本文關(guān)鍵詞：碳化硅晶須增強(qiáng)Sn3.0Ag0.5Cu復(fù)合釬料的研究　出處：《華中科技大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

  更多相關(guān)文章： 復(fù)合釬料 顯微組織 潤濕性能 機(jī)械性能 金屬間化合物

【摘要】：通過往釬料基體中引入外來增強(qiáng)相來制備SAC復(fù)合釬料是一種有效改善釬料組織性能的方法,本文將作為增強(qiáng)相的SiC晶須(SiCw)通過機(jī)械混合法引入Sn-3.0Ag-0.5Cu(SAC305)無鉛焊膏中,成功制備了含有不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)SiC晶須的SAC-xSiCw(x=0,0.01,0.05和0.1 wt.%)無鉛復(fù)合釬料,研究了SiC晶須的添加對(duì)復(fù)合釬料的顯微組織、熔化溫度、潤濕性能、機(jī)械性能以及界面金屬間化合物(IMCs)生長的影響。研究表明,SiC晶須的添加促進(jìn)了復(fù)合釬料基體中金屬間化合物(IMCs)晶粒的細(xì)化,以及IMCs晶粒間距的減小;在沒有明顯改變復(fù)合釬料熔化溫度的情況下,SiC晶須的添加使SAC-xSiCw復(fù)合釬料的潤濕性能得到了改善,相對(duì)于SAC釬料SAC-xSiCw復(fù)合釬料/Cu基底的接觸角降低了11.5%;SiC晶須的添加促進(jìn)了SAC-xSiCw復(fù)合釬料顯微硬度和焊點(diǎn)剪切強(qiáng)度的提高,添加0.1 wt.%的SiC晶須后,相對(duì)于SAC釬料兩者分別提高了30.3%和11.2%;在SAC釬料中添加SiC晶須能夠起到抑制焊點(diǎn)在重熔、等溫時(shí)效過程中界面IMCs生長的作用;通過對(duì)焊點(diǎn)加載電流為6 A,電流密度為1.05×104 A/cm2的載荷研究了焊點(diǎn)在電遷移過程中的極性效應(yīng),結(jié)果表明添加SiC晶須使復(fù)合釬料焊點(diǎn)界面的極性效應(yīng)得到了改善。
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TG425

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