發(fā)布時間：2018-05-08 11:23

  本文選題：化學(xué)機(jī)械研磨 + 研磨液�。� 參考：《表面技術(shù)》2015年04期

【摘要】：目的提高Si C單晶片的材料去除率,改善加工后的表面質(zhì)量。方法進(jìn)行研磨液試驗(yàn),利用極差法得到研磨液的最優(yōu)配比和研磨液成分中影響去除率的主次因素順序;對主要影響因素進(jìn)行單因素試驗(yàn)并考察對材料去除率的影響。結(jié)果研磨液的質(zhì)量為50 g,最優(yōu)配方為:助研劑、分散劑、增稠劑、潤滑劑、磨料A、磨料B的質(zhì)量分別為9,7,5,3,3,5 g,其余為調(diào)和劑,磨料A和磨料B的粒度均為W28。結(jié)論影響材料去除率的主要因素為磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。
[Abstract]:Objective to improve the material removal rate and surface quality of sic single crystal wafer. Methods Grinding fluid test was carried out, the optimum ratio of lapping fluid and the order of primary and secondary factors affecting the removal rate were obtained by using the range method, and the single factor test was carried out on the main influencing factors and the influence on the material removal rate was investigated. Results the quality of grinding fluid was 50 g. The optimum formula was as follows: grinding aid, dispersant, thickener, lubricant, abrasive A and abrasive B, respectively, the quality of grinding fluid was 9 / 7 / 5 / 3 / 3 / 3 / 5 g, and the rest was a mixture, and the particle size of abrasive A and B were both W28. Conclusion the main factor affecting the material removal rate is the abrasive particle size, the larger the particle size, the higher the material removal rate.
【作者單位】： 西南石油大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;河南科技學(xué)院機(jī)電學(xué)院;吉安職業(yè)技術(shù)學(xué)院機(jī)電工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51075125)~~
【分類號】：TG580.68

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：1861193