本文關(guān)鍵詞：納米結(jié)構(gòu)Al-1%Si合金塑性及流變穩(wěn)定性的改善研究

  更多相關(guān)文章： 納米結(jié)構(gòu)材料 第二相彌散顆粒 強(qiáng)度與塑性 應(yīng)變速率敏感性 加工硬化率

【摘要】：納米結(jié)構(gòu)Al及Al合金在提高強(qiáng)度的同時(shí),面臨塑性、流變穩(wěn)定性等綜合力學(xué)性能差的問(wèn)題,如何提高納米結(jié)構(gòu)材料的綜合力學(xué)性能,是材料學(xué)界面臨的主要挑戰(zhàn)之一。本項(xiàng)目選取含有第二相顆粒的Al-1%Si合金為研究對(duì)像,采用98%的冷軋變形制備出納米結(jié)構(gòu),然后利用改進(jìn)軋制工藝從而細(xì)化第二相顆粒、附加應(yīng)變等方法對(duì)材料的塑性和流變穩(wěn)定性進(jìn)行了改善,并運(yùn)用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)和電子背散射衍射(EBSD)等技術(shù)對(duì)改性過(guò)程中的微觀組織進(jìn)行了系統(tǒng)表征,同時(shí)研究了材料的應(yīng)變速率敏感性和加工硬化率,探討了材料塑性和流變穩(wěn)定性提高的機(jī)理。主要研究結(jié)果如下:①通過(guò)98%非均勻冷軋,制備出層狀界面間距為520nm的鋁硅合金材料,其第二相Si顆粒的平均直徑為41nm。這種納米結(jié)構(gòu)Al-1%Si材料的抗拉強(qiáng)度為153MPa,拉伸延伸率為7%。②通過(guò)改進(jìn)軋制工藝,同樣98%形變量的軋制,制備出了層狀界面間距為230nm的納米結(jié)構(gòu)Al-1%Si合金材料,其第二相Si顆粒的平均直徑降低為21nm,且分布更加彌散;材料的抗拉強(qiáng)度提高到253MPa,拉伸延伸率提高到16.5%,說(shuō)明控制軋制工藝和軋制條件細(xì)化Al-1%Si合金的組織和第二相顆粒尺寸,可以提高材料的強(qiáng)度和塑性。③對(duì)兩種軋制工藝制備的納米結(jié)構(gòu)Al-1%Si材料進(jìn)行低溫退火和附加應(yīng)變后發(fā)現(xiàn),附加應(yīng)變可以提高第二相較粗大的納米結(jié)構(gòu)Al-1%Si材料塑性,而不能提高第二相較多較細(xì)小的納米結(jié)構(gòu)Al-1%Si材料的塑性。④對(duì)納米結(jié)構(gòu)Al-1%Si合金材料的應(yīng)變速率敏感性和加工硬化率的研究表明,納米結(jié)構(gòu)Al-1%Si塑性和流變穩(wěn)定性的提高與應(yīng)變速率敏感性和加工硬化率的提高有關(guān)。
【學(xué)位授予單位】：重慶大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TG146.21;TG339

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 恩格爾哈德;趙捷;;硅酸鹽溶液的~(29)Si-核磁共振譜——單硅酸縮合的研究[J];核原料;1978年04期

2 胡少東;項(xiàng)利;賴朝彬;仇圣桃;賈彩霞;謝森林;;1.2%Si冷軋無(wú)取向電工鋼鑄坯高溫延塑性研究[J];鋼鐵釩鈦;2012年03期

3 刁玉強(qiáng),何巨龍,于棟利,田永君,李東春;Si對(duì)碳化硅纖維燒結(jié)性能的影響[J];長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械學(xué)院學(xué)報(bào);2000年01期

4 周明勝;魏雄飛;曾實(shí);;以SiHCl_3為工作介質(zhì)生產(chǎn)高豐度~(28)Si[J];清華大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2005年12期

