軍用集成電路的可靠性與檢測(cè)篩選
發(fā)布時(shí)間:2021-08-16 16:15
本文說(shuō)明了軍用集成電路可靠性研究工作的重要性及緊急性。對(duì)可靠性理論的闡述和可靠性試驗(yàn)的原理及解釋,簡(jiǎn)述了軍用電子元器件的分類(lèi)以及篩選的方法的必要性。文章主要?dú)w納了軍用集成電路的失效模式對(duì)其在設(shè)計(jì)生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)的類(lèi)似失效模式進(jìn)行預(yù)防,有效降低軍用集成電路的失效率。并針對(duì)此類(lèi)問(wèn)題,制定切實(shí)可行的預(yù)防機(jī)制及改進(jìn)措施,用于今后生產(chǎn)軍用集成電路的研制、生產(chǎn)、檢驗(yàn)。從而確保各種軍事武器裝備的可靠性,并保證其使用壽命及設(shè)備功能。本論文旨在通過(guò)對(duì)可靠性各種試驗(yàn)以及軍用電子元器件的分類(lèi)的介紹,并著重闡述了軍用集成電路的失效分析、失效機(jī)理、失效模式、機(jī)理分析及可靠性試驗(yàn),結(jié)合失效分析結(jié)果為今后在篩選工作中提供了有力的數(shù)據(jù)理論支持。本文通過(guò)設(shè)計(jì)、工藝、原材料和元器件等多方面的分析采取措施和對(duì)策,達(dá)到提高軍用集成電路可靠性的目的,并可借鑒在其他軍用電子元件的生產(chǎn)和設(shè)計(jì)過(guò)程中。
【文章來(lái)源】:南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:50 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1可靠性試驗(yàn)??J1??
圖6.1集成電路的ESD擊穿??26??
圖6.4樣片蒼片圖??結(jié)論??驗(yàn)證,樣片電路的失效是由于該電路在使用過(guò)程中受到了外界電路芯片中某些存儲(chǔ)管的柵介質(zhì)擊穿,引起存儲(chǔ)管漏電,造成電,致使電路失效[391。??和裝定等過(guò)程中,采取凈化電源的措施,避免外部環(huán)境產(chǎn)生大的的影響。??對(duì)半導(dǎo)體集成電路和厚膜混合集成電路所出現(xiàn)過(guò)的主要的失進(jìn)行分析,說(shuō)明了設(shè)計(jì)、工藝、檢驗(yàn)、W及使用等環(huán)節(jié)要針對(duì)電路各相關(guān)環(huán)節(jié)控制和管理,避免造成嚴(yán)重的損失。通過(guò)對(duì)氣、、、、
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]可伐合金氣密封接的預(yù)氧化[J]. 冷文波,沈卓身. 電子與封裝. 2004(03)
[2]可靠性概念的應(yīng)用必須確切[J]. 趙和義,鄭鵬洲. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2003(10)
[3]研究和處理DPA不合格的母體[J]. 趙和義,鄭鵬洲. 半導(dǎo)體技術(shù). 2003(09)
[4]混合集成電路銅功率外殼氣密性失效分析[J]. 耿志挺,馬莒生,寧洪龍,黃福祥. 稀有金屬材料與工程. 2003(08)
[5]ESD破壞的特點(diǎn)及對(duì)策[J]. 王衛(wèi)民,孫宇華. 電測(cè)與儀表. 2003(05)
[6]從壽命試驗(yàn)到加速壽命試驗(yàn)[J]. 茆詩(shī)松. 質(zhì)量與可靠性. 2003(01)
[7]破壞性物理分析(DPA)技術(shù)促進(jìn)國(guó)產(chǎn)電子元器件質(zhì)量提高[J]. 徐愛(ài)斌,劉發(fā). 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn). 2002(05)
[8]電子元器件破壞性物理分析中幾個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題的分析[J]. 張延偉. 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn). 2002(01)
[9]鍵合質(zhì)量與電子元器件應(yīng)用可靠性[J]. 曹宏斌. 電子元器件應(yīng)用. 2002(Z1)
[10]半導(dǎo)體器件DPA不合格的根源研究[J]. 張素娟,周永寧,鄭鵬洲. 半導(dǎo)體技術(shù). 2001(01)
本文編號(hào):3345994
【文章來(lái)源】:南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:50 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1可靠性試驗(yàn)??J1??
圖6.1集成電路的ESD擊穿??26??
圖6.4樣片蒼片圖??結(jié)論??驗(yàn)證,樣片電路的失效是由于該電路在使用過(guò)程中受到了外界電路芯片中某些存儲(chǔ)管的柵介質(zhì)擊穿,引起存儲(chǔ)管漏電,造成電,致使電路失效[391。??和裝定等過(guò)程中,采取凈化電源的措施,避免外部環(huán)境產(chǎn)生大的的影響。??對(duì)半導(dǎo)體集成電路和厚膜混合集成電路所出現(xiàn)過(guò)的主要的失進(jìn)行分析,說(shuō)明了設(shè)計(jì)、工藝、檢驗(yàn)、W及使用等環(huán)節(jié)要針對(duì)電路各相關(guān)環(huán)節(jié)控制和管理,避免造成嚴(yán)重的損失。通過(guò)對(duì)氣、、、、
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]可伐合金氣密封接的預(yù)氧化[J]. 冷文波,沈卓身. 電子與封裝. 2004(03)
[2]可靠性概念的應(yīng)用必須確切[J]. 趙和義,鄭鵬洲. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2003(10)
[3]研究和處理DPA不合格的母體[J]. 趙和義,鄭鵬洲. 半導(dǎo)體技術(shù). 2003(09)
[4]混合集成電路銅功率外殼氣密性失效分析[J]. 耿志挺,馬莒生,寧洪龍,黃福祥. 稀有金屬材料與工程. 2003(08)
[5]ESD破壞的特點(diǎn)及對(duì)策[J]. 王衛(wèi)民,孫宇華. 電測(cè)與儀表. 2003(05)
[6]從壽命試驗(yàn)到加速壽命試驗(yàn)[J]. 茆詩(shī)松. 質(zhì)量與可靠性. 2003(01)
[7]破壞性物理分析(DPA)技術(shù)促進(jìn)國(guó)產(chǎn)電子元器件質(zhì)量提高[J]. 徐愛(ài)斌,劉發(fā). 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn). 2002(05)
[8]電子元器件破壞性物理分析中幾個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題的分析[J]. 張延偉. 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn). 2002(01)
[9]鍵合質(zhì)量與電子元器件應(yīng)用可靠性[J]. 曹宏斌. 電子元器件應(yīng)用. 2002(Z1)
[10]半導(dǎo)體器件DPA不合格的根源研究[J]. 張素娟,周永寧,鄭鵬洲. 半導(dǎo)體技術(shù). 2001(01)
本文編號(hào):3345994
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