隨著戰(zhàn)場電磁環(huán)境日趨惡劣,考核武器裝備在強(qiáng)電磁場環(huán)境條件下適應(yīng)性的技術(shù)需求變得越來越高.采用大電流注入等效替代連續(xù)波強(qiáng)場電磁輻射研究中,電流注入探頭帶來的影響是不可回避的.對非線性互聯(lián)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)注入等效替代輻射實(shí)驗(yàn)方法進(jìn)行了分析,介紹了關(guān)鍵器件大電流注入探頭以及其等效電路模型.通過理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)輻射實(shí)驗(yàn)時(shí)不放置大電流注入探頭對等效產(chǎn)生的誤差不可忽略,需保證輻射和注入兩種條件下等效電路相同.進(jìn)一步對所用探頭性能進(jìn)行了測試,在150 MHz頻點(diǎn)時(shí),隨著注入功率增大至60 W時(shí),探頭注入與輸出線性誤差高于12%,因此在高功率注入等效替代強(qiáng)場電磁輻射實(shí)驗(yàn)時(shí),注入探頭自身性能會對等效產(chǎn)生影響. 

【文章來源】：北京理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,40(12)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

BCI等效替代連續(xù)波強(qiáng)場電磁輻射效應(yīng)實(shí)驗(yàn)圖

在進(jìn)行注入等效輻射實(shí)驗(yàn)時(shí),測試裝置中電流注入探頭是不可或缺的一部分,本注入等效輻射研究選用SOLAR電流注入探頭9142-1N型,實(shí)物圖如圖2所示,其中右側(cè)為大電流注入探頭. 根據(jù)商家標(biāo)定的電流注入探頭的基本參數(shù):外半徑為108 mm,內(nèi)口徑為38 mm,側(cè)壁厚度為38 mm,質(zhì)量為1.9 kg,額定溫度使用范圍為0～ 35 ℃,工作頻率范圍2～400 MHz,輸入阻抗為50 Ω,輸入插座為N型,最大承受功率為200 W.隨著大電流技術(shù)的不斷發(fā)展,以及對電流注入探頭的深入研究,目前電流注入探頭的等效電路模型多采用的如圖3所示集總π型電路模型,其中ZP表示的是探頭遮擋傳輸線部分的阻抗,電壓源VS表示注入源耦合到傳輸線纜上的電壓值,可由電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)H(jω)求得,YP認(rèn)為是探頭與線纜之間形成電容的導(dǎo)納[11-14].

隨著大電流技術(shù)的不斷發(fā)展,以及對電流注入探頭的深入研究,目前電流注入探頭的等效電路模型多采用的如圖3所示集總π型電路模型,其中ZP表示的是探頭遮擋傳輸線部分的阻抗,電壓源VS表示注入源耦合到傳輸線纜上的電壓值,可由電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)H(jω)求得,YP認(rèn)為是探頭與線纜之間形成電容的導(dǎo)納[11-14].3 電磁輻射實(shí)驗(yàn)時(shí)有無電流注入探頭對響應(yīng)的影響

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]窄帶電磁輻射對無線電引信的作用規(guī)律[J]. 魏光輝,潘曉東,孫永衛(wèi),萬浩江,李新峰.  北京理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2016(06)
[3]電磁注入等效替代輻照理論模型及實(shí)現(xiàn)技術(shù)[J]. 潘曉東,魏光輝,盧新福,李新峰.  高電壓技術(shù). 2012(09)
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碩士論文
[1]電磁敏感度測試的大電流注入技術(shù)研究[D]. 詹楠楠.電子科技大學(xué) 2011



本文編號：3458723