鋯鉿及其合金單晶制備研究現(xiàn)狀與進(jìn)展
本文選題:鋯 + 鉿 ; 參考:《稀有金屬》2015年06期
【摘要】:鋯鉿及其合金單晶在實(shí)際應(yīng)用和理論研究中具有重要作用。主要綜述了鋯鉿及其合金單晶的研究現(xiàn)狀,介紹了固相生長(zhǎng)單晶的最新進(jìn)展。由于鋯鉿存在固態(tài)相變,區(qū)域熔煉生長(zhǎng)鋯鉿金屬單晶變得困難,單晶質(zhì)量不高,而固相生長(zhǎng)單晶具有污染少、質(zhì)量好、適合生長(zhǎng)特殊形狀及合金單晶等優(yōu)勢(shì),成為生長(zhǎng)鋯鉿及其合金單晶的常用方法。常見的固相生長(zhǎng)單晶的方法主要包括應(yīng)變退火法、循環(huán)加熱相變法和定向退火法。應(yīng)變退火法所需設(shè)備簡(jiǎn)單、操作容易,單晶質(zhì)量完好;循環(huán)加熱相變法不需要施加額外塑性變形,特別適合生長(zhǎng)一些特殊復(fù)雜形狀的單晶;定向退火法可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體取向的控制。然而固相生長(zhǎng)單晶也存在單晶尺寸小、生長(zhǎng)時(shí)間長(zhǎng)、生長(zhǎng)過程難以控制等缺點(diǎn),對(duì)此,人們改進(jìn)了生長(zhǎng)工藝,提出了電子束等溫退火和動(dòng)態(tài)異常晶粒生長(zhǎng)等新方法,并研究了單晶生長(zhǎng)的機(jī)制,為高效快速生長(zhǎng)大尺寸高質(zhì)量的鋯鉿及其合金單晶提供了借鑒。
[Abstract]:Zirconium and hafnium single crystals play an important role in practical application and theoretical study. The research status of zirconium and hafnium single crystals and their alloys are reviewed in this paper. Because of the solid phase transition of zirconium and hafnium, it is difficult to grow zirconium and hafnium single crystal by region melting, and the mass of single crystal is not high. It is a common method to grow zirconium and hafnium single crystal and its alloy. The common methods of solid phase growth include strain annealing, cyclic heating, and directional annealing. The strain annealing method has the advantages of simple equipment, easy operation and good single crystal quality, and the cyclic heating phase variation method does not need extra plastic deformation and is especially suitable for growing some special complex single crystals. The directional annealing method can control the orientation of crystal. However, the solid-state growth of single crystals also has the disadvantages of small size, long growth time and difficult to control the growth process. Therefore, the growth process has been improved and new methods such as electron beam isothermal annealing and dynamic abnormal grain growth have been proposed. The growth mechanism of zirconium and hafnium and its alloy were studied, which provided a reference for the rapid growth of zirconium and hafnium with large size and high quality.
