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電磁脈沖彈對(duì)電子目標(biāo)的毀傷效能評(píng)估

發(fā)布時(shí)間:2021-11-18 19:23
  利用定向輻射高功率電磁脈沖特點(diǎn)所研制的電磁脈沖彈對(duì)當(dāng)今高度電子化的軍事裝備構(gòu)成了潛在的致命性威脅,所以電磁脈沖彈逐漸受到各個(gè)國(guó)家的重視。但是目前國(guó)內(nèi)外學(xué)者主要著重研究電磁脈沖彈核心技術(shù)以及電子設(shè)備的防護(hù)措施,電磁脈沖彈對(duì)電子目標(biāo)的毀傷效能評(píng)估還很少被提及。為了對(duì)電磁脈沖作用下電子目標(biāo)的毀傷效能進(jìn)行評(píng)估,本文所做的工作內(nèi)容如下:首先,選取以黑索金(RDX)炸藥為激勵(lì)源、F-5型MFCG為爆炸磁通量壓縮發(fā)生器的電磁脈沖彈作為電磁脈沖源。根據(jù)國(guó)內(nèi)外電磁脈沖彈的發(fā)展現(xiàn)狀和相關(guān)的文獻(xiàn)資料,研究并分析了電磁脈沖彈對(duì)電子目標(biāo)的作用機(jī)理、電磁脈沖作用下的電子目標(biāo)易損性和電磁脈沖對(duì)電子目標(biāo)的毀傷途徑,并確定了電磁脈沖對(duì)電子目標(biāo)的毀傷判據(jù)。其次,根據(jù)分析選取并建立幾種典型電子設(shè)備中的構(gòu)件模型,包括典型X段天線、電子設(shè)備傳輸線及PIN二極管的物理幾何模型,在時(shí)域有限元方法建立的相關(guān)數(shù)學(xué)模型基礎(chǔ)上,通過FDTD等軟件對(duì)模型進(jìn)行仿真和數(shù)值模擬。通過研究不同場(chǎng)強(qiáng)及脈沖寬度下,電磁脈沖對(duì)目標(biāo)相應(yīng)毀傷參數(shù)的影響,得出了電子目標(biāo)的不同電參數(shù)與電磁脈沖相關(guān)參數(shù)的關(guān)系,并根據(jù)仿真數(shù)據(jù)擬合得到具體元器件在相應(yīng)距離的最大電磁脈... 

【文章來源】:中北大學(xué)山西省

【文章頁(yè)數(shù)】:78 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
abstract
1 緒論
    1.1 研究課題的背景及意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.1 電磁脈沖彈核心技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀
        1.2.2 電磁脈沖彈毀傷機(jī)理及評(píng)估發(fā)展現(xiàn)狀
    1.3 本文主要研究?jī)?nèi)容
2 電磁脈沖彈的毀傷機(jī)理及目標(biāo)易損性分析
    2.1 電子目標(biāo)簡(jiǎn)述
    2.2 電磁脈沖彈工作機(jī)理及脈沖形式
        2.2.1 電磁脈沖彈的工作機(jī)理
        2.2.2 電磁脈沖輻射波形及特性
    2.3 電磁脈沖彈對(duì)電子目標(biāo)的毀傷分析
        2.3.1 電磁脈沖彈的輻射區(qū)域分析
        2.3.2 目標(biāo)處的功率密度分析
        2.3.3 電磁脈沖對(duì)目標(biāo)的耦合途徑分析
    2.4 電磁脈沖對(duì)電子目標(biāo)的易損性分析
        2.4.1 電磁脈沖對(duì)電子目標(biāo)的毀傷因素
        2.4.2 電磁脈沖對(duì)電子目標(biāo)的毀傷描述
        2.4.3 目標(biāo)的毀傷判據(jù)
    2.5 本章小結(jié)
3 模型的建立及仿真算法
    3.1 幾何模型的創(chuàng)建
        3.1.1 典型天線的模型建立
        3.1.2 傳輸線等效模型建立
        3.1.3 電器元件的模型建立
    3.2 電磁脈沖能量傳播計(jì)算
        3.2.1 電磁脈沖傳播規(guī)律
        3.2.2 電磁脈沖彈的相關(guān)參數(shù)計(jì)算
    3.3 電磁仿真軟件的應(yīng)用
        3.3.1 FDTD對(duì)電磁脈沖下天線的仿真
        3.3.2 ISE-TCAD對(duì)電子元器件的仿真
    3.4 本章小結(jié)
4 電磁脈沖電子目標(biāo)的毀傷效能研究
    4.1 對(duì)典型天線的毀傷效能研究
        4.1.1 典型天線的耦合模型建立
        4.1.2 脈寬對(duì)負(fù)載電參數(shù)的影響分析
        4.1.3 入射電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)負(fù)載電參數(shù)的影響分析
        4.1.4 脈寬對(duì)毀傷距離的影響
    4.2 對(duì)導(dǎo)線負(fù)載的毀傷效能研究
        4.2.1 傳輸線的耦合模型建立
        4.2.2 脈寬對(duì)傳輸線耦合電參數(shù)的影響
        4.2.3 入射電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)傳輸線耦合電參數(shù)的影響
    4.3 對(duì)半導(dǎo)體器件的毀傷效能研究
        4.3.1 PIN二極管的耦合模型的建立
        4.3.2 電磁脈沖下的PIN二極管瞬態(tài)響應(yīng)分析
        4.3.3 電磁脈沖對(duì)PIN二極管的毀傷閾值分析
    4.4 本章小結(jié)
5 綜合毀傷效能評(píng)估
    5.1 系統(tǒng)毀傷等級(jí)劃分
    5.2 系統(tǒng)毀傷評(píng)估
        5.2.1 建立指標(biāo)體系與評(píng)估等級(jí)
        5.2.2 權(quán)重系數(shù)與指標(biāo)隸屬度
        5.2.3 綜合評(píng)判模型
6 總結(jié)
    6.1 工作總結(jié)
    6.2 本文不足之處
    6.3 下一步工作
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文
致謝


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[3]基于PIN的IMOS與TFET器件研究[D]. 李妤晨.西安電子科技大學(xué) 2013

碩士論文
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[2]電磁脈沖對(duì)MOSFET的熱效應(yīng)的分析與研究[D]. 吳文玨.西安電子科技大學(xué) 2014
[3]結(jié)型半導(dǎo)體橋的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及性能研究[D]. 喬爭(zhēng)光.南京理工大學(xué) 2012
[4]艦船通信系統(tǒng)電磁毀傷效應(yīng)及評(píng)估方法研究[D]. 周旺.哈爾濱工程大學(xué) 2011
[5]外場(chǎng)激勵(lì)下傳輸線網(wǎng)絡(luò)響應(yīng)分析[D]. 徐金棟.華北電力大學(xué)(北京) 2010
[6]半導(dǎo)體器件的高功率微波毀傷閾值實(shí)驗(yàn)技術(shù)研究[D]. 劉億亮.電子科技大學(xué) 2004



本文編號(hào):3503472

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