為了探索半導(dǎo)體橋（SCB）火工品在靜電環(huán)境下的作用機(jī)理、易損特性和評(píng)估方法等,為SCB的靜電防護(hù)提供有效的參考依據(jù),使其更好的適應(yīng)日益復(fù)雜的電磁環(huán)境,本文就靜電脈沖對(duì)典型半導(dǎo)體橋（TSCB）和微型半導(dǎo)體橋（MSCB）的影響進(jìn)行了研究。具體如下：（1）研究了靜電作用下判別SCB失效的判據(jù),主要包括：微光顯微鏡（EMMI）、燒蝕面積、I-V曲線和電阻變化等。（2）通過(guò)ESD作用前后半導(dǎo)體橋的點(diǎn)火實(shí)驗(yàn),對(duì)點(diǎn)火時(shí)間和點(diǎn)火能量進(jìn)行t-檢驗(yàn),得到：TSCB承受靜電放電電壓閾值為22kV,MSCB的失效閾值電壓為14kV。（3）通過(guò)D-最優(yōu)點(diǎn)火實(shí)驗(yàn),得到：靜電作用后TSCB和MSCB的全發(fā)火電壓降低,電流峰值對(duì)應(yīng)時(shí)間延遲,說(shuō)明靜電作用使得橋的感度提高,點(diǎn)火可靠性下降；在等離子體點(diǎn)火情況下,靜電作用后的TSCB和MSCB,其形成等離子體的電壓二次峰延后,非等離子體點(diǎn)火時(shí),TSCB的峰值電壓和峰值電流延后,而MSCB的峰值電壓和峰值電流基本不變；隨著靜電電壓的增大,靜電作用后TSCB的I-V曲線斜率變小,而MSCB的I-V曲線斜率變大；模擬人體靜電放電對(duì)TSCB和MSCB作用,發(fā)火概率為0,表明人體靜電... 

【文章來(lái)源】：南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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半導(dǎo)體橋的制造工藝流程

量低、安全性好、作用快、工藝一致性好等，隨著溫度的升高，一方面導(dǎo)電粒子的濃度次數(shù)增多有礙導(dǎo)電[’6]，這兩種因素相互制約，但是隨著溫度的上升，導(dǎo)電粒子的濃度呈始下降，從而使半導(dǎo)體電阻呈現(xiàn)負(fù)溫度系數(shù)負(fù)溫特性，溫度升高，電阻下降，故當(dāng)電流大的電流流過(guò)該區(qū)域【’7〕，從而最高溫度區(qū)將程就導(dǎo)致了邊緣汽化效應(yīng)。電離能熔點(diǎn)是1410oC，而橋絲(通常為鎳鉻合金

基本上不能很準(zhǔn)確的反映出電火工品受到破壞的程度。2006年，李淦[36l等人采用新型白光光纖溫度傳感器對(duì)電火工品的電磁脈沖危害進(jìn)行測(cè)試，測(cè)量系統(tǒng)原理圖如圖1.4所示。班班玲 玲 汗公形努矛咐哈洪小食食摹霎{驀…襄 襄仁仁探頭頭頭鑫 鑫一解調(diào)器丫 丫 丫丫妙烤琳 琳琳拼 拼拼拼拼拼拼 拼襯 襯 襯 襯襯昌 昌昌昌 昌 昌 昌 昌昌:::姍弓 弓 ，一扮么，召之去 去 去豁豁武 _____一一一一一一一一一一一一一一一數(shù)據(jù)來(lái)集卡卡 打打印機(jī) -------------------圖1.4測(cè)試系統(tǒng)原理圖測(cè)量系統(tǒng)由光纖探頭、光纖調(diào)理器和測(cè)控軟件組成，首先系統(tǒng)自帶光源發(fā)出白光，經(jīng)禍合進(jìn)入光纖并傳輸?shù)教筋^，探頭通過(guò)感應(yīng)橋絲的溫度變化進(jìn)行相關(guān)波長(zhǎng)調(diào)制，之后調(diào)制光沿同一光纖反射傳輸?shù)降満掀�，再�?jīng)另一光纖傳輸?shù)焦饫w解調(diào)器，信號(hào)經(jīng)處理、轉(zhuǎn)換后，以模擬量輸入到計(jì)算機(jī)中。該系統(tǒng)的關(guān)鍵元件為光纖探頭，實(shí)際測(cè)量時(shí)橋絲和探頭的位置如圖1.5所示。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3405729