本文選題：ZnO薄膜　切入點：中頻磁控濺射　出處：《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》2015年05期

【摘要】：采用中頻磁控濺射法在玻璃基體上制備Al摻雜ZnO薄膜(AZO),分別利用掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射儀(XRD)、分光光度計及霍爾測試系統(tǒng)研究不同沉積條件如樣品臺轉(zhuǎn)速和靶-基距離對薄膜光學(xué)、電學(xué)、微觀形貌及晶體結(jié)構(gòu)的影響。XRD結(jié)果表明,所有AZO薄膜都呈c軸擇優(yōu)取向,薄膜的結(jié)晶度隨著樣品臺轉(zhuǎn)速的增大而降低,且晶粒呈非平衡狀態(tài)生長。而在不同的靶-基距離時,薄膜具有相似的微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌。當(dāng)樣品臺轉(zhuǎn)速為0、靶-基距離為7 cm時,AZO薄膜的光電性能最好,載流子濃度和霍爾遷移率分別為5.9×1020 cm-3和13.1 cm2/(V·s)。研究結(jié)果表明,樣品臺轉(zhuǎn)速是影響AZO膜的結(jié)構(gòu)和性能的主要因素。
[Abstract]:Al - doped ZnO films were prepared on glass substrates by medium - frequency magnetron sputtering . The effects of different deposition conditions such as rotational speed and target - base distance on the optical , electrical , micro - morphology and crystal structure were studied by scanning electron microscopy ( SEM ) , atomic force microscopy ( AFM ) , X - ray diffraction ( XRD ) , spectrophotometer and Hall test system .

【作者單位】： 廣東省現(xiàn)代表面工程技術(shù)重點實驗室;廣州有色金屬研究院新材料研究所;
【基金】：Project(51302044)supported by the National Natural Science Foundation of China Project(2012M521596)supported by the Chinese Postdoctoral Science Foundation Project(KLB11003)supported by the Key Laboratory of Clean Energy Materials of Guangdong Higher Education Institute,China
【分類號】：TG178

【參考文獻(xiàn)】

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1 Jin-Hyun SHIN;Dong-Kyun SHIN;Hee-Young LEE;Jai-Yeoul LEE;;Properties of multilayer gallium and aluminum doped ZnO(GZO/AZO) transparent thin films deposited by pulsed laser deposition process[J];Transactions of Nonferrous Metals Society of China;2011年S1期

2 周繼承;李莉;;濺射氣壓對ZnO透明導(dǎo)電薄膜光電性能的影響[J];中國有色金屬學(xué)報;2009年07期

3 趙聯(lián)波;劉芳洋;鄒忠;張治安;歐陽紫靛;賴延清;李R，

本文編號：1725705