【作者單位】: 北京有色金屬研究總院礦物資源與冶金材料研究所;北京科技大學(xué)鋼鐵冶金新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家科技部中俄國(guó)際合作專項(xiàng)項(xiàng)目(2010DFR50800) 國(guó)家科技部科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目(2012BAB10B10)資助
【分類號(hào)】:TG294;TG166
【參考文獻(xiàn)】
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1 王紅;張軍;崔春娟;劉林;傅恒志;;難熔金屬單晶的電子束懸浮區(qū)熔定向凝固[J];材料工程;2008年02期
2 胡忠武;李中奎;張清;張廷杰;張軍良;殷濤;;難熔金屬及其合金單晶的發(fā)展[J];稀有金屬材料與工程;2007年02期
3 孫體忠,葛慶麟,陳源;Fe和Fe-Ti稀固溶體合金的晶體生長(zhǎng)[J];金屬學(xué)報(bào);1985年01期
【共引文獻(xiàn)】
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2 楊治立;陳登明;廖道瀚;;鋁鎳鈷定向凝固過程的模擬研究[J];材料工程;2009年01期
3 胡忠武;李中奎;張清;張廷杰;張軍良;殷濤;;Mo-3Nb合金單晶的蠕變性能[J];稀有金屬材料與工程;2007年12期
4 穆潔塵;姜龍貴;張麗鵬;;固態(tài)氧化物熔鹽電解的研究進(jìn)展[J];甘肅冶金;2011年06期
5 殷濤;李中奎;胡忠武;郭林江;王峰;崔順;;電子束單晶爐放電問題分析及解決辦法[J];裝備制造技術(shù);2012年10期
6 殷濤;李中奎;胡忠武;郭林江;;電子束熔煉Mo合金提純效果分析[J];裝備制造技術(shù);2013年01期
7 馬運(yùn)柱;劉業(yè);劉文勝;龍路平;;電子束端面熔煉法制備高純鎢的研究[J];材料科學(xué)與工藝;2014年01期
8 胡忠武;張文;殷濤;李來平;郭林江;任廣鵬;鄭欣;張平祥;李中奎;鄭劍平;;若干難熔金屬提純的新技術(shù)[J];稀有金屬材料與工程;2014年10期
9 劉文勝;龍路平;馬運(yùn)柱;劉業(yè);劉書華;;電子束熔煉提純鎢中雜質(zhì)脫除靜態(tài)動(dòng)力學(xué)研究[J];稀有金屬材料與工程;2015年01期
10 田麗森;尹延西;胡志方;李忠岐;王力軍;;高純金屬鉿制備技術(shù)研究進(jìn)展[J];礦冶;2014年02期
【二級(jí)參考文獻(xiàn)】
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1 唐敦湘;大尺寸定向面鉬單晶研究[J];稀有金屬材料與工程;1985年01期
2 張清;李中奎;鄭玉柱;張軍良;胡忠武;張廷杰;殷濤;丁學(xué)峰;丁旭;;大尺寸鉬-鈮合金單晶的研制[J];稀有金屬材料與工程;2005年12期
3 葛啟錄,肖振聲,韓歡慶;高性能難熔材料在尖端領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展趨勢(shì)[J];粉末冶金工業(yè);2000年01期
4 胡德昌,胡濱;航天航空用新材料──難熔金屬及其合金[J];航天工藝;1996年03期
5 葛慶麟,施天生,陳廷國(guó),陳源,吳自良;Fe-Ti-N合金α相區(qū)淬火的S-I交互內(nèi)耗峰[J];金屬學(xué)報(bào);1982年03期
6 胡小鋒;許茜;;CaCl_2-NaCl熔鹽電脫氧法制備金屬Ta[J];金屬學(xué)報(bào);2006年03期
7 羅新文;羅方承;;鋯鉿材料的性質(zhì)、應(yīng)用、生產(chǎn)技術(shù)與發(fā)展前景[J];江西冶金;2009年04期
8 陶正興;難熔金屬領(lǐng)域的若干重要進(jìn)展與動(dòng)向(上)[J];上海鋼研;1995年02期
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2 G.Ganton;徐有光;;若干稀土三氟化物的單晶生長(zhǎng)[J];稀土與鈮;1979年01期
3 張國(guó)棟;翟慎秋;崔紅衛(wèi);劉俊成;;半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)過程中的位錯(cuò)研究[J];人工晶體學(xué)報(bào);2007年02期
4 敬成君;高輝;賈琛霞;XZ田隆夫;;單晶生長(zhǎng)爐全局熱分析(1)——三維模型建立[J];工程熱物理學(xué)報(bào);2008年02期
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6 陳之戰(zhàn),施爾畏,肖兵,莊擊勇;原料對(duì)碳化硅單晶生長(zhǎng)的影響[J];無機(jī)材料學(xué)報(bào);2003年04期
7 張偉,朱世富,趙北君,張建軍,劉敏文,李一春;硫鎵銀單晶生長(zhǎng)新方法探索[J];人工晶體學(xué)報(bào);2005年03期
8 劉洪;;區(qū)熔單晶生長(zhǎng)過程中高頻線圈形變的原因分析及理論計(jì)算[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2012年10期
9 彭同華;劉春俊;王波;王錫銘;郭鈺;趙寧;李龍遠(yuǎn);劉宇;黃青松;賈玉萍;王剛;郭麗偉;陳小龍;;寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅單晶生長(zhǎng)和物性研究進(jìn)展[J];人工晶體學(xué)報(bào);2012年S1期
