為提高半導(dǎo)體橋的輸出能量,本文通過理論分析選用Al/CuO作為含能材料,設(shè)計制作了兩種橋型的Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋。在不同激勵條件下對Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋進行電爆性能實驗、高速攝影實驗、測溫實驗和安全性實驗,研究了Al/CuO尊膜對復(fù)合半導(dǎo)體橋電爆性能的影響規(guī)律,驗證了Al/CuO薄膜用于提高半導(dǎo)體橋輸出能量的可行性和有效性。主要得出以下結(jié)論：（1） Al/CuO薄膜對多晶硅起爆過程沒有影響,Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋電爆性能隨激勵條件改變的變化規(guī)律與多晶硅半導(dǎo)體橋一致。Al/CuO膜的導(dǎo)熱系數(shù)較大,增大了熱消散能量,導(dǎo)致Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋爆發(fā)時間增長,爆發(fā)消耗能量增大。（2）在電容47gF,充電電壓為30V、40V、50V條件下,Al/CuO復(fù)合尖角半導(dǎo)體橋爆發(fā)產(chǎn)物的空間尺寸和持續(xù)時間大于多晶硅半導(dǎo)體橋,輸出能量顯著提高。（3）在高能量激勵條件下,兩種橋型的Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋爆發(fā)產(chǎn)物的溫度明顯高于多晶硅半導(dǎo)體橋,隨著激勵能量的增大,溫度提升的幅度先增大后趨于定值。（4）在低能量激勵條件下,多晶硅爆發(fā)的等離子體能量相對較低,多晶硅層上沉積覆蓋的Al/CuO膜對等離子成長... 

【文章來源】：南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
目錄
1 緒論
    1.1 研究的背景及意義
    1.2 復(fù)合半導(dǎo)體橋國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.1 國外研究情況
        1.2.2 國內(nèi)研究情況
    1.3 本文研究的主要內(nèi)容
2 Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋的設(shè)計制備及表征
    2.1 Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋的設(shè)計
        2.1.1 分析計算和結(jié)構(gòu)設(shè)計
        2.1.2 樣品制備
        2.1.3 封裝設(shè)計
    2.2 Al/CuO含能薄膜的表征
    2.3 本章小結(jié)
3 Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋電爆性能研究
    3.1 電爆特性測試方法
    3.2 實驗結(jié)果
        3.2.1 復(fù)合尖角半導(dǎo)體橋電爆性能測試結(jié)果
        3.2.2 復(fù)合矩形半導(dǎo)體橋電爆性能測試結(jié)果
    3.3 本章小結(jié)
4 Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋爆發(fā)輸出特性測試
    4.1 爆發(fā)瞬態(tài)過程測試
        4.1.1 實驗原理及設(shè)備
        4.1.2 結(jié)果分析
    4.2 Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋爆發(fā)產(chǎn)物溫度測試
        4.2.1 實驗設(shè)備及原理
        4.2.2 復(fù)合尖角半導(dǎo)體橋溫度測試結(jié)果
        4.2.3 復(fù)合矩形半導(dǎo)體橋溫度測試結(jié)果
    4.3 本章小結(jié)
5 Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋安全性研究
    5.1 實驗裝置及原理
    5.2 實驗結(jié)果
        5.2.1 1A1W5min實驗記錄與分析
        5.2.2 1A1W5min對復(fù)合半導(dǎo)體橋電爆性能的影響
        5.2.3 恒流作用下橋膜表面溫度變化
    5.3 本章小結(jié)
6 全文結(jié)論
致謝
參考文獻



本文編號：3106020