含能材料缺陷體系的分子動力學模擬
【圖文】:
圖 1.1 含能材料晶體缺陷研究的學術鏈能材料計算機模擬方法概述方法是最早研究晶體缺陷的手段,也得到了大量可靠的實驗數(shù)據(jù)[45]。但因能材料本身成本高、危險系數(shù)大、反應極快、反應過程不可控且不易觀察方法研究晶體缺陷因實驗條件限制進展較慢。而計算機模擬不僅降低成本,,而且可以研究極快的反應或變化且精確度高。二十世紀量子力學快速發(fā)定諤方程得到每一個電子的行為,幾乎分子的所有性質(zhì)如:結構、構象、能、電子親和能、電子密度等都可由量子力學獲取,因此模擬時間長,所也有限,最多不超過 100 個原子[46]。研究大系統(tǒng)的性質(zhì),在 1970 年左右建立了基于力場的分子力學方法,其略電子的運動,并把系統(tǒng)的能量作為核的位置,可用于計算一些團簇或生算大系統(tǒng)的非量子計算方法是蒙特卡羅方法,它可以得到復雜系統(tǒng)的結構但僅限統(tǒng)計平均值,對動態(tài)過程無法模擬。分子動力學方法的出現(xiàn)很好的
6圖 1.2 分子動力學發(fā)展進程的學術鏈子動力學模擬中假設原子的運動契合牛頓運動方程,則每一個原子的運動即的軌道。分子動力學假設原子核運動的量子效應可以忽略不計,絕熱可認為嚴每一時刻電子均要處在對應原子結構的基態(tài)。分子動力學模擬中最重要的是互作用的勢能,這直接關系到模擬的準確性,在分子動力學中相互作用勢能用數(shù)表示。經(jīng)驗勢能函數(shù)在能量極小化后獲得分子坐標 r,勢能對坐標的一階導便是力 F=- Ep/ r。然后,再由牛頓第二定律得到加速度 a=F/m。如果明確某時Ep和 F,就可以計算下一時刻 t+ t 新的力 F1,再由新的力獲取新的速度 V1,和速度計算新的位置 r1,如此循環(huán)(如圖 1.3)就可以模擬出分子運動的軌跡[46],算具體的性質(zhì),分析晶體缺陷對含能材料性能的影響。
【學位授予單位】:北京理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TQ560.1
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