10 李德宇,劉建成,唐元汾,張綬慶,陳補(bǔ)云,朱福生;寶石單晶生長(zhǎng)取向與脆性關(guān)系的研究[J];硅酸鹽學(xué)報(bào);1983年03期
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2 毛開禮;王英民;徐偉;李斌;周立平;王利忠;侯曉蕊;;3英寸半絕緣4H-SiC單晶生長(zhǎng)晶型控制技術(shù)研究?[A];第十六屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集-11藍(lán)寶石及襯底材料[C];2012年
3 王超;張義門;張玉明;郝建民;王悅湖;;釩摻雜半絕緣6H-SiC單晶生長(zhǎng)及特性研究[A];第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年
4 臧競(jìng)存;謝麗艷;李曉;郭凱;劉國(guó)慶;鄒玉林;呂超;;雙摻餌鐿鎢酸鋇單晶生長(zhǎng)及寬帶上轉(zhuǎn)換發(fā)光[A];第14屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2006年
5 王冬;安立佳;石彤非;;相場(chǎng)方法模擬單晶生長(zhǎng)過程的研究[A];2007年全國(guó)高分子學(xué)術(shù)論文報(bào)告會(huì)論文摘要集(上冊(cè))[C];2007年
6 王文軍;王軍;左思斌;陳小龍;;AlN單晶生長(zhǎng)[A];第十六屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集-11藍(lán)寶石及襯底材料[C];2012年
7 何知宇;朱世富;趙北君;陳寶軍;李佳偉;;CdGeAs_2多晶合成與單晶生長(zhǎng)研究[A];第15屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2009年
8 趙祥永;張欽輝;孫仁兵;林迪;羅豪u&;;高質(zhì)量NBT-BT無鉛壓電單晶生長(zhǎng)及性能研究[A];第15屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2009年
9 王文軍;左思斌;鮑慧強(qiáng);王剛;王軍;陳小龍;;物理氣相傳輸法AlN單晶生長(zhǎng)[A];第15屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2009年
10 雷勇波;趙北君;朱世富;陳寶軍;譚波;吳小娟;黃毅;;AgGaS_2單晶生長(zhǎng)石英安瓿鍍碳研究[A];第14屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2006年
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2 鐘晉;我國(guó)在碳化硅單晶生長(zhǎng)方面取得重大進(jìn)展[N];中國(guó)有色金屬報(bào);2003年
3 證券時(shí)報(bào)記者 鄺龍;國(guó)風(fēng)塑業(yè)斥資8320萬進(jìn)入藍(lán)寶石產(chǎn)業(yè)鏈[N];證券時(shí)報(bào);2014年
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3 范誠(chéng);磁阻挫材料RMnO_3和Dy_2Ti_2O_7的單晶生長(zhǎng)與低溫物性[D];中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué);2013年
4 王愛峰;含堿金屬鐵基超導(dǎo)體的單晶生長(zhǎng)及其相關(guān)物性研究[D];中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué);2014年
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2 徐方;新型激光介質(zhì)的單晶生長(zhǎng)與光譜性質(zhì)[D];寧波大學(xué);2009年
3 彭滋晟;拓?fù)浣^緣化摻雜Bi_2Se_3的電熱輸運(yùn)特性及其單晶生長(zhǎng)工藝研究[D];武漢理工大學(xué);2011年
4 李斌;SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備加熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)及其仿真[D];西安電子科技大學(xué);2012年
5 李洪源;Φ200 mm太陽能級(jí)CZSi單晶生長(zhǎng)速率的數(shù)值模擬研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2008年
6 高德友;碲鋅鎘單晶體的生長(zhǎng)及其性能測(cè)定[D];四川大學(xué);2003年
7 張明;硒化鎵晶體的生長(zhǎng)及電子結(jié)構(gòu)研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2012年
8 李洪秀;機(jī)器視覺在直拉法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)中的應(yīng)用研究[D];西安工業(yè)大學(xué);2014年
,本文編號(hào):1958217
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