì)反射鏡的數(shù)控光學(xué)加工技術(shù)對(duì)于我國(guó)空間相機(jī)的制造具有重要意義。本文針對(duì)大口徑碳化硅反射鏡的數(shù)控光學(xué)加工中的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了深入的探討。1.加工設(shè)備簡(jiǎn)要介紹了實(shí)現(xiàn)碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控加工的設(shè)備——FSGJ-Ⅱ非球面數(shù)控加工中心,包括其加工控制原理、主要技術(shù)指標(biāo)、總體結(jié)構(gòu)、數(shù)控系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和與之配套的ASM1.0軟件主要功能等。2.數(shù)控研磨針對(duì)碳化硅反射鏡的研磨機(jī)理進(jìn)行了討四.本套技術(shù)資料包含的兩張相關(guān)技術(shù)配套光盤部分目錄如下：1 耐高溫多晶碳化硅纖維的制備方法2 新穎的碳化硅仿真晶片3 電沉積金碳化硅復(fù)合鍍層4 制取碳化硅的方法5 碳化硅中形成藍(lán)光發(fā)射二極管6 六方的碳化硅片晶和預(yù)型件以及制備和使用它們的方法7 制備碳化硅和保護(hù)底材的溶膠凝膠法8 碳化硅砂輪的制造方法9 碳/碳碳化硅復(fù)合材料的摩擦部件及其制造方法10 表面包敷與未包敷二氧化硅的碳化硅納米棒及制備方法11 碳化硅材質(zhì)熱處理用工具12 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法13 制造晶片用的碳化硅舟的切割制造方法14 一種蓄能發(fā)電兼顧生產(chǎn)碳化硅的發(fā)電系統(tǒng)15 含碳化硅顆粒、制造碳化硅質(zhì)燒結(jié)體的方法、碳化硅質(zhì)燒結(jié)體以及過濾器16 一種嵌有增韌物質(zhì)的碳化硅陶瓷17 含有多種特征形貌氧化鋁分散嵌入顆粒的碳化硅陶瓷18 一種含炭纖維以及片狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷19 一種含晶須、纖維以及棒狀嵌入顆粒的碳化硅陶瓷20 一種含碳化硅晶片以及片狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷21 一種含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷22 一種含炭纖維以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷23 一種含晶須、纖維以及片狀嵌入顆粒的碳化硅陶瓷24 一種含碳化硅晶須以及片狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷25 一種含碳化硅晶須以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷26 一種皮芯結(jié)構(gòu)微孔碳化硅纖維及其制備方法27 從硅片切割加工副產(chǎn)物中回收碳化硅的方法28 一種簡(jiǎn)單的碳/碳化硅復(fù)合材料制造方法29 短溝道碳化硅功率MOSFES及其制造方法30 一種含有碳化硅的遠(yuǎn)紅外涂料31 用于高擊穿電壓半導(dǎo)體器件的高阻碳化硅襯底32 制備核反應(yīng)堆用石墨表面抗氧化涂層材料碳化硅的方法33 碳化硅基陶瓷材料在腐蝕性環(huán)境中的應(yīng)用34 碳化硅過濾器及其制備方法35 含鋁連續(xù)碳化硅纖維的制備方法36 具有氧化層的碳化硅陶瓷部件37 碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗凈方法38 具有納米級(jí)碳化硅內(nèi)在物的耐火材料及其制造方法39 沉積碳化硅和陶瓷薄膜的方法40 應(yīng)變硅CMOS晶體管的原位摻雜硅鍺與碳化硅源漏極區(qū)41 用于檢測(cè)在半導(dǎo)體加工系統(tǒng)中的氟或鹵素物質(zhì)的涂鎳自立式碳化硅結(jié)構(gòu)及其制造和應(yīng)用方法42 一種含有伴生非晶態(tài)球狀結(jié)構(gòu)的碳化硅納米線及其制備方法43 碳化硅單晶及其蝕刻方法44 碳纖維增強(qiáng)多孔型常壓燒結(jié)碳化硅及其制備方法45 魚雷罐內(nèi)襯結(jié)構(gòu)和魚雷罐用鋁碳化硅碳磚、高鋁磚46 碳化硅氮化硼陶瓷復(fù)合材料47 魚雷罐用鋁碳化硅碳磚及魚雷罐內(nèi)襯結(jié)構(gòu)48 一種碳化硅陶瓷49 常壓燒結(jié)微孔碳化硅石墨自潤(rùn)滑密封環(huán)及其制造方法50 具有氧化層的碳化硅陶瓷部件51 高比表面的碳化硅基催化載體與過濾器52 煉鐵高爐用碳化硅耐磨陶瓷沖渣溝內(nèi)襯1.本套《含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究》技術(shù)資料共三張光盤。包含一張電子圖書光盤（里面有我們獨(dú)家聘請(qǐng)的相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)權(quán)威和技術(shù)專家專業(yè)編寫的5本相關(guān)電子技術(shù)書籍）及二張配套生產(chǎn)技術(shù)工藝光盤。2.本套《含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究》訂購聯(lián)系電話:150-9568-65813.凡購買本套《含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究》的用戶均可在二年內(nèi)免費(fèi)提供新增加的同類生產(chǎn)技術(shù)工藝相關(guān)內(nèi)容的更新服務(wù)，并根據(jù)您的需要免費(fèi)隨時(shí)發(fā)送給您，真誠(chéng)為您在本領(lǐng)域的研究在技術(shù)方面提供更多的幫助。4.本套《含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究》因?yàn)槠蓿懈嗟南嚓P(guān)內(nèi)容不能全部列出。但是我們給您所發(fā)送的三張技術(shù)光盤里則包含全部5本相關(guān)電子技術(shù)書籍資料及從1985年至今的更多最新相關(guān)科研成果,聯(lián)系電話:15095686581。5.本套《含有碳化硅技術(shù)+大口徑碳化硅質(zhì)反射鏡數(shù)控光學(xué)加工的研究》技術(shù)資料（共三張光盤），里面的技術(shù)項(xiàng)目，如果是化工、冶金、材料、醫(yī)藥類的則包括配方配比，制造工藝，質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和工藝流程等；如果是機(jī)械、設(shè)備、裝置類的資料則包括設(shè)計(jì)方案，設(shè)計(jì)原理，附帶有設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)原理圖紙和圖解說明，是企業(yè)和個(gè)人了解市場(chǎng)，開發(fā)新技術(shù)，生產(chǎn)新產(chǎn)品不可多得的參考資料。訂購電話:150-9568-6581'

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