5 程和法，陳其善，朱啟鑫;Si對(duì)鐵素體球鐵耐熱沖擊性能的影響[J];熱加工工藝;1994年03期

6 隋賢棟,羅承萍,歐陽(yáng)柳章,駱灼旋;鑄造SiC_p/Al-Si復(fù)合材料中的“界面Si”行為[J];中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào);1999年S1期

7 畢玉惠;陳斐;李君;張東明;張聯(lián)盟;;Si(NH)_2熱分解法制備Si_3N_4晶須的影響因素[J];武漢理工大學(xué)學(xué)報(bào);2007年02期

8 楊光榮;王向明;秦復(fù)光;;部分離化束法的Si—Si同質(zhì)結(jié)外延[J];儀表材料;1984年02期

9 ;S含量對(duì)3%Si鋼在α+γ雙相區(qū)高溫脆化的影響[J];金屬功能材料;2000年01期

10 董光明;廖恒成;孫國(guó)雄;;過(guò)共晶Al-Si合金中球團(tuán)狀初生Si的形成機(jī)理[J];特種鑄造及有色合金;2009年05期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 李夢(mèng)軻;王成偉;力虎林;;用模板法制備取向Si納米線陣列[A];2001年納米和表面科學(xué)與技術(shù)全國(guó)會(huì)議論文摘要集[C];2001年

2 石瑛;蔣昌忠;范湘軍;;Si_(1-x)Ge_x/Si表面合金結(jié)構(gòu)的掠入射X射線衍射(GIXRD)研究[A];湖北省物理學(xué)會(huì)、武漢物理學(xué)會(huì)成立70周年慶典暨2002年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

3 彭英才;傅廣生;韓理;竹內(nèi)耕平;稻毛信彌;宮崎誠(chéng)一;;Si納米量子點(diǎn)的自組織生長(zhǎng)及其光致發(fā)光特性[A];第九屆全國(guó)發(fā)光學(xué)術(shù)會(huì)議摘要集[C];2001年

4 石瑛;趙蓉;蔣昌忠;;Si_(1-x)Ge_x/Si表面合金結(jié)構(gòu)的掠入射X射線衍射(GIXRD)研究[A];第四屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2001年

5 陳克良;鄭平子;劉國(guó)興;鄭紀(jì)文;王素芳;白興平;于暹;張煥喬;許謹(jǐn)誠(chéng);劉祖華;阮明;呂俊;徐侃;;~(16)C+~(26)Si全熔合激發(fā)函數(shù)[A];第八屆全國(guó)核物理會(huì)議文摘集（下冊(cè)）[C];1991年

6 文振國(guó);賈彥忠;宋建成;;[Si]在高爐滴落帶遷移行為的實(shí)驗(yàn)研究[A];2004年全國(guó)煉鐵生產(chǎn)技術(shù)暨煉鐵年會(huì)文集[C];2004年

7 張軍星;張慶峰;劉世民;;Si納米晶表面結(jié)構(gòu)的第一性原理研究[A];2013全國(guó)玻璃科學(xué)技術(shù)年會(huì)論文集[C];2013年

8 沈浩元;;大面積Si(Li)探測(cè)器[A];第7屆全國(guó)核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（一）[C];1994年

9 常海龍;孫友梅;劉杰;侯明東;段敬來(lái);姚會(huì)軍;張苓;莫丹;;基于Si刻圖基底制備結(jié)構(gòu)化CsI陣列閃爍屏[A];第十屆全國(guó)固體核徑跡學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2009年

10 許鴻雁;鮑曉軍;王廷海;王永剛;;用于柴油深度加氫脫硫催化劑多孔Si層柱蒙脫土材料載體的制備和表征[A];第四屆全國(guó)環(huán)境催化與環(huán)境材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2005年

中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 本報(bào)記者　 倪洪章;銀行數(shù)據(jù)大集中 SI們面臨洗牌[N];計(jì)算機(jī)世界;2006年

