本文選題：電磁帶隙　切入點：基板缺陷　出處：《半導(dǎo)體光電》2015年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：提出了一種通過濕法腐蝕實現(xiàn)的基板缺陷共面波導(dǎo)電磁帶隙結(jié)構(gòu),并進(jìn)行了建模仿真、加工和測試。重點研究了基板缺陷結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)金屬缺陷結(jié)構(gòu)的差異,以及采用濕法腐蝕工藝的優(yōu)勢。實驗結(jié)果顯示:新結(jié)構(gòu)具有明顯的電磁帶隙特性;與干法刻蝕工藝相比,采用濕法腐蝕工藝加工可以獲得更寬的阻帶范圍和更強(qiáng)的阻帶抑制。該結(jié)構(gòu)完整保留了50Ω共面波導(dǎo)的信號線和接地板金屬,可以與傳統(tǒng)的金屬缺陷結(jié)構(gòu)結(jié)合,以獲得性能更好的器件。
[Abstract]:A coplanar wave conductive tape gap structure of substrate defects realized by wet etching is proposed, and its modeling, simulation, machining and testing are carried out. The difference between substrate defect structure and traditional metal defect structure is studied emphatically. The experimental results show that the new structure has obvious electromagnetic band gap characteristics, and compared with the dry etching process, the new structure has the advantages of wet etching. A wider stopband range and stronger stopband suppression can be obtained by wet etching process. The structure preserves the signal line of 50 惟 coplanar waveguide and the floor metal completely, and can be combined with the traditional metal defect structure. To get better performance devices.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;
【基金】：上海市科委基礎(chǔ)研究重點項目(14JC1407500)
【分類號】：TG111.2;O734

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本文編號：1651400