本文關鍵詞：TiZrON鍍膜根管銼的組織與性能研究

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【摘要】：不銹鋼和鎳鈦合金是常用的根管治療器械材料。然而,在使用過程中鎳離子和鉻離子的溶解析出容易引起患者過敏,甚至可能致癌。避免鎳離子和鉻離子析出的有效方法之一是在根管銼表面附加一層防護性膜層。本研究運用多弧離子鍍方法對鎳鈦根管銼和不銹鋼根管銼表面鍍覆氮氧鈦鋯(Ti ZrON)薄膜。采用TiZr合金靶材并通過改變沉積偏壓,氧氣流量,氮氣流量等鍍膜工藝參數(shù)進行TiZrON膜層的沉積試驗。采用掃描電子顯微鏡及能譜分析進行TiZrON膜層表面成分和組織形貌的測定,采用X射線衍射儀測試分析了膜層的相組成,采用Parstat2273電化學測試系統(tǒng)完成了電化學腐蝕性能分析,采用模擬根管預備試驗比較了不同工藝下鍍膜根管銼的實際使用效果。研究結果表明,對于NiTi合金根管銼,在保持原始NiTi合金根管銼彈性性能的前提下,從耐磨性考慮,膜層中氧含量應該適中;從耐蝕性方面分析考慮,膜層中氧含量應該較低;兼顧耐蝕性和耐磨性,優(yōu)化的沉積工藝為負偏壓-100~-150 V,氧流量在13sccm,沉積時間不超過20分鐘,鍍膜期間溫度不超過230℃。對于不銹鋼根管銼,從耐磨性考慮,在-100V偏壓下,氧含量較低的TiZrON膜層鍍覆的根管銼表現(xiàn)出最佳的耐磨性,而在-150V偏壓下,氧含量適中的TiZrON膜層鍍覆的根管銼表現(xiàn)出最佳的耐磨性;同時,與其它沉積工藝的膜層相比,這兩種膜層也表現(xiàn)出更為良好的耐蝕性。綜上所述,通過選擇適合的多弧離子鍍沉積工藝和陰極弧源靶材,能夠在NiTi合金根管銼和不銹鋼根管銼表面制備出具有優(yōu)化耐磨、耐蝕性能的TiZrON膜層,從而起到對根管銼有效的防護作用。
【關鍵詞】：鈦鋯氧氮(TiZrON)膜層 多弧離子鍍 NiTi根管銼 不銹鋼根管銼
【學位授予單位】：沈陽大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TG174.4
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-10
• 第1章 緒論10-20
• 1.1 研究背景10-16
• 1.1.1 根管銼簡介10-15
• 1.1.2 根管銼表面改性概述15-16
• 1.2 多弧離子鍍技術概述16-18
• 1.3 研究意義與技術路線18-20
• 1.3.1 研究意義18-19
• 1.3.2 技術路線19-20
• 第2章 試驗材料及方法20-34
• 2.1 鍍膜設備與靶材選擇20-22
• 2.2 鍍膜基材的選取及預處理22-23
• 2.3 TiZrON膜層的沉積工藝分析23-26
• 2.3.1 負偏壓的影響23-24
• 2.3.2 陰極靶電流的影響24-25
• 2.3.3 反應氣體分壓的影響25
• 2.3.4 鍍膜溫度的影響25
• 2.3.5 沉積時間與轉(zhuǎn)動速率的影響25-26
• 2.4 TiZrON膜層沉積試驗工藝26-28
• 2.5 鍍覆TiZrON膜層根管銼的表面形貌、成分、相組成28-30
• 2.6 鍍膜根管銼耐腐蝕性試驗及分析30
• 2.7 鍍膜根管銼的模擬臨床試驗30-34
• 第3章 TiZrON膜層組織、成分及相組成34-48
• 3.1 NiTi根管挫表面鍍覆TiZrON膜層34-41
• 3.1.1 Ti ZrON膜層表面形貌34-36
• 3.1.2 TiZrON膜層表面成分36-39
• 3.1.3 膜層相組成分析39-41
• 3.2 不銹鋼根管挫表面鍍覆TiZrON膜層41-47
• 3.2.1 TiZrON膜層表面形貌41-42
• 3.2.2 TiZrON膜層表面成分42-45
• 3.2.3 膜層相組成分析45-47
• 3.3 小結47-48
• 第4章 TiZrON膜層耐蝕性試驗及分析48-60
• 4.1 鍍覆TiZrON膜層的NiTi根管挫耐蝕性52-54
• 4.1.1 膜層氧含量的影響52-53
• 4.1.2 偏壓和氧流量的影響53-54
• 4.2 鍍覆TiZrON膜層的不銹鋼根管銼耐蝕性54-56
• 4.2.1 氧含量的影響54-55
• 4.2.2 偏壓和氧流量的影響55-56
• 4.3 對比分析與討論56-59
• 4.3.1 NiTi根管銼鍍膜前后的耐蝕性對比56-57
• 4.3.2 不銹鋼根管銼鍍膜前后的耐蝕性對比57-58
• 4.3.3 鍍膜后的NiTi根管銼與不銹鋼根管銼的耐蝕性對比58-59
• 4.4 小結59-60
• 第5章 模擬根管預備對比試驗60-72
• 5.1 鍍覆TiZrON膜層的NiTi根管挫60-64
• 5.2 鍍覆TiZrON膜層的不銹鋼根管挫64-68
• 5.3 對比分析與討論68-70
• 5.4 小結70-72
• 第6章 結論72-74
• 參考文獻74-78
• 在學研究成果78-80
• 致謝80-81

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本文編號：1030717