由于大型武器系統(tǒng)越來越復(fù)雜,其使用的電纜數(shù)量越來越多,對(duì)電纜電參量檢測(cè)的智能化水平要求也越來越高。電纜電參量智能檢測(cè)系統(tǒng)作為電纜故障診斷系統(tǒng)的核心子系統(tǒng),對(duì)確保大型武器裝備的正常工作具有重大意義。本文采用下位機(jī)與PC機(jī)相結(jié)合的方法建立檢測(cè)系統(tǒng)。下位機(jī)系統(tǒng)以單片機(jī)STM32作為控制核心,設(shè)計(jì)了高壓直流電源模塊、絕緣/導(dǎo)通電阻檢測(cè)電路、譯碼驅(qū)動(dòng)電路、繼電器矩陣電路等;下位機(jī)軟件采用可讀性好、可移植性好的C語言進(jìn)行編寫,實(shí)現(xiàn)串口通信、A/D轉(zhuǎn)換、I/O輸出、數(shù)據(jù)處理等功能。上位機(jī)軟件基于VC++6.0編譯平臺(tái)進(jìn)行設(shè)計(jì),主要對(duì)通信模塊、數(shù)據(jù)處理、DAO數(shù)據(jù)庫、人機(jī)交互界面、保存/打印結(jié)果、中英文切換等模塊進(jìn)行設(shè)計(jì)。上位機(jī)系統(tǒng)與下位機(jī)系統(tǒng)通過串口方式進(jìn)行通信。在比較多種電阻檢測(cè)方式的基礎(chǔ)上,采取電壓電流法來檢測(cè)電纜絕緣電阻與導(dǎo)通電阻。對(duì)于絕緣電阻檢測(cè),采取單端反激式電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)DC-DC變壓器結(jié)合倍壓整流電路的辦法設(shè)計(jì)高壓直流電源,由+12V電壓分別逆變整流輸出250V、500V、1000V、2000V四檔高壓。針對(duì)待測(cè)電纜芯數(shù)較多,為避免漏測(cè)、重測(cè)等問題,以及提高自動(dòng)化、智能化程度,設(shè)計(jì)了繼電... 

【文章來源】：南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：91 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２．１檢測(cè)系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)圖??２．３．１硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)??下位機(jī)系統(tǒng)由基于單片機(jī)ＳＴＭ３２的主控制模塊，繼電器矩陣電路，譯碼驅(qū)動(dòng)電路，??系統(tǒng)電源電路模塊，高壓直流電源模塊，絕緣／導(dǎo)通電阻檢測(cè)電路，ＡＤ?

（１）功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)??由于ＭＯＳＦＥＴ的工作頻率比晶體管高，考慮本系統(tǒng)的高頻率工作，選�。停希樱疲牛�??作為功率驅(qū)動(dòng)電路中的開關(guān)較合適。圖３．４為基本共源極ＭＯＳＦＥＴ經(jīng)典電路。ＭＯＳＦＥＴ??高頻工作時(shí)，為抑制其振蕩，可采取以下方法［３１］：??１）

?Ｏ??圖３．４基本共源極ＭＯＳＦＥＴ電路??圖３．５為ＭＯＳＦＥＴ驅(qū)動(dòng)電路，施加高電平至ＴＬ４９４中晶體管基極時(shí)，導(dǎo)通晶體管，??電流路徑為：＋１２Ｖ—ＴＬ４９４晶極管－＞ｉ？８和盡，因?yàn)楸M很小，所以能夠快速對(duì)ＢＧ１中??的與（＾＾進(jìn)行充電，可獲得良好的波形；施加高電平至ＴＬ４９４中晶體管基極時(shí)，截??止晶體管，ＢＧ１柵極電平被拉低，Ｃ＆上電荷通過及和盡釋放，可較好的完成斷開過??程。??＋１２Ｖ??下?Ｖｒ??＝｜＝Ｃ９?二＝Ｃ８?Ｊ?ｆ??４?＾Ｃ??丨?ＢＧｌ??ＴＬ４９４?｜?！?＾—｜?Ｉ＾Ｔ?Ｉ±ＺＣ１３???Ｊ?：Ｒ３?：??圖３．５?ＭＯＳＦＥＴ驅(qū)動(dòng)電路??１９??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3407350