本文選題：電子封裝　切入點(diǎn)：互連焊點(diǎn)　出處：《中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào)》2015年08期

【摘要】：電子產(chǎn)品的日益發(fā)展要求更高的封裝密度、更好的性能和更小的尺寸,使得電子器件所承載的功率密度顯著升高,由此產(chǎn)生嚴(yán)重的焦耳熱問(wèn)題,導(dǎo)致作為主要散熱通道的微互連焊點(diǎn)內(nèi)將產(chǎn)生較高的溫度梯度,這將誘發(fā)金屬原子的熱遷移,并引起嚴(yán)重的可靠性問(wèn)題。對(duì)近年來(lái)有關(guān)Sn-Pb、Sn-Ag、Sn-Ag-Cu、Sn-Bi和Sn-Zn等微互連焊點(diǎn)中金屬原子的熱遷移行為和關(guān)鍵問(wèn)題進(jìn)行綜合分析,總結(jié)熱遷移對(duì)微互連界面反應(yīng)的影響,闡述金屬原子熱遷移的機(jī)理和驅(qū)動(dòng)力,并歸納傳遞熱Q*的計(jì)算方法及微互連焊點(diǎn)中主要金屬元素的Q*值。最后,指出微互連焊點(diǎn)熱遷移研究存在的主要問(wèn)題,并對(duì)其未來(lái)研究發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。
[Abstract]:The increasing development of electronic products requires higher packaging density, better performance and smaller dimensions, which makes the power density of electronic devices significantly increase, thus causing a serious Joule heat problem.This will lead to a higher temperature gradient in the solder joint of microinterconnection which is the main heat dissipation channel which will induce the thermal transfer of metal atoms and cause serious reliability problems.The heat transfer behavior and key problems of metal atoms in Sn-PbSn-Sn-Ag-Cun-Bi and Sn-Zn micro-interconnect solder joints in recent years are comprehensively analyzed. The influence of heat transfer on the interfacial reaction of microinterconnection is summarized, and the mechanism and driving force of metal atom thermal migration are expounded.The calculation method of transfer heat Q * and the Q * value of the main metal elements in the micro interconnect solder joint are also summarized.Finally, the main problems in the study of thermal transport of micro-interconnect solder joints are pointed out, and the development trend of the research in the future is prospected.
【作者單位】： 大連理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51301030) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金項(xiàng)目(DUT14QY45)
【分類號(hào)】：TG40

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1706015