合金化是提高D8_m-Mo₅Si₃高溫抗氧化性能的一種重要手段,然而在此過程中會不可避免地引入點缺陷,這對Mo5Si3的材料性質(zhì)和結(jié)構(gòu)有著重要的影響。另外,Mo5Si3的抗氧化性質(zhì)與其表面結(jié)構(gòu)有著密切的聯(lián)系,對表面結(jié)構(gòu)的研究可以為以后探索氧在表面的吸附機理打下基礎(chǔ)�？紤]到精度的要求以及實驗測量的困難,理論研究已成為理解材料性質(zhì)的重要方法。因此,本文運用第一性原理對Mo5Si3點缺陷和表面的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性進行了研究,具體內(nèi)容如下:1.運用第一性原理平面波贗勢方法,對D8_m-Mo₅Si₃化合物的空位與反位缺陷的形成能、點缺陷濃度及其電子結(jié)構(gòu)進行計算,研究了D8_m-Mo₅Si₃的成鍵行為,并分析了其點缺陷結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。結(jié)果表明:D8_m-Mo₅Si₃的晶格常數(shù)a=9.6808?,c=4.9033?,體模量B0=247.08 GPa。Mo5Si...

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【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 D8_m-Mo₅Si₃的晶體結(jié)構(gòu)和基本性能
        1.2.1 D8_m-Mo₅Si₃的晶體結(jié)構(gòu)
        1.2.2 Mo₅Si₃的基本性能
    1.3 D8_m-Mo₅Si₃材料的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢
        1.3.1 研究現(xiàn)狀
        1.3.2 發(fā)展趨勢
    1.4 本論文的研究意義和內(nèi)容
        1.4.1 選題意義
        1.4.2 研究內(nèi)容
第二章 計算理論
    2.1 第一性原理基本介紹
    2.2 密度泛函理論
        2.2.1 Hohenber-Kohn定理
        2.2.2 Kohn-Sham定理
        2.2.3 局域密度近似和廣義梯度近似
    2.3 VASP簡介
第三章 D8_m-Mo₅Si₃的成鍵特征與點缺陷行為研究
    3.1 引言
    3.2 計算方法
    3.3 計算結(jié)果與討論
        3.3.1 D8_m-Mo₅Si₃的基本物性與成鍵行為
        3.3.2 D8_m-Mo₅Si₃點缺陷的形成能
        3.3.3 D8_m-Mo₅Si₃的點缺陷濃度
        3.3.4 D8_m-Mo₅Si₃點缺陷的電子結(jié)構(gòu)
    3.4 本章小結(jié)
第四章 D8_m-Mo₅Si₃低指數(shù)表面的結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定性研究
    4.1 引言
    4.2 計算方法
        4.2.1 計算方法
        4.2.2 表面模型
    4.3 結(jié)果和討論
        4.3.1 表面弛豫
        4.3.2 表面能
        4.3.3 電子結(jié)構(gòu)
        4.3.4 Wulff形貌
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 論文總結(jié)
    5.2 研究展望
參考文獻
攻讀碩士學位期間研究成果
致謝



本文編號：4043789