電磁武器的迅猛發(fā)展以及武器系統(tǒng)的電子化智能化,導(dǎo)致現(xiàn)代軍事戰(zhàn)爭中戰(zhàn)場環(huán)境充斥著電磁干擾問題。本文以某機(jī)電引信為研究對(duì)象,通過對(duì)置于強(qiáng)電場下的彈體和引信的數(shù)值仿真,分析了強(qiáng)電磁場耦合規(guī)律以及進(jìn)入機(jī)電引信內(nèi)部的電場分布情況;仿真研究了典型半導(dǎo)體器件受脈沖電壓干擾的損傷機(jī)理;實(shí)驗(yàn)研究了模擬引信起爆控制電路抗強(qiáng)電場輻照干擾情況。具體工作內(nèi)容如下:基于某機(jī)電引信,分析了其工作原理,建立了彈體、引信以及引信內(nèi)部電路的簡化模型。利用仿真軟件HFSS進(jìn)行了引信材料、表面開孔、導(dǎo)線貫通等情況下的數(shù)值仿真,得到了引信屏蔽效能變化規(guī)律,以及引信腔內(nèi)電場強(qiáng)度分布情況,并對(duì)仿真結(jié)果進(jìn)行了分析。仿真結(jié)果表明,引信材料和表面開孔對(duì)引信屏蔽效能影響不大,而貫通導(dǎo)線會(huì)導(dǎo)致屏蔽效能下降,電磁能量大量耦合進(jìn)入引信內(nèi)部,導(dǎo)線周圍電場強(qiáng)度偏高。首先依據(jù)引信內(nèi)部的電場強(qiáng)度大小,計(jì)算了耦合到電路中的電壓。然后對(duì)二極管和NMOS管建立了二維仿真模型,對(duì)模型進(jìn)行了脈沖電壓注入仿真研究,分別從器件內(nèi)部電場強(qiáng)度、電流密度以及電子濃度等方面對(duì)其作用過程進(jìn)行了分析,得到了二極管和NMOS管在脈沖電壓作用下的損傷機(jī)理。仿真結(jié)果表明:施加反向脈沖電...

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２．１屏蔽效能示意圖??＇

??完整屏蔽體指的是一個(gè)完全封閉的屏蔽結(jié)構(gòu)，電磁波只有穿過屏蔽體一定厚度的外??壁才能出入該封閉結(jié)構(gòu)。下面以一塊無限大的連續(xù)金屬板為例介紹屏蔽原理，圖２．２表??達(dá)了電磁能量穿過金屬屏蔽體的衰減示意圖。??１３??

圖２．２電磁波穿透過屏蔽體的機(jī)理示意圖??電磁波穿過一定厚度的金屬材料等屏蔽體時(shí)，入射的電磁波需要經(jīng)過反射、吸收、??

電磁波穿過一定厚度的金屬材料等屏蔽體時(shí)，入射的電磁波需要經(jīng)過反射、吸收、??再反射等才能穿過屏蔽體外壁，場強(qiáng)因此會(huì)產(chǎn)生一定的衰減。衰減過程分為三部分，如??圖２．２所示，包括入射界面的反射以及屏蔽體內(nèi)部的吸收和反射。故屏蔽體內(nèi)外電磁能量??的總屏蔽效能ＳＥ由三個(gè)參數(shù)組成，包括左右....

圖３．４引信結(jié)構(gòu)近似模型示意圖??

（ａ）?（ｂ）??圖３．３彈體結(jié)構(gòu)及模型示意圖（ａ）彈體實(shí)物圖（ｂ）彈體近似模型??本文將復(fù)雜彈體結(jié)構(gòu)簡化成空心圓柱體、空心圓錐體和實(shí)心細(xì)長圓柱體的組合體模??型，以空心圓柱體和空心圓錐體近似模擬彈體，以實(shí)心細(xì)長圓柱體近似模擬彈體的開關(guān)??結(jié)構(gòu)。其主要結(jié)構(gòu)及建模如圖３．３所示。其....

圖３．３彈體結(jié)構(gòu)及模型示意圖（ａ）彈體實(shí)物圖（ｂ）彈體近似模型??

本文將復(fù)雜彈體結(jié)構(gòu)簡化成空心圓柱體、空心圓錐體和實(shí)心細(xì)長圓柱體的組合體模??型，以空心圓柱體和空心圓錐體近似模擬彈體，以實(shí)心細(xì)長圓柱體近似模擬彈體的開關(guān)??結(jié)構(gòu)。其主要結(jié)構(gòu)及建模如圖３．３所示。其中空心圓柱體的外直徑為Ｏ］２０ｍｍ，長度為??６４８ｍｍ，空心圓錐體的高為１６２ｍｍ....

本文編號(hào)：4027279