銅表面化學氣相沉積石墨烯的研究進展:生長行為與控制制備.pdf
本文關鍵詞:銅表面化學氣相沉積石墨烯的研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
2012 年 第 57 卷 第 23 期:2158 ~ 2163
《 中國科學 》 雜志社
評 述 SCIENCE CHINA PRESS
銅表面化學氣相沉積石墨烯的研究進展: 生長行為與
控制制備
①* ①* ② ② ①
馬來鵬 , 任文才 , 董再勵 , 劉連慶 , 成會明
① 中國科 學院金 屬研究所 沈陽材 料科學國 家聯合實驗室, 沈陽 110016;
② 中國科 學院沈 陽自動化 研究所, 機器人學 國家 重點實驗 室, 沈陽 110016
* 聯系人, E-mail: [email protected]://max.book118.com; [email protected]://max.book118.com
2011-12-27 收稿, 2012-03-16 接受
國家自然 科學基 金青年科 學基金51102241和機器 人學國家 重點實 驗室開放 課題RLO201012資助
摘要 以銅作為基體的化學氣相沉積法CVD 是近年來發(fā)展起來的制備石墨烯的新方法, 具有 關鍵詞
石墨烯
產物質量 高、層數均一 等優(yōu)點, 已成為制備大面積 、單層石墨烯 的主要方法. 本文圍繞銅表面
控制生長CVD 控制生 長石墨烯, 結 合對石墨 烯的 結構和生 長行 為的初步 認識, 介紹了質 量 提高、 層數控
化學氣相沉積
制 以及無 轉移生 長等控 制制備 方面的 最新研 究進展, 并展 望了該 方法制 備石墨 烯的可 能發(fā) 展
銅基體
方向, 包括大 尺寸石墨 烯單 晶以及不 同堆 垛方式的 雙層 石墨烯的 控制 生長等作為新型的二維晶體材料, 石墨烯具有高的載 高質量少層 和多層石墨 烯的制備方 法. 此外, 如何實
流 子遷移 率和 導熱率、 高透 光性和 良好 的化學 穩(wěn)定 性 現大面積、 高質量石墨烯的無轉移生長也是目前 CVD
等, 在電子 器件 、透 明電極 材料 、儲 能 材 料 、功能 復 石墨烯應用 面臨的重要 挑戰(zhàn). 針對上 述關鍵問題, 各
[1,2]
合材料等眾多領域具有廣闊的應用前景在各 種 國 學者開 展了 廣泛的 研究, 在表征 石墨 烯的結 構、
本文關鍵詞:銅表面化學氣相沉積石墨烯的研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
,本文編號:195580
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