2 謝濤;浙江鴻程：電信行業(yè)SI的老兵新傳[N];電腦商報(bào);2006年

3 小雨;SI如何實(shí)現(xiàn)軟件服務(wù)增值[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2002年

4 張林才;SonicWALL攜手神碼拓展SI渠道[N];電腦商報(bào);2007年

5 莎文;SI項(xiàng)目經(jīng)理：先培訓(xùn)后上崗[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2002年

6 CPW記者 于洪濤;首度渠道聚會(huì) 神州數(shù)碼網(wǎng)絡(luò)廣交SI[N];電腦商報(bào);2005年

7 ;松下的強(qiáng)化SI設(shè)想[N];中國(guó)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報(bào);2001年

8 梁亞杰;硬件行業(yè)采購(gòu)，SI轉(zhuǎn)型中的雞肋？[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2004年

9 張鳳岐;精英電腦：精威主板應(yīng)走SI渠道[N];電腦商報(bào);2007年

10 陳維義;Software、Solution、Service 3S是SI的核心競(jìng)爭(zhēng)力[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2002年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前7條

1 胡潔;La(Fe,Si)_(13)基磁制冷材料的腐蝕行為和磁性能研究[D];北京科技大學(xué);2015年

2 劉秀環(huán);半球形雙光子響應(yīng)GaAs探測(cè)器研究與Si探測(cè)器設(shè)計(jì)[D];吉林大學(xué);2007年

3 楊洋;甘藍(lán)SI決定因子的原核表達(dá)和相互作用研究以及SI相關(guān)基因的探討[D];西南大學(xué);2009年

4 王曉艷;應(yīng)變Si載流子遷移率研究[D];西安電子科技大學(xué);2012年

5 楊昆;甘藍(lán)柱頭SI關(guān)鍵元件編碼基因的克隆、定位與蛋白質(zhì)互作研究[D];西南大學(xué);2012年

6 李曉娜;半導(dǎo)體型β-FeSi_2和β-Fe(C,Si)_2薄膜的離子注入合成及薄膜的微觀影響因素[D];大連理工大學(xué);2002年

7 王新蘭;XH_n（X=N，P，，O和S）分子對(duì)Si（111）-7×7表面化學(xué)修飾的理論研究[D];廈門(mén)大學(xué);2008年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 周子淳;高密度Si納米線的固—液—固生長(zhǎng)及其光學(xué)性質(zhì)[D];河北大學(xué);2015年

2 苑雪麗;鑄造工藝和電磁場(chǎng)對(duì)A390鋁合金DC鑄造管材初生Si尺寸及分布的影響[D];東北大學(xué);2014年

3 章娜;應(yīng)變Si載流子散射機(jī)制及特性研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

4 陳松;SI甘藍(lán)親和授粉早期差異蛋白質(zhì)研究[D];西南大學(xué);2012年

5 龐金輝;硼對(duì)過(guò)共晶Al-Si合金中初晶Si細(xì)化作用的研究[D];鄭州大學(xué);2009年

6 秦姍;基于SI體系的可持續(xù)住宅理論研究與設(shè)計(jì)實(shí)踐[D];中國(guó)建筑設(shè)計(jì)研究院;2014年

7 范志東;Si納米線的固—液—固可控生長(zhǎng)及其形成機(jī)理分析[D];河北大學(xué);2010年

8 白振華;Si納米線的氣—液—固可控生長(zhǎng)與摻雜特性[D];河北大學(xué);2010年

9 李瑋聰;錳的硅化物納米線在Si（110）、（100）表面的外延生長(zhǎng)[D];上海交通大學(xué);2012年

10 趙送來(lái);竹林土壤—植物系統(tǒng)Si的生物地球化學(xué)循環(huán)研究[D];浙江農(nóng)林大學(xué);2012年

本文編號(hào)：1206952