Mo85Cu15合金導(dǎo)熱性較強,其熱膨脹系數(shù)與制造大功率芯片的GaAs相近,因此常作為高密度收發(fā)組件中大功率芯片的封裝基板�？煞ズ辖饘�(dǎo)熱性和焊接性與GaAs相近,在芯片釬焊工藝研究中常作為GaAs的替代品,也是功能器件裝配載體的常用材料。50%Si-Al因含硅量較高,擁有質(zhì)量輕、導(dǎo)熱性好、耐磨性強的優(yōu)點,常用來作為芯片模塊和可伐合金基板的封裝外殼。目前芯片封裝存在釬透率較低、封裝可靠性與一致性難以保障的缺點。芯片的封裝質(zhì)量對于芯片工作性能和壽命有著重要的影響,但整個過程涉及多種材料,界面反應(yīng)非常復(fù)雜。研究異種材料釬焊時發(fā)生的界面反應(yīng)以及工藝參數(shù)對釬透率的影響機理是保證芯片在大功率條件下正常運行的必要途徑。本文采用AuSn20焊料焊接可伐合金芯片與鉬銅載體、可伐合金基板與鋁硅板,采用Sn43Pb43Bi14焊料焊接鉬銅載體與鋁硅殼體,板材表面均有Ni/Au鍍層。通過光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡、XRD檢測及X射線無損探傷研究工藝參數(shù)對焊縫宏觀形貌的影響、焊料組織成分以及兩種焊料與基板鍍層間發(fā)生的元素擴散和界面反應(yīng),分析接頭連接機理。通過X射線檢測與釬透率數(shù)值模擬相結(jié)合的方式研究工藝參數(shù)對芯片釬透... 

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

金錫二元相圖

鉛錫合金二元相圖

錫-鉛-鉍三元合金相圖

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]有源相控陣雷達低截獲概率波形研究[D]. 曾高強.電子科技大學(xué) 2011
[2]微波多芯片組件微組裝關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用研究[D]. 李孝軒.南京理工大學(xué) 2009



本文編號：3732703