武器裝備信息化是應(yīng)對(duì)國(guó)際安全局勢(shì)惡化、調(diào)整國(guó)際秩序、加深大國(guó)博弈,實(shí)現(xiàn)和平發(fā)展的必要防御手段,而電子元器件作為基礎(chǔ)單元、核心單元,其綜合性能指標(biāo)提高一直備受研究者關(guān)注,高性能產(chǎn)品核心制造技術(shù)一直為歐美等國(guó)家把持并對(duì)我國(guó)實(shí)行嚴(yán)格禁運(yùn),以遏制我國(guó)航天事業(yè)的發(fā)展。高質(zhì)量光電耦合器就是其中之一。本論文針對(duì)武器裝備應(yīng)用的高質(zhì)量、高性能、高可靠性、強(qiáng)抗電磁干擾能力、小型化等需求,設(shè)計(jì)了一種小型化四通道表面貼裝式高質(zhì)量等級(jí)的光電耦合器封裝結(jié)構(gòu),并進(jìn)行了深入的工藝研究和實(shí)驗(yàn),主要工作包括:1、在分析了光電耦合器的結(jié)構(gòu)、工作原理、參數(shù)需求和物理限制的基礎(chǔ)上,在深入理解半導(dǎo)體芯片工作機(jī)理的前提下,設(shè)計(jì)了面向高性能要求的光電耦合器封裝結(jié)構(gòu),采用四通道各自獨(dú)立,在物理上相互隔離,徹底避免多路光信號(hào)間的互擾,為最大限度發(fā)掘芯片優(yōu)勢(shì)、減小寄生效應(yīng)影響和干擾,提高器件可靠性奠定了基礎(chǔ)。2、在確定了封裝結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,針對(duì)工業(yè)級(jí)同類產(chǎn)品性能只能滿足常規(guī)環(huán)境下的使用要求,工作溫度范圍小,最高工作溫度較低（100℃）;抗沖擊能力弱,經(jīng)受不住隨機(jī)頻率的振動(dòng)和較大加速度的應(yīng)力沖擊;環(huán)境適應(yīng)性差,在高溫高濕、有鹽氣等腐蝕性環(huán)境的... 

【文章來(lái)源】：北京工業(yè)大學(xué)北京市 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：53 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

光電耦合器示意圖

圖 2-2 LED 受激輻射發(fā)光原理 The principle of stimulated radiation of LED ligh特性物理本質(zhì)是 PN 結(jié)，因此其電學(xué)特性與普通 VF、反向電流 IR。伏安特性是描述流過(guò)其電流隨兩端電壓變器件性能優(yōu)劣的重要標(biāo)志，主要可以分為圖圖中一象限起始段，外加正向電壓小于開

第 2 章 光電耦合器芯片方面的研究當(dāng)對(duì)發(fā)光二極管兩端施加反向電壓時(shí)，多數(shù)載流子不很順利的流過(guò) PN 結(jié)，從而形成反向電流，由于少數(shù)與溫度有關(guān)，因此，通常稱這個(gè)過(guò)程形成的電流為反向：在反向電壓逐漸增大過(guò)程中，最初反向電流無(wú)多大個(gè)值后，反向電流突然增大，器件將出現(xiàn)被擊穿的現(xiàn)

【參考文獻(xiàn)】：
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