等徑角擠壓和單向軋制高純Al再結(jié)晶晶界面的取向分布
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更多相關(guān)文章: 高純Al 等徑角擠壓 單向軋制 再結(jié)晶 晶界面分布
【摘要】:選用經(jīng)多向鍛造和再結(jié)晶退火的晶粒組織均勻(平均晶粒尺寸為20 mm)且取向均勻的高純Al(99.99%)為原料,將2組平行樣品分別進(jìn)行等效應(yīng)變e≈2的等徑角擠壓(ECAP)和單向軋制(DR)變形后,再經(jīng)360℃再結(jié)晶退火8~90 min,利用基于體視學(xué)原理和電子背散射衍射技術(shù)(EBSD)的五參數(shù)分析法(FPA)對比研究了不同變形方式對高純Al退火再結(jié)晶晶界面取向分布的影響.結(jié)果表明,經(jīng)變形及360℃退火后,2組樣品中其再結(jié)晶晶界面主要取向于低能穩(wěn)定的{111},并主要對應(yīng)于以111為轉(zhuǎn)軸的大角度扭轉(zhuǎn)晶界.ECAP與DR樣品退火后的主要差異在于,前者再結(jié)晶晶界面取向于{111}的過程較遲緩;后者再結(jié)晶晶界面比較容易取向于{111}.分析指出,DR變形更容易使高純Al再結(jié)晶晶面取向于低能穩(wěn)定的{111},更有益于晶界特征分布的優(yōu)化.這與DR變形形成的110//ND織構(gòu)導(dǎo)致其再結(jié)晶退火過程中晶粒容易長大有關(guān).
【作者單位】: 福州大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;福建工程學(xué)院材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 高純Al 等徑角擠壓 單向軋制 再結(jié)晶 晶界面分布
【基金】:國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目51171095和51271058資助~~
【分類號】:TG306;TG146.21
【正文快照】: Manuscript received 2015-07-22,in revised form 2015-10-28上個世紀(jì)80年代,Watanabe[1]曾提出了“晶界設(shè)計與控制”(grain boundary design and control,GB-DC)這一概念,其中心思想是,在重位點(diǎn)陣(coinci-dence site lattice,CSL)晶界[2]框架內(nèi),通過改變合金化和優(yōu)化加工方
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,本文編號:723570
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