本文關(guān)鍵詞： 金剛石涂層 黏結(jié)相Co元素 膜基結(jié)合強度 第一性原理　出處：《物理學報》2015年21期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用基于密度泛函理論的第一性原理平面波贗勢方法,研究了硬質(zhì)合金刀具基底黏結(jié)相Co元素對金剛石涂層膜基界面結(jié)合強度的影響機理.借助Materials Studio軟件建立了WC/Diamond膜基界面模型和WC-Co/Diamond膜基界面模型,采用CASTEP仿真軟件計算了WC/Diamond膜基界面模型和WC-Co/Diamond膜基界面模型的最優(yōu)穩(wěn)定結(jié)構(gòu).通過仿真計算,獲得了WC/Diamond膜基界面模型和WC-Co/Diamond膜基界面模型的界面結(jié)合能、電荷密度圖及Mulliken重疊布居數(shù).經(jīng)對比分析后發(fā)現(xiàn),硬質(zhì)合金基底中磁性元素Co的存在能轉(zhuǎn)移金剛石涂層膜基界面處W元素及C元素的電荷,從而使膜基界面處的原子因失電荷而相斥,這直接導致了金剛石涂層膜基界面間距變大,使得金剛石涂層膜基界面結(jié)合能降低.
[Abstract]:By using the first principle pseudopotential plane wave method based on density functional theory of hard alloy tool substrate binding phase Co element binding mechanism on the intensity of diamond coating and substrate interface. By means of interface WC/Diamond film substrate interface model and WC-Co/ Diamond membrane Materials Studio software model is established, the optimal stable structure of WC/Diamond film substrate interface model WC-Co/Diamond and the film substrate interface model was calculated using CASTEP simulation software. By numerical simulation, obtained the WC/Diamond film substrate interface model and the WC-Co/Diamond model of the film substrate interface interface bonding energy, charge density map and Mulliken overlap population. By comparison analysis found that the magnetic elements of Co cemented carbide substrate in the presence of charge transfer diamond coating and substrate interface of W elements and C elements, which makes the interface membrane at the base of atoms due to the loss of charge repulsion, which directly guide The interface space between the diamond coating film base becomes larger and the interfacial bonding energy of the diamond coating film base is reduced.

【作者單位】： 同濟大學機械與能源工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(批準號:50605047,51275358)資助的課題~~
【分類號】：TG174.4

【參考文獻】

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