金屬Cu具有優(yōu)良導(dǎo)電導(dǎo)熱性,在微電子封裝行業(yè)中被廣泛應(yīng)用為基體材料,在微電子器件的釬焊過程中,Cu基焊點(diǎn)與釬料之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成金屬間化合物IMC(intermetallic compound)。在釬焊過程中經(jīng)常會(huì)伴隨IMC層過度生長(zhǎng),嚴(yán)重影響焊接接頭性能,并降低焊接接頭的可靠性。本課題針對(duì)IMC層過度生長(zhǎng)問題,提出在釬焊回流過程使用連續(xù)穩(wěn)定的IMC層作為擴(kuò)散阻擋層。通過浸焊工藝制備Cu₅Zn₈擴(kuò)散阻擋層,電沉積及熱誘導(dǎo)工藝制備Ag₃Sn擴(kuò)散阻擋層。并通過研究在不同釬焊工藝下,純Sn釬料球在Cu,Cu₅Zn₈/Cu,Ag₃Sn/Cu基板上IMC的形貌演變及相關(guān)動(dòng)力學(xué)機(jī)制,其主要結(jié)論如下:(1)通過預(yù)制Cu₅Zn₈,Ag₃Sn擴(kuò)散阻擋層來抑制釬焊界面反應(yīng)是可行的。在相同釬焊工藝條件下,純Sn釬料在Cu₅Zn₈/Cu,Ag₃Sn...

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 電子封裝概述
        1.1.1 電子封裝定義
        1.1.2 無鉛釬焊技術(shù)
        1.1.3 電子封裝的目的及功能
        1.1.4 常用無鉛釬料
    1.2 釬焊界面反應(yīng)
        1.2.1 界面反應(yīng)機(jī)理
        1.2.2 經(jīng)典界面反應(yīng)IMC生長(zhǎng)理論
    1.3 國(guó)內(nèi)外關(guān)于擴(kuò)散阻擋層研究現(xiàn)狀
    1.4 本課題研究?jī)?nèi)容與意義
2 實(shí)驗(yàn)材料與實(shí)驗(yàn)方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)藥品及儀器
    2.2 擴(kuò)散阻擋層制備
    2.3 釬焊實(shí)驗(yàn)
3 不同釬焊工藝下Cu₅Zn₈ 擴(kuò)散阻擋層對(duì)Sn-Cu界面反應(yīng)的影響
    3.1 在不同釬焊溫度下Cu₅Zn₈對(duì)Sn-Cu界面反應(yīng)的影響
    3.2 在不同保溫時(shí)間下Cu₅Zn₈對(duì)Sn-Cu界面反應(yīng)的影響
    3.3 Cu₅Zn₈ 擴(kuò)散阻擋層對(duì)Sn-Cu釬焊界面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的影響
    3.4 分析與討論
    3.5 本章小結(jié)
4 在不同釬焊工藝下Ag₃Sn對(duì) Sn-Cu界面反應(yīng)的影響
    4.1 在不同釬焊溫度下Ag₃Sn對(duì) Sn-Cu界面反應(yīng)的影響
    4.2 在不同保溫時(shí)間下Ag₃Sn對(duì) Sn-Cu界面反應(yīng)的影響
    4.3 Ag3Sn擴(kuò)散阻擋層對(duì)Sn-Cu釬焊界面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的影響
    4.4 分析與討論
    4.5 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況
致謝



本文編號(hào)：3861211